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正文內(nèi)容

制造工藝過程與方法(留存版)

  

【正文】 超硬度和超模量效應(yīng) 與涂層的 組成材料、調(diào)制周期( λ)、及層之間的界面 等有關(guān) 超硬薄膜的納米多層化還 顯著改善薄膜的韌性和抗裂紋擴(kuò)展能力 形成超硬度的條件: ? 自發(fā)形成穩(wěn)定、規(guī)則的納米結(jié)構(gòu) ? 第二相的厚度為單層 ? 沉積氣氛的氮?jiǎng)莞? ? 沉積溫度高 ? 雜質(zhì)含量足夠低 離子鍍 應(yīng)用 納米復(fù)合膜的主要應(yīng)用實(shí)例 納米多層膜鉆頭 納米復(fù)合膜鉆頭 納米多層膜鉆頭切削試驗(yàn) ? 應(yīng)用范圍: 可制備單一氧化物、復(fù)雜氧化物、碳化物、金屬微粉。 b. 電子轟擊法:將電子集中轟擊蒸發(fā)材料的一部分而進(jìn)行加熱。 缺點(diǎn):蒸發(fā)源材料與蒸鍍材料易形成化合物或合金。 為了滿足這些要求,刀具材料獲得了迅速發(fā)展:( 1)超硬顆粒硬質(zhì)合金材料提高了其硬度和耐磨性;( 2)陶瓷和金屬陶瓷刀具材料的發(fā)展明顯改善了其強(qiáng)度和韌性;( 3)新型涂層材料及制備工藝使涂層的韌性和耐磨性得到顯著提高,其中 納米結(jié)構(gòu)超硬薄膜引人關(guān)注 。 化學(xué)氣相沉積 Chemical Vapor Deposition (CVD) ? 熱分解反應(yīng) ? SiH4 Si+2H2 (650℃) ? 還原反應(yīng) ? SiCl4+2H2 Si+4HCl(1200℃) ? 氧化反應(yīng) ? SiH4+O2 SiO2+2H2 (450℃) ? 形成化合物 ? SiCl4+CH4 SiC+4HCl(1400℃) 化學(xué)反應(yīng)類型 化學(xué)氣相沉積 Chemical Vapor Deposition (CVD) 1. 進(jìn)氣口 2. 燈絲列 3. 燈絲電源 4. 基體 5. 試樣臺(tái) 6. 偏壓電源 7. 冷卻水 8. 熱電偶 9. 真空泵 熱絲化學(xué)氣相沉積原理 化學(xué)氣相沉積 Chemical Vapor Deposition (CVD) ? 優(yōu)異的性能 ? 高硬度 ? 高彈性模量 ? 低摩擦系數(shù) ? 高熱導(dǎo) ? 高絕緣 ? 寬能隙和高的載流子遷移率 ? 高的光學(xué)透過率 ? 良好的化學(xué)穩(wěn)定性 金剛石薄膜 化學(xué)氣相沉積 Chemical Vapor Deposition (CVD) 納米金剛石薄膜 硬度和彈性模量與天然金剛石單晶接近,且表面極其光滑平整,光學(xué)透過率高,摩擦系數(shù)極低(大大低于普通的微米晶粒金剛石膜) 具有高的韌性和場(chǎng)發(fā)射電壓,預(yù)計(jì)在 工具涂層、光學(xué)涂層、微機(jī)電系統(tǒng)、高性能大屏幕顯示、半導(dǎo)體功率器件的金剛石封裝 等一系列高技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域會(huì)有十分光明的市場(chǎng)前景。 ? 2玻璃形成階段( 10001250℃ ) 低共熔混合物開始熔化,隨間溫度升高,硅酸鹽和剩余石英砂?;ト?,直到石英砂顆粒完全熔化。如:聚乙烯,聚甲基丙烯甲酯(有機(jī)玻璃),聚氯乙烯。 ? 缺點(diǎn): (1)單體濃度低,反應(yīng)慢,生產(chǎn)能力低。 乳液聚合 特點(diǎn): 1以水為介質(zhì),熱量易排除,溫度較低,易控制。 2均勻沉淀法 定義: 控制反應(yīng)條件,從而控制反應(yīng)速度,使沉淀反應(yīng)緩慢而均勻的進(jìn)行。 ? 3高純度:醇鹽原料易于提純,且反應(yīng)溶液與容器不易發(fā)生反應(yīng)(低溫)保證了純度高。 3冷凍干燥法 —— 金屬鹽溶液在較低溫度下噴霧生成小液滴,小液滴在較短的時(shí)間內(nèi)急速冷凍,接著在迅速減壓條件下加熱,使水升華,生成小的鹽粒。金屬為 ()Tm 、鹽類為 、硅酸鹽為 ()Tm 固相法 高溫?zé)Y(jié)法 自蔓延高溫合成法 固相縮聚 熱分解法 ? 燒結(jié) 是一種合成加工方法。 反應(yīng)過程與升溫速度及窯內(nèi)氣氛密切相關(guān)。 ? 反應(yīng)可以在真空或惰性氣體的環(huán)境里進(jìn)行。 ? 6.什么是固相反應(yīng)? ? 7.什么是高溫?zé)Y(jié)?其推動(dòng)力是什么? ? 8.簡(jiǎn)述普通陶瓷的燒結(jié)過程。 ? 原理:是利用反應(yīng)本身放出的熱量維持反應(yīng)的繼續(xù)(必須是高放熱反應(yīng))一旦被引發(fā),就不再需要外加熱源,并以燃燒波的形式通過反應(yīng)混合物,并隨著燃燒波的前進(jìn),反應(yīng)物轉(zhuǎn)化為產(chǎn)物。 高溫?zé)Y(jié)法 經(jīng)典的燒結(jié)過程是陶瓷燒成 典型的燒結(jié)是陶瓷的燒成,一般將其過程分為四個(gè)階段 : A. 低溫階段(室溫 300℃ ) ? 1排除水分(一般是吸附水) ? 2固體顆粒靠攏, ? 3坯體產(chǎn)生少量收縮。 ? 固相反應(yīng)開始溫度:一般低于反應(yīng)物的熔融溫度或系統(tǒng)的低共熔溫度。 水熱法 在水溶液中或大量水蒸氣存在下,以高溫高壓或高溫常壓所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)過程。 (室溫下制備)在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度附近可轉(zhuǎn)化為玻璃體。 ? 可制備含有兩種金屬元素的復(fù)合氧化物超細(xì)粉末。加分散劑是因?yàn)閱误w液滴轉(zhuǎn)變?yōu)楦叻肿踊衔锕腆w顆粒中間經(jīng)過高分子化合物-單體粘性粒子階段,防粘結(jié)。 :?jiǎn)误w和引發(fā)劑與適當(dāng)?shù)娜軇┲羞M(jìn)行的聚合 制備高分子化合物的 溶液聚合 、 溶液縮聚 是溶液法的典型例子。設(shè)備簡(jiǎn)單,操作方便,但應(yīng)力大。 ? 物理反應(yīng) :低共熔物的生成 、組分之間的互溶。 ? CVD的機(jī)理相對(duì)于 PVD較復(fù)雜 ,涉及反應(yīng)化學(xué)、勢(shì)力學(xué)、動(dòng)力學(xué)、轉(zhuǎn)移機(jī)理、膜生長(zhǎng)、和反應(yīng)工程等內(nèi)容。 是將蒸發(fā)了的金屬原子 在等離子體中離子化 后,在基體材料上析出薄膜。當(dāng)多種元素蒸鍍時(shí), 可得一定配比的 合金薄膜 。 因此,制作預(yù)定組成的合金薄膜時(shí),常利用 閃蒸蒸鍍法 :使合金粉末的一個(gè)一個(gè)顆粒在一瞬間完全蒸發(fā)。 ? 具體操作 :真空容器中,加熱蒸發(fā)原料,使其凝聚在基板或鐘罩壁上。 ? 流化床內(nèi)的氣固混合物分為兩相:乳化相(高溫相)和氣泡相(低溫相)。化學(xué)組成趨向一致,條紋和熱不均勻性消除。 ? 特點(diǎn) :不用溶劑或介質(zhì),副反應(yīng)很少 。 ? 常用于:氯乙烯、
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