【正文】 率 *= ( 5 . 1 3 )d p c pppveEm?? ?*= ( 5 . 1 4 )d n c nnnveEm?? ?載流子的散射： 所謂自由載流子，實際上只有在兩次散射之間才真正是自由運(yùn)動的，其連續(xù)兩次散射間自由運(yùn)動的平均路程稱為 平均自由程， 而平均時間稱為 平均自由時間。 空穴擴(kuò)散電流密度： pp x d ifdpJ e Ddx?? Dp稱為空穴擴(kuò)散系數(shù)，單位為 cm2/s 其值為正。 霍爾電場在半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生的電壓稱為 霍爾電壓 VH。 12 13 電導(dǎo)率 Nd=1015cm3 14 半導(dǎo)體的電阻特性 （紅線區(qū)－電阻：阻礙運(yùn)輸） ? 對于本征半導(dǎo)體，本征激發(fā)起決定性因素，所以 T升高，電阻下降； ? 對于雜質(zhì)半導(dǎo)體，在溫度很低時，本征電離可忽略， T升高，雜質(zhì)電離的載流子越來越多，電阻下降； ? 進(jìn)入室溫區(qū)，雜質(zhì)已經(jīng)全部電離，而本征激發(fā)還不重要，T升高，晶格震動散射加劇，電阻升高； ? 高溫區(qū)，本征激發(fā)起主要作用， T升高，本征激發(fā)明顯，電阻下降。 *pF m a e E??空穴的速度是否會持續(xù)增大？ 3 漂移電流密度 dnn drfJ e n???總漂移電流密度： ( )pP drfJ e p E??空穴漂移電流方向與外加電場方向相同。 ? 均勻摻雜的 n型半導(dǎo)體中，因為不存在濃度梯度，也就不產(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動，其載流子分布也是均勻的。 ? 速度飽和 ? 載流子遷移率為平均漂移速度與外加電場之比。隨著電場強(qiáng)度的增加，低能谷電子能量也相應(yīng)增加，并可能被散射到高能谷中，有效質(zhì)量變?yōu)?。第 5章 載流子輸運(yùn)現(xiàn)象 1