【正文】
漂移運(yùn)動 。 8 遷移率 ? 聲子散射和電離雜質(zhì)散射 32 ( 5 .1 6 )IITN??? 當(dāng)溫度高于絕對零度時(shí),半導(dǎo)體中的原子由于具有一定的熱能而在其晶格位置上做無規(guī)則熱振動,破壞了勢函數(shù),導(dǎo)致載流子電子、空穴、與振動的晶格原子發(fā)生相互作用。隨著電場強(qiáng)度的增加,低能谷電子能量也相應(yīng)增加,并可能被散射到高能谷中,有效質(zhì)量變?yōu)?。 19 ? 總電流密度 半導(dǎo)體中所產(chǎn)生的電流種類: 電子漂移電流、空穴漂移電流 電子擴(kuò)散電流、空穴擴(kuò)散電流 總電流密度: n p n pd n d pJ e n E e p E e D e Dd x d x??? ? ? ?遷移率描述了半導(dǎo)體中載流子在電場力作用下的運(yùn)動情況; 擴(kuò)散系數(shù)描述了半導(dǎo)體中載流子在濃度梯度作用下的運(yùn)動情況。 ? 速度飽和 ? 載流子遷移率為平均漂移速度與外加電場之比。 y方向上的感生電場稱為 霍爾電場 EH。 ? 均勻摻雜的 n型半導(dǎo)體中,因?yàn)椴淮嬖跐舛忍荻?,也就不產(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動,其載流子分布也是均勻的。電導(dǎo)率是載流子濃度和遷移率的函數(shù)。 *pF m a e E??空穴的速度是否會持續(xù)增大? 3 漂移電流密度 dnn drfJ e n???總漂移電流密度: ( )pP drfJ e p E??空穴漂移電流方向與外加電場方向相同。 同理,可求得電子形成的漂移電流密度 ? ?ne n E?? ? ? (5. 8 )ne n E?? ( )dr f p nJ e p E e n E????弱電場條件下,平均漂移速度與電場強(qiáng)度成正比,有 ( 5. 4)dp p E??? μ p稱為空穴遷移率。 12 13 電導(dǎo)率 Nd=