《流子輸運現(xiàn)象》ppt課件(文件)
【正文】 e x p F F iidEEn n N xkT?????????? ?? ?1 ( 5 . 4 0 )dFixdd N xdE kTEd x e N x d x??? ? ? ????21 考慮非均勻摻雜半導體，假設沒有外加電場，半導體處于熱平衡狀態(tài)，則電子電流和空穴電流分別等于零。 霍爾電場在半導體內(nèi)產(chǎn)生的電壓稱為 霍爾電壓 VH。是溫度以及電離雜質(zhì)濃度的函數(shù)。 ? 半導體內(nèi)的散射過程。 用途： 判斷半導體的 導電類型 、計算多數(shù)載流子的 濃度和遷移率 。 空穴擴散電流密度： pp x d ifdpJ e Ddx?? Dp稱為空穴擴散系數(shù)，單位為 cm2/s 其值為正。 17 載流子的擴散運動 ? 擴散是因為無規(guī)則熱運動而引起的粒子從濃度高處向濃度低處的有規(guī)則的輸運，擴散運動起源于粒子濃度分布的不均勻。有效質(zhì)量越小，遷移率就越大。 I d aN N N???1 1 1 ( 5 .1 8 )LI? ? ???9 遷移率 10 遷移率 11 ? 歐姆定律 JE??設 p型半導體摻雜濃度為 Na,Nani，則電導率為： 1pne p e n? ? ? ?? ? ?pep??? apeN ??電導率 : 電阻的倒數(shù) 歐姆定律的微分形式： σ 表示半導體材料的 電導率 ，單位為 (Ω cm)1。單位 cm2/Vs * ( 5 . 1 0 )pdvF m e Edt??空穴的加速度與外力如電場力之間的關系： * ( 5 . 1 1 )pe E tvm?設初始漂移速度為 0，則對上式積分： 遷移率如何計算，它與什么
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1