【正文】
了非平衡載流子,而內(nèi)部沒有光注入,這樣由于表面和體內(nèi)存在了濃度梯度,從而引起非平衡載流子由表面向內(nèi)部擴(kuò)散。 18 電子擴(kuò)散電流密度: nn x d ifdnJ e Ddx? Dn稱為電子擴(kuò)散系數(shù),單位為 cm2/s 其值為正。 空穴擴(kuò)散電流密度: pp x d ifdpJ e Ddx?? Dp稱為空穴擴(kuò)散系數(shù),單位為 cm2/s 其值為正。 19 ? 總電流密度 半導(dǎo)體中所產(chǎn)生的電流種類: 電子漂移電流、空穴漂移電流 電子擴(kuò)散電流、空穴擴(kuò)散電流 總電流密度: n p n pd n d pJ e n E e p E e D e Dd x d x??? ? ? ?遷移率描述了半導(dǎo)體中載流子在電場(chǎng)力作用下的運(yùn)動(dòng)情況; 擴(kuò)散系數(shù)描述了半導(dǎo)體中載流子在濃度梯度作用下的運(yùn)動(dòng)情況。 這兩個(gè)參數(shù)之間是相互獨(dú)立還是具有一定的相關(guān)性? 20 電勢(shì) Φ 等于電子勢(shì)能除以電子電量: ? ?1 F F ie E E? ???一維情況下的感生電場(chǎng)定義為: 1 FixdEdEd x e d x?? ? ?假設(shè)滿足準(zhǔn)中性條件,電子濃度與施主雜質(zhì)濃度基本相等,則有: ? ?0 e x p F F iidEEn n N xkT?????????? ?? ?1 ( 5 . 4 0 )dFixdd N xdE kTEd x e N x d x??? ? ? ????21 考慮非均勻摻雜半導(dǎo)體,假設(shè)沒有外加電場(chǎng),半導(dǎo)體處于熱平衡狀態(tài),則電子電流和空穴電流分別等于零。可寫為: 0 ( 5 .4 1 )n n x n dnJ e n E e D dx?? ? ?設(shè)半導(dǎo)體滿足準(zhǔn)中性條件,即 n≈Nd(x),則有