流子輸運現(xiàn)象ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-11 00:07 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 遷移率 11 ? 歐姆定律 JE??設(shè) p型半導(dǎo)體摻雜濃度為 Na,Nani，則電導(dǎo)率為： 1pne p e n? ? ? ?? ? ?pep??? apeN ??電導(dǎo)率 : 電阻的倒數(shù) 歐姆定律的微分形式： σ 表示半導(dǎo)體材料的 電導(dǎo)率 ，單位為 (Ω cm)1。電導(dǎo)率是載流子濃度和遷移率的函數(shù)。 12 13 電導(dǎo)率 Nd=1015cm3 14 半導(dǎo)體的電阻特性 （紅線區(qū)－電阻：阻礙運輸） ? 對于本征半導(dǎo)體，本征激發(fā)起決定性因素，所以 T升高，電阻下降； ? 對于雜質(zhì)半導(dǎo)體，在溫度很低時，本征電離可忽略， T升高，雜質(zhì)電離的載流子越來越多，電阻下降； ? 進(jìn)入室溫區(qū)，雜質(zhì)已經(jīng)全部電離，而本征激發(fā)還不重要，T升高，晶格震動散射加劇，電阻升高； ? 高溫區(qū)，本征激發(fā)起主要作用， T升高，本征激發(fā)明顯，電阻下降。 15 ? 載流子的運動速度不再隨電場增加而增加 16 飽和速度 ? 低能谷中的電子有效質(zhì)量mn*=。有效質(zhì)量越小，遷移率就越大。隨著電場強度的增加，低能谷電子能量也相應(yīng)增加，并可能被散射到高能谷中，有效質(zhì)量變?yōu)?。高能谷中，有效質(zhì)量變大，遷移率變小。這種多能谷間的散射機構(gòu)導(dǎo)致電子的平均漂移速度隨電場增加而減小，從而出現(xiàn)負(fù)微分遷移率特性。 17 載流子的擴散運動 ? 擴散是因為無規(guī)則熱運動而引起的粒子從濃度高處向濃度低處的有規(guī)則的輸運，擴散運動起源于粒子濃度分布的不均勻。 ? 均勻摻雜的 n型半導(dǎo)體中，因為不存在濃度梯度，也就不產(chǎn)生擴散運動，其載流子分布也是均勻的。 ? 如果以適當(dāng)波長的光照射該樣品的一側(cè)，同時假定在照射面的薄層內(nèi)光被全部吸收，那么在表面薄層內(nèi)就產(chǎn)生
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