【正文】
分遷移率特性。 18 電子擴散電流密度: nn x d ifdnJ e Ddx? Dn稱為電子擴散系數,單位為 cm2/s 其值為正??蓪憺椋? 0 ( 5 .4 1 )n n x n dnJ e n E e D dx?? ? ?設半導體滿足準中性條件,即 n≈Nd(x),則有 : ? ? ? ?0 ( 5 . 4 2 )dn d n x n d N xJ e N x E e D dx?? ? ?將式 代入上式: ? ? ? ? ? ? ? ?10 ( 5 . 4 3 )ddd n ndd N x d N xkTe N x e De N x d x d x???? ? ????? ( 5 . 4 4 a )nnD kTe? ? ( 5 . 4 4 b )ppD kTe? ? ( 5 .4 5 )pnnpDD kTe????愛因斯坦關系 22 ? 典型遷移率及擴散系數 23 電場和磁場對運動電荷施加力的作用產生的效應為 霍爾效應 。 VH為正,為 p型半導體; VH為負,為 n型半導體; 24 空穴濃度: 電子濃度: 空穴遷移率: 電子遷移率: ( 5 .5 2 )xzHIBpe d V? ( 5 .5 4 )xzHIBne d V?? ( 5 .5 7 )xpxILe p V W d? ? ( 5 .5 8 )xnxILe p V W d? ?25 ? 半導體中的兩種基本輸運機構。 ? 電導率 ? 愛因斯坦關系 ? 霍爾效應 26 END ; ; ; 27