流子輸運(yùn)現(xiàn)象ppt課件-免費(fèi)閱讀
【正文】 VH為正，為 p型半導(dǎo)體； VH為負(fù)，為 n型半導(dǎo)體； 24 空穴濃度： 電子濃度： 空穴遷移率： 電子遷移率： ( 5 .5 2 )xzHIBpe d V? ( 5 .5 4 )xzHIBne d V?? ( 5 .5 7 )xpxILe p V W d? ? ( 5 .5 8 )xnxILe p V W d? ?25 ? 半導(dǎo)體中的兩種基本輸運(yùn)機(jī)構(gòu)。 18 電子擴(kuò)散電流密度： nn x d ifdnJ e Ddx? Dn稱(chēng)為電子擴(kuò)散系數(shù)，單位為 cm2/s 其值為正。 15 ? 載流子的運(yùn)動(dòng)速度不再隨電場(chǎng)增加而增加 16 飽和速度 ? 低能谷中的電子有效質(zhì)量mn*=。單位 cm2/Vs 4 漂移電流密度 ? 遷移率的值 5 ? 遷移率 ( 5. 4)dp p E??? μ p稱(chēng)為空穴遷移率。 dυd?dr f dJ ???單位： C/cm2s或 A/cm2 ( 5. 2)dpP d rfJ e p ??空穴形成的漂移電流密度 e單位電荷電量； p：空穴的數(shù)量； vdp, 為空穴的平均漂移速度。 I d aN N N???1 1 1 ( 5 .1 8 )LI? ? ???9 遷移率 10 遷移率 11 ? 歐姆定律 JE??設(shè) p型半導(dǎo)體摻雜濃度為 Na,Nani，則電導(dǎo)率為： 1pne p e n? ? ? ?? ? ?pep??? apeN ??電導(dǎo)率 : 電阻的倒數(shù) 歐姆定律的微分形式：
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