流子輸運(yùn)現(xiàn)象ppt課件(完整版)
【正文】 1015cm3 14 半導(dǎo)體的電阻特性 （紅線區(qū)－電阻：阻礙運(yùn)輸） ? 對(duì)于本征半導(dǎo)體，本征激發(fā)起決定性因素，所以 T升高，電阻下降； ? 對(duì)于雜質(zhì)半導(dǎo)體，在溫度很低時(shí)，本征電離可忽略， T升高，雜質(zhì)電離的載流子越來越多，電阻下降； ? 進(jìn)入室溫區(qū)，雜質(zhì)已經(jīng)全部電離，而本征激發(fā)還不重要，T升高，晶格震動(dòng)散射加劇，電阻升高； ? 高溫區(qū)，本征激發(fā)起主要作用， T升高，本征激發(fā)明顯，電阻下降。 ? 如果以適當(dāng)波長的光照射該樣品的一側(cè)，同時(shí)假定在照射面的薄層內(nèi)光被全部吸收，那么在表面薄層內(nèi)就產(chǎn)生了非平衡載流子，而內(nèi)部沒有光注入，這樣由于表面和體內(nèi)存在了濃度梯度，從而引起非平衡載流子由表面向內(nèi)部擴(kuò)散。 霍爾電場在半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生的電壓稱為 霍爾電壓 VH。 ? 半導(dǎo)體內(nèi)的散射過程。 空穴擴(kuò)散電流密度： pp x d ifdpJ e Ddx?? Dp稱為空穴擴(kuò)散系數(shù)，單位為 cm2/s 其值為正。有效質(zhì)量越小，遷移率就越大。單位 cm2/Vs * ( 5 . 1 0 )pdvF m e Edt??空穴的加速度與外力如電場力之間的關(guān)系： * ( 5 . 1 1 )pe E tvm?設(shè)初始漂移速度為 0，則對(duì)上式積分： 遷移率如何計(jì)算，它與什么物理量有關(guān)？ 6 遷移率 ? 電場對(duì)載流子的作用 * ( 5 . 1 2 a )cpd p e a kpevEm???? ????令 τ cp表示兩次碰撞之間的平均時(shí)間： 7 遷移率 ? 空穴遷移率 ? 電子遷移率 *= ( 5 . 1 3 )d p c pppveEm?? ?*=
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