【正文】 ；務(wù)程序 GOTO CLR_RBIF ； RBX不是 “ 1”，置 RBIF為 “ 0” CLR_RBIF ； MOVF PORTB,1 ；讀 RB端口 BCF INTCON,RBIF ；置 RBIF為 “ 0” GOTO INT_RET ；處理完畢返回 OTHER_INT ；其他中斷 : INT_RET : ；恢復(fù)現(xiàn)場 RETFIE ；中斷返回 中斷服 務(wù)程序 ；執(zhí)行由 RBx產(chǎn)生的中斷服務(wù)程序 4． PORTB相關(guān)的寄存器 地址 寄存器名 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 06H、 106H PORTB 86H、 186H TRISB 0輸出 1輸入 81H、 181H OPTION RBUF ?PORTB端口寄存器在體 1（ 06H）和體 3（ 106H）中。 RC RC3 I/O電路結(jié)構(gòu) 外圍數(shù)據(jù)輸出 施 密 特 觸 發(fā) 器 RC RC3 I/O 電路結(jié)構(gòu)是在 RC7~RC RC2～ RC0 I/O電路結(jié) 構(gòu)基本上，為擴(kuò)大對外圍 輸入信號的兼容，通過對 同步串行狀態(tài)寄存器 D6 位 CKE的設(shè)置 (P261)， 當(dāng) CKE為 “ 1”，選擇輸入 的是 SMBUS電平的信號； 當(dāng) CKE為 “ 0”，選擇輸入 的是符合 CMOS電平的信 號。 ? 同樣 RC4和 RC3當(dāng)用于外圍模塊實現(xiàn) I2C通信時， TRISC[4： 3]必須設(shè)置為“ 1”，即 RC RC3工作在輸入狀態(tài)。 D Q CK D Q CK Q Q D EN VDD DATA BUS WR PORT WR TRIS RD PORT RD TRIS U1 U2 U3 I/O位 方向寄存器 輸入 數(shù)據(jù) 鎖存 器 輸出數(shù)據(jù)鎖存器 3。在中斷服務(wù)程序中通過對 INTCON中的RBIF位執(zhí)行置“ 0”操作。若 TRISB對應(yīng)位設(shè)置為“ 0”，則對應(yīng)位工作為輸出（輸出為輸出數(shù)據(jù)鎖存器中的狀態(tài)）；若TRISB對應(yīng)位設(shè)置為“ 1”，則對應(yīng)位工作為輸入。已知每個 I/O端口可提供的最大電流為 20mA，超過這電流極限可能導(dǎo)致電路損壞。由于在執(zhí)行完 BSF PORTA ，4 指令后，隨之就執(zhí)行 BSF PORTA ， 5。 PORTA所對應(yīng)的 I/O位工作為輸出時，當(dāng)對 I/O位執(zhí) 行 寫操作 時，實際執(zhí)行的操作過程是 “讀 —修改 —寫”， 即 先讀 PORTA各 I/O口的電平，對指定的 I/O位修改后，再將 修改后的數(shù)據(jù)寫入到輸出數(shù)據(jù)鎖存器中鎖存。 ADC控制寄存器 ADCON1 P340 Bit3 Bit0/PCFG3PCFG0: A/D轉(zhuǎn)換引腳功能選擇位。 V P143 PIC單片機(jī) 端口引腳可 直接驅(qū)動小 型繼電器等 25mA 即使二極管導(dǎo)通是理想的，仍 然存 (硅 )或 (鍺 )的飽和 導(dǎo)通壓降，同樣導(dǎo)致 I/O端口超 壓。 禁止數(shù)字輸入端處于懸空狀態(tài) RA4 CPU RS485 RE DE TX RX 輸入端的處理 D Q CK Q D Q CK Q + amp。 EN為“ 0”，表示選中 8259和 CPU之間的數(shù)據(jù)緩沖器， CPU通過數(shù)據(jù)總線緩沖器讀取 8259的工作狀態(tài)。 5V “1” “0” 輸入 ST、輸出 OC PNP NPN VCC I RA4/TOCKI : 輸入 ST（施密特觸發(fā)器） 輸出 OC VOUT VIN 上升沿閾值 下降沿閾值 信號經(jīng)過 上升沿閾 值 時，輸出變高。 U3輸入鎖存器必須在 讀信號的作用下，才能將輸入 的數(shù)據(jù)鎖存。輸入端電壓超過 ， D1二極管導(dǎo)通，輸入端電 壓鉗位在 5V+。 RA4/TOCKI : +3 +1 TOCKI：定時器 0時鐘輸入端。 同時上拉電阻使總線在此瞬間為穩(wěn)定的高電平。同時外界的干擾通過高輸入阻抗的輸入端，導(dǎo)致內(nèi)部電路工作（ U4施密特觸發(fā)器輸入）產(chǎn)生額外的功耗，因此在 硬件電路設(shè)計時必須避免輸入端懸空 。 V=L (di/dt) 圖中通過保護(hù)電路的瞬態(tài)電流，含有高頻的干擾電流，且瞬時值較大，這個瞬態(tài)電流它會通過線路形成較強(qiáng)的電磁輻射，成為一個干擾源。 模擬信號的輸入 幅值可在 0～ 5Ｖ之間，也可以 懸空 ， 不論何種狀態(tài)都不會因內(nèi)部電路導(dǎo)致功耗加大。 寫： 將指定修改后的 I/O位及端口中其余未修改的 I/O 位，再寫入到各 I/O的輸出鎖存器中鎖存輸出。 V RA3 RA4 RA5 CPU LED1 LED2 C1 C2 T1 解決 C1充電問題是將電阻加到 RA4端口。 EMC（ Electro Magic Compatibility） 靜電磁兼容 ? 人體放電模型是 LCR， L常常被忽略，但 L決定了放電電流的上升時間， R的范圍是 500~10K范圍，取決于人體的哪一部分，手指放電 R為 10K；手掌放電 R為 1K；若用手握住金屬體 R為 500。上電復(fù)位 時，弱上拉禁止。即 CPU平常工作在低功耗的休眠狀態(tài)，一旦 有鍵按下， CPU即可被喚醒，實現(xiàn)了低功耗的工作 方式。 ?TRISB方向寄存器在體 2（ 86H）和體 4（ 186H）中。 當(dāng) RC4和 RC3用于 I2C 通信時， TRISC[4:3]必 須設(shè)置為 “ 1”，將 SDA和 SCL設(shè)置為輸入。 ? CKE為“ 1”選擇輸入的是 SMBUS電平的信號； ? CKE為“ 0”選擇輸入的是符合 CMOS電平的信號。 MOVF PORTB,1 ② 中斷服務(wù)程序執(zhí)行完，在返回主程序時執(zhí)行讀 RBX，這 樣就避免了下降沿所產(chǎn)生的錯誤中斷。 ②。 RB7~RB0工作為輸入 /輸出的狀態(tài)，必須通過對方向寄存器 TRISB的設(shè)置。引腳端口的 ESD保護(hù) 輸入端的鉗位二極管主要作用是保護(hù)引腳內(nèi)部免遭 ESD所造成的破壞。若 CPU的工作時鐘頻率足夠高（ 20MHz = ，執(zhí)行一條指令所需要的時間為 * 4 = ），由于指令執(zhí)行所需的時間非常小，此時若導(dǎo)線足夠長和導(dǎo)線截面積較小，當(dāng)由導(dǎo)線產(chǎn)生的 C1分布電容較大時，由 RA4輸出的邏輯“ 1”通過導(dǎo)線對 C1進(jìn)行充電（ 邏輯“ 1” ，對 COMS VOH_MIN = VCC – ； IOH ≤ 20 μ A）到邏輯“ 1”，所需要的時間可能大于或等于 。 當(dāng) TRISA i設(shè)置為 “ 0”，表示所對應(yīng)的 PORTAi端口工作為 輸出 ； 所有寫 I/O引腳的操作，其執(zhí)行過程為 “ 讀 修改 寫 ” 。 RA端口若用戶希望工作在數(shù)字 I/O，則必須在程序初始化時通過對 ADCON1寄存器 ((9FH)=07H） 的設(shè)置，使這些 I/O位工作在數(shù)字的 I/O狀態(tài)，否則用戶無法讀到各引腳的邏輯狀態(tài)（“ 0”和“ 1”）。 若反向電動勢較大，則導(dǎo)致 內(nèi)部鉗位二極管的損壞，I=V/R最后導(dǎo)致 IC的損壞。 PORTA所對應(yīng)的 I/O位工作為輸入時，各輸入寄存器鎖存的是所對應(yīng) I/O引腳上的邏輯狀態(tài)。 RA0 CPU RS485 RE DE TX RX 圖中 SP/EN接上拉電阻使 8259在初始化時 SP/EN為高電平，確保 CPU通過數(shù)據(jù)總線對 8259執(zhí)行正確的寫操作。 方向寄存器 輸入數(shù)據(jù)鎖存器 輸出數(shù)據(jù)鎖存器 （ ） I/O位 （ ） 0V RA4內(nèi)部 接了下鉗 位二極管， 所以只需 外接上鉗 位二極管 。 ∧ Q D EN VDD DATA BUS WR PORT WR TRIS RD PORT TO AD RD TRIS Analog Input Mode TTL Input bufer P N U1 U2 U3 T1 T2 輸入 ：方向寄存器 TRISA=1 U2Q=1 T1截止 U2Q=0 T2截止 I/O端口為 高阻 ，此時工作在 輸入。 2。 計數(shù)器 RA4/TOCKI 上拉 /下拉電阻 VD IOL IIL R IOL =（ VD / R） + IiL I/O 上拉電阻最小值： 上拉電阻最小值將由輸出低電平時 的電流 IOL決定，它是上拉電阻提供的 電流 VD/R和負(fù)載 IiL的灌流電流和。 上拉電阻一般為 3~10KΩ Z0 R R=Z0 并聯(lián)阻抗匹配 入 射 波 終 端 匹 配 法 Z0 V R1 R2 Z0=R1//R2 并聯(lián)阻抗匹配 Z0 R C RC傳輸線時延的兩倍 當(dāng) RC信號周期時， RC終 端匹配比分路終端法功耗小 R=Z0 入 射 波 終 端 匹 配 法 Td = L（ √ε ） C ； Td 是信號通過長度為 L的傳輸線所產(chǎn)生的時延 2。 D Q CK Q D Q CK Q amp。 因此必須將保護(hù)電路同繼電 器緊緊放在一起。 數(shù)字 I/O懸空時將使內(nèi)部電路功耗加大 。 ? D Q CK Q D Q CK Q + ∧ ∧ Q D EN VDD DATA BUS WR PORT WR TRIS RD PORT TO AD RD TRIS Analog Input Mode TTL Input bufer P N U1 U2 U3 T1 T2 I/O位 方向寄存器 TRISA 輸入數(shù)據(jù)鎖存器 輸出數(shù)據(jù)鎖存器 I/O端口鉗位二極管保護(hù) 讀 寫 1 3 注意：即使是寫 一位，首先也是 對一個端口執(zhí)行 讀操作。 解決 T1導(dǎo)通 BE為 題是在基極加電阻。 電磁兼容原理與設(shè)計技術(shù) 楊克俊 郵電出版社 P206 ? 1976年科克（ Kirk）等人提出的測量方法具有代表意義。 所謂弱上拉，即引腳 內(nèi)部的 P型場效應(yīng)管， 當(dāng) RBPU的設(shè)置為 “ 0” 時， P型場效應(yīng)管相當(dāng)于 是一個大阻值電阻。 例： RB0/INT中斷初始化 BSF SATAUS ， RP0 ；設(shè)置 RP0為“ 1”，選擇體 1。 ?RBUF=0 允許上拉、 RBUF=1禁止上拉 ?因此在設(shè)置各端口的輸入 /輸出方式時，必須注意體的選擇。 SMBUS（ system Management BUS）詳見 I2C總