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正文內(nèi)容

芳香族親電取代的定位規(guī)律(留存版)

  

【正文】 5 . 2 %2 0 0 ℃實(shí)例 1: 實(shí)例 2: C H3C H3C H ( C H3)2C H2= C H C H3C H3C H ( C H3)2C H ( C H3)2C H3C H2= C H C H3C H3C H ( C H3)2C H3C H ( C H3)2C H ( C H3)2C H3A l C l3, 0 ℃3 4 % 2 5 %4 1 %A l C l3, 1 1 0 ℃1 ~ 2 % 6 5 ~ 7 0 % 2 8 ~ 3 0 %? 催化劑 ( 1) 改變 E+的電子效應(yīng)或空間效應(yīng)。 . 環(huán)上已有取代基的定位規(guī)律 苯環(huán)上取代定位規(guī)律 ? 已有取代基的電子效應(yīng) ? 已有取代基的空間效應(yīng) ? 親電試劑的電子效應(yīng) ? 親電試劑的空間效應(yīng) ? 新取代基的空間效應(yīng) ? 反應(yīng)的可逆性 ? 反應(yīng)條件的影響 誘導(dǎo)效應(yīng)( I): 由電負(fù)性大小決定。F + K3 BF3 Ar H H 表 甲苯 氯化 反應(yīng)中親電試劑對(duì)異構(gòu)體比例的影響 反應(yīng)條件 反應(yīng)試劑 異構(gòu)產(chǎn)物比例,% 鄰位 間位 對(duì)位 Cl2(CH3CN,25℃) Cl2 (可能與乙腈配位) HClO,HClO4(H2O,25℃ ) Cl+ 新取代基的空間效應(yīng) 新取代基的體積越大,鄰位異構(gòu)體產(chǎn)物越少。 過(guò)量百分?jǐn)?shù)= 例: %7%10025 ??? ??化學(xué)計(jì)量比 1 2 投料摩爾數(shù) 5 投料摩爾比 1 C l2 H N O 3+2 H 2 OC lN O 2N O 2+限制反應(yīng)物 過(guò)量反應(yīng)物 硝酸過(guò)量百分之多少? 硝酸的過(guò)量百分?jǐn)?shù)= 轉(zhuǎn)化率( X) 某一反應(yīng)物 A反應(yīng)掉的量 nA,r占其投料量nA,in的百分?jǐn)?shù)叫做 反應(yīng)物 A的轉(zhuǎn)化率 XA。 100 100%= 39% X總 = (100- 61)247。 ? 已有一個(gè) 第二類(lèi)取代基 N O 2 N O 2E N O 2EE ++ 使苯環(huán) 鈍化 ,新取代基進(jìn)入 異環(huán)的 α位 。 ZHEHEZHEZHEZZH EZH EZH EZH E? 有 I, +T,且 |I||+T|: 如 F,Cl,Br,I等 ( 1)總效果使苯環(huán)電子云密度降低; ( 2)使取代基鄰、對(duì)位電子云密度低于間位; ( 3) 鄰、對(duì)位定位基 。精細(xì)有機(jī) 合成反應(yīng) 消除反應(yīng) 被消除原子或原子團(tuán)位置 重排反應(yīng) 發(fā)生重排原子(團(tuán))位置 取代反應(yīng) 反應(yīng)試劑的性質(zhì) 反應(yīng)物分子中 CH鍵斷裂方式 親核取代 親電取代 游離基取代 加成反應(yīng) 加成的基本途徑 α 消除 β 消除 分子內(nèi)重排 分子間重排 環(huán)加成 親電加成 游離基加成 親核加成 進(jìn)行方式 芳香族親電取代的定位規(guī)律 ? 反應(yīng)歷程 ? 環(huán)上已有取代基的定位規(guī)律 ? 苯環(huán)上取代定位規(guī)律 ? 苯環(huán)上已有兩個(gè)取代基時(shí)的定位規(guī)律 ? 萘環(huán)的取代定位規(guī)律 ? 蒽醌環(huán)的取代定位規(guī)律 反應(yīng)通式: RH + Z+ RZ + H+ RH + ZY RZ + HY 反應(yīng)歷程 ? 經(jīng)過(guò) σ 絡(luò)合物中間產(chǎn)物的兩步歷程 k 1 H 第一步 : Ar H + E + Ar + k 1 E H k 2 第二步 : Ar + Ar E + H + E 預(yù)測(cè):三種方式 ( 1)先經(jīng)過(guò) σ 絡(luò)合物,再脫去 H+的 兩步歷程 ( 2)親電質(zhì)點(diǎn)進(jìn)攻前,質(zhì)子已經(jīng)脫落的 單分 子歷程 ArH Ar + H+ ( 3) E+的進(jìn)攻合 H+的脫落同時(shí)發(fā)生的 一步歷程 ArH+ E+ Ar
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