【正文】 q39。按 C、 H元素的數(shù)目排序，以 C為先，當(dāng) C的數(shù)目相同時(shí)再按 H的數(shù)目排列。 ?λ（ Cu ， Kα2） = 197。 X射線的產(chǎn)生 特征 X射線 ? Kα X射線： ? K層電子被擊出， L層電子躍遷到 K層，輻射出的 X射線 ? Kβ X射線 ? M 層 → K層 ? Kγ X射線 ? N層 →K層 ? ….. ? Cu靶 Kα射線： ?λ（ Cu ， Kα1） = 197。 ? (i) 平行六面體對(duì)稱性和點(diǎn)陣對(duì)稱性一致 ? (ii)平行六面體各棱之間直角數(shù)目盡量多 ? (iii)遵守以上兩條后，平行六面體體積盡量小 點(diǎn)陣、格子、結(jié)構(gòu)基元 （ 5） 布拉維 (Brarisa)法則 ? 、 、 、 α、 β 、 γ ? 布拉維法則限制下所劃分的平行六面體的邊長 、 、 及夾角 α、 β 和 γ b?a?c?b?a?c?點(diǎn)陣、格子、結(jié)構(gòu)基元 （ 6）點(diǎn)陣參數(shù) 晶體 點(diǎn)陣、格子、結(jié)構(gòu)基元 空間點(diǎn)陣與晶體 晶胞中的微粒、晶棱和晶面指標(biāo) 晶系 晶體幾何學(xué)基本知識(shí) （ 1）晶胞 （ 2）研究晶體結(jié)構(gòu)的實(shí)質(zhì) （ 3）晶面 （ 4）晶棱 （ 5）晶體與點(diǎn)陣的對(duì)應(yīng)關(guān)系 晶胞參數(shù)表示 ? 空間格子對(duì)應(yīng)實(shí)際晶體的部位，則稱為晶胞。 ? 需要連續(xù)不斷地抽真空 – 固定式靶 ? 永久密封的，不需要真空泵。L Hanawalt組的劃分 ? Hanawalt索引法的 d值是按強(qiáng)度次序排列的，而多晶 X射線衍射中的擇優(yōu)取向難于避免，相對(duì)強(qiáng)度的實(shí)際次序有可能因此而被破壞。 晶粒 200nm 每一個(gè)晶粒中晶面數(shù)目減少 衍射線條彌散而產(chǎn)生明顯寬化 晶粒越小衍射線條的寬化就越嚴(yán)重，使衍射線強(qiáng)度在 2θ??θ范圍內(nèi)有一個(gè)較大分布 測(cè)量晶粒大小的依據(jù) 晶粒大小與衍射線寬化程度的關(guān)系 謝樂方程 謝樂方程 ? λ—— X射線波長， nm ? Θ(hkl)—— 布拉格角（半衍射角） ? B(hkl)—— 衍射線的本征加寬度，又稱晶粒加寬。 ? W對(duì)于 N相體系，表示各相的質(zhì)量分?jǐn)?shù) ??????Nq*qqNqqqq*M μw/ ρμwμ11 2. 單相體系的強(qiáng)度公式 / μKμ/AKμAVFDJLpr πλcmeIIjjCjjjjjj ??? 228 0022342402802234240AVFDJLpr πλcmeIKCjjjjjj ? 3. 多相體系的強(qiáng)度公式 ? 衍射強(qiáng)度與質(zhì)量分?jǐn)?shù)的關(guān)系 wq N相之中第 q相的質(zhì)量分?jǐn)?shù) *Mqqq ,jq ,jμρwKI ? 4. 分析方法 ? 定量分析的難點(diǎn)： – 樣品的質(zhì)量吸收系數(shù) – 其數(shù)值與樣品的組成有關(guān) – 對(duì)于待測(cè)樣品，在一般情況下是未知的 ? 圍繞解決的各種途徑，產(chǎn)生了相應(yīng)的定量相分析的各種方法： – 外標(biāo)法 – 內(nèi)標(biāo)法 – 無標(biāo)樣相定量 – 參比強(qiáng)度法 *Mqqq ,jq ,j μρwKI ? 內(nèi)標(biāo)法 ? 在 N相體系中加入一定量樣品中不存在的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) S相（標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)應(yīng)結(jié)晶完好，晶粒度合適），混合均勻之后樣品由原 N相變成（ N+1）相 *Mqqq ,jq ,j μρwKI39。 – 當(dāng)今已儲(chǔ)備了相當(dāng)多物相的 dI/I1數(shù)據(jù)，若未知物在儲(chǔ)備范圍內(nèi)，物相分析工作即是實(shí)際可行 ? X射線衍射可以對(duì)多種物相共存的體系進(jìn)行全分析 –每個(gè)物相產(chǎn)生的衍射將獨(dú)立存在，互不相干 –該物質(zhì)衍射實(shí)驗(yàn)的結(jié)果是各個(gè)單相衍射圖譜的簡單疊加 2 JCPDS卡片介紹 ? JCPDS – Joint Committee Powder Diffraction Standard – 1972年之后，美國、英國、法國和加拿大等國組成聯(lián)合機(jī)構(gòu)整理匯編 第 1區(qū) 1a、 1b、 1c和 1d表明此卡片記載的物相在 2θ90?的區(qū)間中最強(qiáng)的三個(gè)衍射峰的 d值和本實(shí)驗(yàn)收集到的最大 d值 第 1~24組卡片的形式 第 4區(qū) 晶體學(xué)數(shù)據(jù) 第 3區(qū) 衍射的實(shí)驗(yàn)條件 第 5區(qū) 物性數(shù)據(jù)和光學(xué)熱學(xué)性質(zhì) 第 6區(qū) 樣品來源和簡單化學(xué)性質(zhì) 第 7區(qū) 樣品的英文化學(xué)名稱及分子式 第 8區(qū) 樣品的結(jié)構(gòu)式及英文礦物名稱 第 9區(qū) 在上述實(shí)驗(yàn)條件下收集到的全部衍射的 d、 I/I1和 hkl值 第 10區(qū) 卡片編號(hào)數(shù)字 第 11區(qū) 卡片質(zhì)量評(píng)定記號(hào) 第 2區(qū) 2a、 2b、 2c、 2d是上述各衍射峰相對(duì)應(yīng)的強(qiáng)度，最強(qiáng)峰定為 100 第 25組及以后卡片的形式 3 卡片集索引 ? 字母索引 ? 數(shù)字索引 – Hanawalt法 – Fink法 ? 依照化合物的英文名稱按字母順序編排的（編排方式與英文字典相同） ? 每個(gè)物相占一個(gè)條目。D ?是晶體的基本重復(fù)單位 ： ?晶胞三個(gè)邊長（基本向量） a、 b、 c及三邊夾角 α、 β、 γ ?描述晶胞的大小和形狀 =點(diǎn)陣參數(shù) 晶體結(jié)構(gòu) = 點(diǎn)陣 + 結(jié)構(gòu)基元 =空間格子（平行六面體） + 結(jié)構(gòu)基元 = 晶胞 空間點(diǎn)陣 （無限） 空間格子 陣點(diǎn) 點(diǎn)陣單元 平面點(diǎn)陣 直線點(diǎn)陣 點(diǎn)陣參數(shù) 抽象 晶體 （有限） 晶格 結(jié)構(gòu) 基元 晶胞 晶面 晶棱 晶胞 參數(shù) 具體 晶體 點(diǎn)陣、格子、結(jié)構(gòu)基元 空間點(diǎn)陣與晶體 晶胞中的微粒、晶棱和晶面指標(biāo) 晶系 晶體幾何學(xué)基本知識(shí) （ 1）晶胞二個(gè)要索 （ 2）微粒的分?jǐn)?shù)坐標(biāo) （ 3）晶面及晶面指數(shù) （ 4）干涉指數(shù)及晶面間距 、型式 ?大?。河删О麉?shù)確定 ?型式：指晶胞是素晶胞還是復(fù)晶胞 ?晶胞中原子的種類、數(shù)目和位置 晶體 點(diǎn)陣、格子、結(jié)構(gòu)基元 空間點(diǎn)陣與晶體 晶胞中的微粒、晶棱和晶面指標(biāo) 晶系 晶體幾何學(xué)基本知識(shí) （ 1）晶胞二個(gè)要索 （ 2）微粒的分?jǐn)?shù)坐標(biāo) （ 3）晶面及晶面指數(shù) （ 4）干涉指數(shù)及晶面間距 晶胞中的微粒、晶棱和晶面指標(biāo) （ 2）微粒的分?jǐn)?shù)坐標(biāo) ? 晶胞中原子 P 的位置用向量 OP代表 ? x、 y、 z就是分?jǐn)?shù)坐標(biāo) ? x≤ y≤ z≤1 czbyax ??? ?????? 例：求 CsCl晶胞的內(nèi)容立方格子 (假設(shè)晶胞對(duì)應(yīng)的格子為立方格子 ) CsCl晶胞實(shí)際具有的離子為 ? 1個(gè) Cl離子 – 分?jǐn)?shù)坐標(biāo) (0,0,0) ? 1個(gè) Cs+離子 – 分?jǐn)?shù)坐標(biāo) (1/2,1/2,1/2) ? 晶面 – 連接空間點(diǎn)陣的陣點(diǎn)所構(gòu)成的一系列相互平行的平面 – 晶面一般用晶面指數(shù)（ hkl）來表示 晶面指數(shù) – 又稱晶面指標(biāo)、密勒（ Miller）指數(shù) – 表示為 (hkl) – 用于表示晶面在晶體中的取向 – 通過晶面在三個(gè)晶軸上的截距比值來描述 晶胞中的微粒、晶棱和晶面指標(biāo) （ 3）晶面及晶面指數(shù) 例：求晶面的晶面指數(shù) ? 求晶面指數(shù)的方法： – 空間點(diǎn)陣中 x、 y、 z坐標(biāo)軸系統(tǒng)（用點(diǎn)陣周期a、 b、 c為單位，三軸間夾角為 α、 β、 γ） – 量出晶面在 x、 y、 z軸的截距分別為 pa,qb,rc – 寫出三個(gè)截距的倒數(shù)連比形式 1/p:1/q:1/r – 將三個(gè)倒數(shù)化為三個(gè)互質(zhì)整數(shù) h:k:l – (hkl)即為晶面指數(shù) 解：截距 3a、 3b、 5c 1/3:1/3:1/5 5:5:3 晶面指數(shù)為 （ 553） ? （ hkl）表示一組平行且等距離的晶面 ? 當(dāng)晶面與某坐標(biāo)軸平行、則表示晶面與該軸的截距離為 ?，其倒數(shù)為 0 ? 如果晶面與某坐標(biāo)軸的負(fù)方向相交時(shí)，則在相應(yīng)的指數(shù)上加一負(fù)號(hào)來表示 ? 例（ ）即表示晶面與 y軸的負(fù)方向相交 lkh? ? 晶面間距 – 一族平行晶面中相鄰兩個(gè)晶面間的距離，稱晶面間距 – 表示： d（ hkl） 、 dhkl或 d（ hkl）或 d – 表示（ hkl）晶面中兩相鄰晶面的距離 晶胞中的微粒、晶棱和晶面指標(biāo) （ 4）干涉指數(shù)及晶面間距 ? 干涉指數(shù)（ HKL） – 狹義的晶面指數(shù)，是可帶有公約數(shù)（ n）的晶面指數(shù)，即（ nh nk nl）或 n（ hkl） ? 在晶體中晶面指數(shù)（或干涉指數(shù)）最低的晶面具有最大的晶面間距 – （ 100）、（ 010）或（ 001）的這類晶面的 d（ hkl） 最大 – 立方、四方或正交晶系中， d（ 100） =a、 d（ 010） =b、 d（ 001） = c 晶體 點(diǎn)陣、格子、結(jié)構(gòu)基元 空間點(diǎn)陣與晶體 晶胞中的微粒、晶棱和晶面指標(biāo) 晶系 晶體幾何學(xué)基本知識(shí) 按照晶軸與晶角關(guān)系（盡管點(diǎn)陣各不相同），單位晶胞只有七種，稱為七個(gè)晶系。 ? 求：確定二種 NaCl晶胞的大小和型式 82頂 點(diǎn)面內(nèi)NNNN ??? 188200 ???? 晶體 點(diǎn)陣、格子、結(jié)構(gòu)基元 空間點(diǎn)陣與晶體 晶胞中的微粒、晶棱和晶面指標(biāo) 晶系 晶體幾何學(xué)基本知識(shí) 晶體 點(diǎn)陣、格子、結(jié)構(gòu)基元 空間點(diǎn)陣與晶體 晶胞中的微粒、晶棱和晶面指標(biāo) 晶系 晶體幾何學(xué)基本知識(shí) （ 1）點(diǎn) 陣 （ 2）格 子 （ 3）結(jié)構(gòu)基元 （ 4）十四種空間點(diǎn)陣型式 （ 5） 布拉維法則 （ 6）點(diǎn)陣參數(shù) 一組無限的點(diǎn)，連接其中任意兩點(diǎn)可得一向量，將各個(gè)點(diǎn)按此向量平移能使它復(fù)原，凡滿足這條件的一組點(diǎn)稱為點(diǎn)陣 平移必須按向量平行移動(dòng)，無絲毫轉(zhuǎn)動(dòng) 點(diǎn)陣中每個(gè)點(diǎn)具有完全相同的周圍環(huán)境 ?直線點(diǎn)陣、平面點(diǎn)陣、空間點(diǎn)陣 ?素格子（素單位） ?復(fù)格子（復(fù)單位） 有的點(diǎn)陣點(diǎn)數(shù) 82頂 點(diǎn)面內(nèi)NNNN ??? ?點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)中每個(gè)點(diǎn)陣點(diǎn)所代表的具體內(nèi)容 ?可以是單個(gè)或多個(gè)原子、分子、離子團(tuán) ?通常是晶體的周期重復(fù)最小的部分 ?結(jié)構(gòu)基元是每個(gè)陣點(diǎn)所代表的具體內(nèi)容，陣點(diǎn)是一個(gè)結(jié)構(gòu)基元抽象出的一個(gè)幾何點(diǎn) 3. 晶體結(jié)構(gòu) ＝ 點(diǎn)陣 + 結(jié)構(gòu)基元 晶體 點(diǎn)陣、格子、結(jié)構(gòu)基元 空間點(diǎn)陣與晶體 晶胞中的微粒、晶棱和晶面指標(biāo)