半導(dǎo)體中的材料硅片制作流程概述(完整版)
【正文】 硅（ Si3N4）和聚酰亞胺（一種塑料材料）。 地殼中各元素的含量 硅作為電子材料的優(yōu)點(diǎn) ? 原料充分； ? 硅晶體表面易于生長(zhǎng)穩(wěn)定的氧化層，這對(duì)于保護(hù)硅表面器件或電路的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)很重要； ? 重量輕，密度只有 ； ? 熱學(xué)特性好，線熱膨脹系數(shù)小， 106/℃ ，熱導(dǎo)率高， 載流子：電子， 空穴。 19 化合物半導(dǎo)體 —— GaAs、 InP ? 砷化鎵 等材料的電子遷移率差不多是硅材料的 6倍。同時(shí)，人們還發(fā)現(xiàn)在 微波功率 放大領(lǐng)域，氮化鎵的輸出微波功率比砷化鎵和硅高出一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。 28 晶 圓制備 （ 1） 獲取多晶 ③ 精餾提純 ?將酸洗過(guò)的硅轉(zhuǎn)化為 SiHCl3或 SiCl4， Si + 3HCl （ g） → SiHCl3 ↑ + H2 ↑ Si + 2Cl2 → SiCl4 ↑ 好處： 常溫下 SiHCl3 與 SiCl4都是氣態(tài) ， SiHCl3的沸點(diǎn)僅為31℃ ?精餾獲得高純的 SiHCl3或 SiCl4 29 晶 圓制備 （ 1） 獲取多晶 ④ 還原 多用 H2來(lái)還原 SiHCl3或 SiCl4得到半導(dǎo)體純度的多晶硅： SiCl4 + 2H2 → Si + 4HCl SiHCl3 + H2 → Si + 3HCl 原因： 氫氣易于凈化 ， 且在 Si中溶解度極低 30 晶 圓 制備 （ 2） 單晶生長(zhǎng) 定義 : 把多晶塊轉(zhuǎn)變成一個(gè)大單晶 ， 給予正確的定向和適量的 N型或 P型摻雜 ， 叫做晶體生長(zhǎng) 。 ? 等徑生長(zhǎng) 拉桿與坩堝反向勻速轉(zhuǎn)動(dòng)拉制出等徑單晶。 懸浮區(qū)熔法 是一種 無(wú)坩堝 的晶體生長(zhǎng)方法 ， 多晶與單晶均由夾具夾著 ， 由高頻加熱器產(chǎn)生一懸浮的溶區(qū) ， 多晶硅連續(xù)通過(guò)熔區(qū)熔融 ， 在熔區(qū)與單晶接觸的界面處生長(zhǎng)單晶 。 B2：中子輻照（ NTD）摻雜 48 晶 圓制備 （ 3） 硅片制備 晶體準(zhǔn)備（直徑滾磨、晶體定向、導(dǎo)電類(lèi)型檢查和電阻率檢查） → 切片 → 研磨 → 化學(xué)機(jī)械拋光（ CMP） → 背處理 → 雙面拋光 → 邊緣倒角 → 拋光 → 檢驗(yàn) → 氧化或外延工藝 → 打包封裝 硅片制備工藝流程 （ 從晶棒到空白硅片 ） ： 49 之 前 之 后晶 圓制備（ 3）硅片制備 直徑滾磨 晶體定向 光 源晶 體 的 定 向 確 定是由 x射線衍射或平行光衍射儀來(lái)確定的 50 晶 圓制備 （ 3） 硅片制備 導(dǎo)電類(lèi)型的測(cè)試 ： 熱點(diǎn)測(cè)試儀＆極性?xún)x 電阻率的測(cè)量： 四探針測(cè)試儀 電阻率的測(cè)量要沿著晶體的軸向進(jìn)行 ① 晶體準(zhǔn)備 51 晶 圓制備 （ 3） 硅片制備 ② 如何根據(jù)參考面辨別晶向和導(dǎo)電類(lèi)型 52 之 前之 后之 前之 后晶 圓污 染位 錯(cuò) 線研磨 → 之 前之 后化學(xué)機(jī)械拋光（ CM
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1