半導體中的材料硅片制作流程概述-免費閱讀
【正文】 B： 摻雜方式 46 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 ⑥ 摻雜 將雜質元素先制成硅的合金（如硅銻合金，硅硼合金），再按所需的計量摻入合金。 液體掩蓋直拉法使用一層氧化硼（ B2O3） 漂浮在熔融物上面來抑制砷的揮發(fā) 。 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 34 ① 直拉法 （ CZ法 ） 單晶爐 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 35 ① 直拉法 Czochralski法 （ CZ法） CZ法 工藝流程 準備 腐蝕清洗多晶 → 籽晶準備 → 裝爐 → 真空操作 開爐 升溫 → 水冷 → 通氣 生長 引晶 → 縮晶 → 放肩 → 等徑生長 → 收尾 停爐 降溫 → 停氣 → 停止抽真空 → 開爐 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 36 ① 直拉法 （ CZ法 ） CZ法 工藝流程 —— 生長部分的步驟 ? 引晶 將籽晶與熔體很好的接觸。 ? 石墨 烯與碳納米管等半導體材料。目前在100 GHz左右的 3mm波段多數都用磷化銦器件。但是鍺 的禁帶 寬度為 0 67 V 熱穩(wěn)定性差最高工作溫度只有 85℃ 。 共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子，因此本征半導體中的自由電子很少，所以本征半導體的導電能力很弱。硅中價層電子的數目使它正好位于優(yōu)質導體（ 1個價電子）和絕緣體（ 8個價電子）的中間。 在一般的半導體制造中，鋁是最普遍的導體材料，可以用來充當器件之間的互連線，而鎢可作為 金屬層之間的互連材料。第二章 半導體材料特性 1 提綱 2 原子結構 化學鍵 材料分類 硅 可選擇的 半導體材料 新型半導體電子與光電材料 原子結構 原子由 三種不同的粒子 構成：中性 中子和帶正電的質子組成原子核，以及圍繞原子核旋轉的帶負電核的電子，質子數與電子數相等呈現(xiàn)中性。 銅是優(yōu)質金屬導體的一個例子，逐漸被引入到硅片制造中取代鋁充當微芯片上不同器件之間的互連材料。 11 硅的晶體結構 109186。 15 摻雜硅 在 本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發(fā)生顯著變化 。 ? 硅 具有很多優(yōu)點，地球上儲量豐富，易于提純，熱穩(wěn)定性好，在表面可生長 質量 很高的二氧化硅層，工作溫度可達 160℃ 。 20 —— SiC、 GaN ? 碳化硅 原子束縛能力非常強，禁帶寬度很寬，機械硬度也很高，在 20世紀 80年代 人們逐步掌握了碳化硅晶體的生長技術后， 90年代用于藍光發(fā)光材料，同時以 碳化 硅材料為基礎的電力電子器件和微波功率器件也相繼問世 。 22 幾種常見半導體材料的主要特性 參數 23 更多半導體 ? 有機半導體 ? 非晶半導體 24 第三章 硅片（晶圓）制造流程 25 26 晶 圓 制備的四個步驟 A： 礦石到高純氣體的轉變 （ 石
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1