半導體中的材料硅片制作流程概述-文庫吧在線文庫
【正文】 束縛松散的電子可用于導電，它有很高的禁帶寬度來分隔開價帶電子和導帶電子。28180。 其 原因是摻雜半導體的某種載流子濃度大大增加。硅幾乎成了半導體的代名詞，全球 硅集成電路 年產(chǎn)值在 2400億美元左右。 ? 實驗 表明， 氮化鎵 具有更好的發(fā)光性能，因此藍光發(fā)光領(lǐng)域內(nèi)碳化硅已被 氮化鎵 代替，目前氮化鎵是藍光和白光發(fā)光器件的主流材料。 ② 酸洗 硅不溶于酸 ， 所以粗硅的初步提純是用 HCl、 H2SO 王水 ，HF等混酸泡洗至 Si含量 %以上 。 ? 放肩 將晶體直徑放大至需要的尺寸。 對于有些器件 ， 高水平的氧是不能接受的 。 B2：母合金摻雜 B1：直接摻雜 在晶體生長時，將一定量的雜質(zhì)原子加入熔融液中，以獲得所需的摻雜濃度 47 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 ⑥ 摻雜 ?硅有三種同位素： 28Si % , 29Si % ,30Si %，其中 30Si有中子嬗變現(xiàn)象： 30Si 31Si+α 31Si 31P+β ?31P是穩(wěn)定的施主雜質(zhì)，對單晶棒進行中子輻照，就能獲得均勻的 n型硅。 43 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 ⑥ 摻雜 直拉法摻雜是直接在坩堝內(nèi)加入含雜質(zhì)元素的物質(zhì)。 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 37 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 ① 直拉法 （ CZ法 ） Si棒頭部放大 38 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 ② 液體掩蓋直拉法（ LEC法） 液體掩蓋直拉法 用來生長砷化鎵晶體 。 起源 1918年由 Czochralski從熔融金屬中拉制細燈絲 ， 50年代開發(fā)出與此類似的直拉法生長單晶硅 ， 這是生長單晶硅的主流 技術(shù) 。 ? 金剛石 具有最大的禁帶寬度、最高的擊穿場強和最大的熱導率，被稱為最終 的半導體 。目前砷化鎵是化合物半導體的主流材料，全球砷化鎵高頻電子器件 和電路 的年產(chǎn)值 24億美元 。 16 N型 硅 多余電子 磷原子 硅原子 Si P Si Si 17 P型硅 空穴 硼原子 Si Si Si B 硅原子 18 可選擇的半導體材料 元素半導體 —— Ge、 Si ? 最初大量使用的半導體材料是 鍺 。純硅的原子通過共價鍵共享電子結(jié)合在一起。 圓片制造中最重要的半導體材料是硅。束縛電子同時受兩個原子的約束，如果沒有足夠的能量，不易脫離軌道 。 價電子層： 原子 最外部的電子層就是價電子層，對原子的化學和物理性質(zhì)具有顯著的影響，只有一個價電子的原子很容易失去這個電子，有 7個價電子的原子容易得到一個電子，具有親和力。 半導體制造中的絕緣體包括二氧化硅（ SiO2）、氮化
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1