離子注入ppt課件(2)(完整版)
【正文】 ?2. 在 N型 〈 111〉 襯底硅片上，進(jìn)行硼離子注入，形成PN結(jié)二極管。 ? 離子的平均投影射程 RP為 其中 N為入射離子總數(shù)， RPi為第 i個離子的投影射程 ? 離子投影射程的平均標(biāo)準(zhǔn)偏差△ RP為 其中 N為入射離子總數(shù) Rp 為平均投影射程 Rpi為第 i個離子的投影射程 ? ? 2,P P iPRRRN????? 離子注入濃度分布 LSS理論描述了注入離子在無定形靶中的濃度分布為高斯分布其方程為 其中 φ為注入劑量 χ為離樣品表面的深度 Rp為平均投影射程 △ Rp為投影射程的平均標(biāo)準(zhǔn)偏差 ? 離子注入的濃度分布曲線 ? 離子注入濃度分布的最大濃度 Nmax 從上式可知， 注入離子的劑量 φ越大，濃度峰值越高 從濃度分布圖看出， 最大濃度位置在樣品內(nèi)的平均投 影射程處 ? 離子注入結(jié)深 Xj m a xj p pB2 l nNx R RN??? ? ? ????其中 NB為襯底濃度 ? RP和△ RP的計算很復(fù)雜，有表可以查用 入射能量 （ KEV） 注入的離子 20 40 60 80 100 120 140 160 180 B RP 662 1302 1903 2465 2994 3496 3974 4432 4872 ?RP 283 443 556 641 710 766 813 854 890 P RP 253 486 730 891 1238 1497 1757 2022 2279 ?RP 119 212 298 380 456 528 595 659 719 As RP 159 269 374 478 582 686 791 898 1005 ?RP 59 99 136 172 207 241 275 308 341 （一）各種離子在 Si中的 Rp和△ Rp 值 (197。 ? 離子注入的優(yōu)點(diǎn)： 5. 沾污少 質(zhì)量分離技術(shù)產(chǎn)生沒有沾污的純離子束， 減少了由于雜質(zhì)源純度低帶來的沾污，另外低溫工藝也減少了摻雜沾污。第八章：離子注入 摻雜技術(shù)之二 引 言 ? 離子注入的概念： 離子注入是在高真空的復(fù)雜系統(tǒng)中，產(chǎn)生電離雜質(zhì)并形成高能量的離子束，入射到硅片靶中進(jìn)行摻雜的過程。 6. 橫向擴(kuò)散小 離子注入具有高度的方向性，雖然散射會引起一定橫向雜質(zhì)分布，但橫向尺度遠(yuǎn)小于擴(kuò)散。) （二）各種離子在 光刻膠 中的 Rp和△ Rp 值 (197。已知襯底摻雜濃度為 1 1015cm3，注入能量： 60KEV，注入劑量： ，試計算硼離子注入分布的最大摻雜濃度 Nmax和注入結(jié)深。 ? 閾值電壓調(diào)整注入 ? NMOS閾值電壓公式： QBm＝ q不同的離子具有不同的質(zhì)量與電荷（如 BF3→ B＋ 、 BF2＋ 等），因而在離子分析器磁場中偏轉(zhuǎn)的角度不同，由此可分離出所需的雜質(zhì)離子。 硅片冷卻 防止離子注入使硅片溫度升高導(dǎo)致光刻膠變性。 列舉抑制溝道效應(yīng)的 4種方法 。 4. 在 P型 〈 100〉 襯底硅片上 ， 進(jìn)行 As離子
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