《離子注入》ppt課件 (2)-全文預(yù)覽
【正文】 熱載流子能力。 優(yōu)點(diǎn)： 雜質(zhì)濃度分布基本不發(fā)生變化 離子注入的應(yīng)用 ? 在先進(jìn)的 CMOS 工藝中，離子注入的應(yīng)用： 1. 深埋層注入 2. 倒摻雜阱注入 3. 穿通阻擋層注入 4. 閾值電壓調(diào)整注入 5. 輕摻雜漏區(qū)（ LDD）注入 6. 源漏注入 7. 多晶硅柵摻雜注入 8. 溝槽電容器注入 9. 超淺結(jié)注入 10. 絕緣體上的硅（ SOI）中的氧注入 ? 閂鎖效應(yīng)（ LatchUp） ? 深埋層注入 ? 高能（大于 200KEV）離子注入，深埋層的作用：減小襯底橫向寄生電阻，控制 CMOS的閂鎖效應(yīng) ? 倒摻雜阱注入 ? 高能量離子注入使阱中較深處雜質(zhì)濃度較大，倒摻雜阱改進(jìn) CMOS器件的抗閂鎖和穿通能力。 沿 110晶向的硅晶格視圖 ? 控制溝道效應(yīng)的方法 1. 傾斜硅片 ：保證很短距離發(fā)生碰撞 常用方法，一般 MOS工藝傾斜 7o 陰影效應(yīng)、橫向摻雜、超淺結(jié)注入不起作用 2. 緩沖氧化層 ：離子通過(guò)氧化層后，方向隨機(jī)。 1. 已知某臺(tái)離子注入機(jī)的束斑為 、束流為、注入時(shí)間為 16ms，試計(jì)算硼離子（ B+）注入劑量。) 入射能量 （ KEV） 注入的離子 20 40 60 80 100 120 140 160 180 B RP 622 1283 1921 2528 3140 3653 4179 4685 5172 ?RP 252 418 540 634 710 774 827 874 914 P RP 199 388 586 792 1002 1215 1429 1644 1859 ?RP 84 152 216 276 333 387 437 485 529 As RP 127 217 303 388 473 559 646 734 823 ?RP 43 72 99 125 151 176 201 226 251 （四）各種離子在 Si3N4中的 Rp和△ Rp 值 (197。 ? 投影射程示意圖 第 i個(gè)離子在靶中的射程 Ri和投影射程 Rpi ? 平均投影射程 離子束中的各個(gè)離子雖然能量相等但每個(gè)離子與靶原子和電子的碰撞次數(shù)和能量損失都是隨機(jī)的，使得能量完全相同的同種離子在靶中的投影射程也不等，存在一個(gè)統(tǒng)計(jì)分布。單位：離子每平方厘米 其中 I為 束流 ，單位是安培 t為注入時(shí)間，單位是秒 q為電子電荷，等于 10－ 19庫(kù)侖 n為每個(gè)離子的電荷數(shù) A為注入面積，單位為 cm2 — 束斑 ? 注入能量 ? 離子注入的能量用電子電荷與電勢(shì)差的乘積來(lái)表示。 4. 摻雜溫度低 注入可在 125℃ 以下的溫度進(jìn)行，允許使用不同 的注入阻擋層（如光刻膠）增加了工藝的靈活性。有些特殊的摻雜（如小劑量淺結(jié)摻雜、深濃度峰分布摻雜等）擴(kuò)散是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，而離子注入?yún)s能勝任。
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