離子注入ppt課件(2)-免費閱讀
【正文】 3. 解釋離子注入之后進(jìn)行熱退火的作用 。 一般需采用特殊高溫光刻膠作為離子注入掩蔽層。 通過調(diào)節(jié)磁場大小選擇特定的離子 22 smVrqB?3. 加速管 加速管用來加速正離子以獲得更高的速度（即動能）。NB 1 4 21 9 30 .4 0 .4 5 1 0 3 .6 1 0556M A X PcmN c mRA??????? ? ? ?? ?? ?1 9 3 1 5 32 l n1903 556 2 l n 10 104450j P P M A X Bx R R N NA A c m c mA?????? ? ?? 離子注入效應(yīng) 1. 溝道效應(yīng) 2. 注入損傷 3. 離子注入退火 ? 溝道效應(yīng) 當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時（見下圖）就發(fā)生了溝道效應(yīng)。) 入射能量 （ KEV） 注入的離子 20 40 60 80 100 120 140 160 180 B RP 2267 4587 6736 8721 10569 12305 13947 15511 17007 ?RP 475 763 955 1095 1202 1288 1359 1420 1472 P RP 866 1654 2474 3320 4182 5053 5927 6803 7675 ?RP 198 353 499 636 765 886 999 1104 1203 As RP 673 1129 1553 1966 2375 2783 3192 3602 4015 ?RP 126 207 286 349 415 480 543 606 667 （三）各種離子在 SiO2中的 Rp和△ Rp 值 (197。 ? 離子注入的缺點： 1. 高能雜質(zhì)離子轟擊硅原子將產(chǎn)生晶格損傷 使用二氧化硅注入緩沖層 高溫退火修復(fù)損傷 2. 注入設(shè)備復(fù)雜昂貴 離子注入?yún)?shù) ? 注入劑量 φ ? 注入劑量 φ是樣品表面單位面積注入的離子總數(shù)。 束流、 束斑 ? 高能離子轟擊 （氬離子為例） 1. 離子反射（能量很?。? 2. 離子吸附（ 10eV） 3. 濺射（ ~5keV） 4. 離子注入（ 10keV） ? 離子注入 是繼擴(kuò)散之后的第二種摻雜技術(shù)，是現(xiàn)代先進(jìn)的集成電路制造工藝中非常重要的技術(shù)。 4. 摻雜溫度低 注入可在 125℃ 以下的溫度進(jìn)行，允許使用不同 的注入阻擋層（如光刻膠）增加了工藝的靈活性。 ? 投影射程示意圖 第 i個離子在靶中的射程 Ri和投影射程 Rpi ? 平均投影射程 離子束中的各個離子雖然能量相等但每個離子與靶原子和電子的碰撞次數(shù)和能量損失都是隨機(jī)的，使得能量完全相同的同種離子在靶中的投影射程也不等，存在一個統(tǒng)計分布。 1. 已知某臺離子注入機(jī)的束斑為 、束流為、注入時間為 16ms，試計算硼離子（ B+）注入劑量。 優(yōu)點： 雜質(zhì)濃度分布基本不發(fā)生變化 離子注入的應(yīng)用 ? 在先進(jìn)的 CMOS 工藝中，離子注入的應(yīng)用： 1. 深埋層注入 2. 倒摻雜阱注入 3. 穿通阻擋層注入 4. 閾值電壓調(diào)整注入 5. 輕摻
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