離子注入ppt課件(2)(存儲(chǔ)版)
【正文】 雜漏區(qū)（ LDD）注入 6. 源漏注入 7. 多晶硅柵摻雜注入 8. 溝槽電容器注入 9. 超淺結(jié)注入 10. 絕緣體上的硅（ SOI）中的氧注入 ? 閂鎖效應(yīng)（ LatchUp） ? 深埋層注入 ? 高能（大于 200KEV）離子注入，深埋層的作用：減小襯底橫向寄生電阻，控制 CMOS的閂鎖效應(yīng) ? 倒摻雜阱注入 ? 高能量離子注入使阱中較深處雜質(zhì)濃度較大，倒摻雜阱改進(jìn) CMOS器件的抗閂鎖和穿通能力。 ? 質(zhì)量分析器磁鐵 ? 分析器磁鐵形成 90176。 方法：施加偏轉(zhuǎn)電場使離子束方向偏轉(zhuǎn) 4. 掃描系統(tǒng) ? 用于使離子束沿 x、 y 方向在一定面積內(nèi)進(jìn)行掃描。 形成硅化物可減小硅中缺陷密度從而減小漏電。 。 ? 小角度注入 陰影效應(yīng)、橫向注入。 增大束斑、減小束流、減小離子束運(yùn)動(dòng)距離（甚至不用加速管）、束流減速、空間電荷中和。 ? 電子轟擊氣體原 子產(chǎn)生離子。 1. 高溫爐退火 通常的退火溫度：＞ 950℃ ，時(shí)間： 30分鐘左右 缺點(diǎn)： 高溫會(huì)導(dǎo)致雜質(zhì)的再分布。（注：電子電荷 q = 10－ 19庫侖） 2. 在 N型 〈 111〉 襯底硅片上，進(jìn)行硼離子注入，形成PN結(jié)二極管。這一距離在入射方向上的投影稱為 投影射程 Rp。 2. 可以獲得任意的雜質(zhì)濃度分布 由于離子注入的濃度峰在體內(nèi)，所以基于第 1點(diǎn) 采用多次疊加注入，可以獲得任意形狀的雜質(zhì)分 布，增大了設(shè)計(jì)的靈活性。 ? 離子注入系統(tǒng) ? 離子注入的優(yōu)點(diǎn)： 1. 精確地控制摻雜濃度和摻雜深度 離子注入層的深度依賴于離子能量、雜質(zhì)濃度依 賴于離子劑量，可以獨(dú)立地調(diào)整能量和劑量，精 確地控制摻雜層的深度和濃度，工藝自由度大。單位：千電子伏特 KEV ? 帶有一個(gè)正電荷的離子在電勢差為 100KV的電場運(yùn)動(dòng)，它的能量為 100KEV ? 射程、投影射程 ? 具有一定能量的離子入射靶中，與靶原子和電子發(fā)生一系列碰撞（即受到了核阻止和電子阻止）進(jìn)行能量的交換，最后損失了全部能量停止在相應(yīng)的位置，離子由進(jìn)入到停止所走過的總距離，稱為 射程 用 R表示。) 入射能量 （ KEV） 注入的離子 20 40 60 80 100 120 140 160 180 B RP 480 990 1482 1950 2396 2820 3226 3617 3994 ?RP 196 326 422 496 555 605 647 684 716 P RP 154 300 453 612 774 939 1105 1271 1437 ?RP 65 118 168 215 259 301 340 377 411 As RP 99 169 235 301 367 433 500 586 637 ?RP 33 56 77 97 118 137 157 176 195 ? 例題： 1. 已知某臺(tái)離子注入機(jī)的束斑為 、束流為、注入時(shí)間為 16ms，試計(jì)算硼離子（ B+）注入劑量。 可同時(shí)減小離子注入損傷 產(chǎn)生不需要的氧注入 有效性與厚度、注入能量、方向、雜質(zhì)種類相關(guān) ? 控制溝道效應(yīng)的方法 3. 硅預(yù)非晶化 ：高能 Si注入提前破壞晶格結(jié)構(gòu) 低能量（
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1