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bonding制程簡(jiǎn)介ppt課件(完整版)

2025-04-27 02:02上一頁面

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【正文】 (聚乙烯 ) Separator(離型膜 )50 μmConductive Particle (導(dǎo)電粒子)直徑 3μm密度 50K 177。? 使 ACF之導(dǎo)電粒子破裂變形 , 構(gòu)成導(dǎo)通電路。216。15181。COG Mura25WDELCMAA to A+COG 異常圖片26WDELCMAA to A+COG 異常圖片2. WOA wire 斷 (畫面異常 )27WDELCMAA to A+COG 異常圖片3. IC 損傷 (1)28WDELCMAA to A+COG 異常圖片3. IC 損傷 (2)29WDELCMAA to A+COG 異常圖片 (short) 30WDELCMAA to A+COG 異常圖片 (1) 31WDELCMAA to A+COG 異常圖片 (2) 32WDELCMAA to A+COG 異常圖片 Attach NG(1) ACF attach 上偏 ,導(dǎo)致 ACF未涵蓋處壓著不良ACF attach 上偏 ,導(dǎo)致 ACF未涵蓋處壓著不良33WDELCMAA to A+COG 異常圖片 Attach NG(2) ACF attach反褶 / 過短 ,導(dǎo)致 ACF未涵蓋處無壓痕ACF attach反褶 / 過短 ,導(dǎo)致 ACF未涵蓋處無壓痕34WDELCMAA to A+COG 異常圖片 壓痕異常 (1)35WDELCMAA to A+COG 異常圖片 壓痕異常 (2)36WDELCMAA to A+製程主要異常 COG位移216。 端子偏移量167。ACF導(dǎo)電粒子破裂數(shù)量檢查 下圖中單顆 TAB/COF之左及右開窗區(qū)位置導(dǎo)電粒子至少破裂 5顆 以上 ,(毎一 TAB/COF lead導(dǎo)電粒子至少破裂 20顆以上 )。 1μm密度 5K pcs / ㎜ 2Adhesive (膠 )廠商 : Hitachi Chemical型號(hào) : AC9845RS35寬度 177。A72。* ACF膠材會(huì)依據(jù) COF的製程及材料不同而選用不同的膠材,會(huì)影響膠的流動(dòng)性及拉力值。OLB壓痕寬度檢測(cè) : 使用顯微鏡將 OLB Bonding 區(qū)調(diào)整成壓痕可見之狀態(tài) 確認(rèn) Metal端子區(qū)是否有明顯凹凸痕 (壓痕 )存在ACF導(dǎo)電粒子破裂完全(凹凸痕明顯及均一性)(判定 OK)48WDELCMAA to A+ ”寬度 A”之量測(cè)值,即為 OLB壓著寬度,規(guī)格為 A ≧ mm寬度 A量測(cè)起點(diǎn):位置最高之壓痕寬度 A量測(cè)終點(diǎn):位置最低之壓痕A49WDELCMAA to A+製程主要異常50WDELCMAA to A+製程主要異常 Line defect216。 Gate: D≦ 1/2 Panel端子寬度 (w)216。? 使 ACF之導(dǎo)電粒子破裂變形 , 構(gòu)成導(dǎo)通電路。製程點(diǎn)檢 COG 壓痕22WDELCMAA to A+導(dǎo)電粒子 (壓著 )破裂狀況檢查下圖中單顆 IC之左及右位置,其 ACF導(dǎo)電粒子破裂之狀況粒子破裂狀態(tài),需有 5 個(gè)以上呈現(xiàn)小精靈狀製程點(diǎn)檢 COG 導(dǎo)電粒子23WDELCMAA to A+製程主要異常216。216。CFTFTPolarizerPolarizer Table下刀部Chip ICACF熱壓頭Te
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