【摘要】第2章一階動(dòng)態(tài)電路的暫態(tài)分析習(xí)題解答在圖(a)中,?C,0)0(?u,電流波形如圖(b)所示。求電容電壓)(tu,瞬時(shí)功率)(tp及t時(shí)刻的儲(chǔ)能)(tw。圖習(xí)題圖解電流源電流為???????????其他02s11A1s01
2024-11-14 15:52
【摘要】《電工與電子技術(shù)》習(xí)題與解答第二章:正弦交流電路、第三章:三相交流電路一、單項(xiàng)選擇題*1.R、L串聯(lián)的正弦交流電路如題1圖所示,若uR=5sin(ωt+10°)V,uL=5sin(ωt+100°)V,則總電壓u為(B)。(ωt+45°)V(ωt+55°)V(ωt+110°)V(ωt+
2025-03-25 06:16
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-07-27 10:44
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在
2024-11-04 06:14
【摘要】《電力電子技術(shù)》習(xí)題解答第2章思考題與習(xí)題?導(dǎo)通后流過晶閘管的電流和負(fù)載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導(dǎo)通條件是:晶閘管陽(yáng)極和陽(yáng)極間施加正向電壓,并在門極和陽(yáng)極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由負(fù)載阻抗決定,負(fù)載上電壓由輸入陽(yáng)極電壓UA決定。? 如何實(shí)現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時(shí)其兩端的電壓大小由什么決定?答:晶閘管的關(guān)斷條件是:要使
2025-03-25 06:06
【摘要】第一章習(xí)題答案 將下列二進(jìn)制數(shù)變換為相對(duì)應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)N= (1)解:1011B = 1*8+0*4+1*2+1*1= 11(2)解:1000B = 1*8+0*4+0*2+0*1= 8(3)解:1101B = 1*8+1*4+0*2+1*1= 13(4)解:11111111B = 1*128+1*64+1*32+1*16+1*8+
2025-07-25 22:00
【摘要】第一篇:數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)課程設(shè)計(jì) 蘇州科技大學(xué)電子與信息工程學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)課程設(shè)計(jì)報(bào)告 電子1412 姓名:孫瑋 蘇州科技大學(xué)電子與信息工程學(xué)院 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)課程設(shè)計(jì)報(bào)告 專業(yè)班...
2024-11-09 22:13
【摘要】目錄習(xí)題一………………………………………1習(xí)題二………………………………………6習(xí)題三………………………………………16習(xí)題四………………………………………24習(xí)題五………………………………………30習(xí)題六………………………………………35習(xí)
2024-10-27 03:17
【摘要】目錄習(xí)題一………………………………………1習(xí)題二………………………………………6習(xí)題三………………………………………16習(xí)題四………………………………………24習(xí)題五………………………………………30習(xí)題六………………………………………35習(xí)題七………………………………………37習(xí)題八………
2025-03-25 06:14
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)自測(cè)題與習(xí)題解答第1章常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。(√)(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。(×)(3)PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電
2025-05-31 18:04
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)答案第1章自測(cè)題1.2.43.4.邏輯代數(shù)卡諾圖5.6.7.代數(shù)法卡諾圖8.11.√2.√3.×⊙ABL001010100111
2024-08-15 01:41
【摘要】第1章習(xí)題及答案,試寫出該波形所表示的二進(jìn)制數(shù)。解:該波形表示的二進(jìn)制數(shù)為:0111010。、十六進(jìn)制數(shù)、8421BCD碼來表示。(1)26(2)87(3)255(4)解:(1)(26)D=(11010)B=(1A)H=(00100110)8421BCD(2)(87)D=(1010111)B=(57)H=(10000111)
2025-05-31 00:02