cigs薄膜太陽能電池(1)(完整版)
【正文】 體，其光吸收系數(shù)高達 105量級 禁帶寬度在室溫時是 ，電子遷移率和空穴遷移率分(cm2/V ? x=，電池性能最好。 ? 另外 ,電沉積工藝也以其簡單低廉的制作過程得到了廣泛研究 ,有相當(dāng)?shù)膽?yīng)用前景 問題以及前景 ? CIS光伏材料優(yōu)異的性能吸引世界眾多專家研究了 20年 ,直到 2021年才初步產(chǎn)業(yè)化 ,其主要原因在于 工藝的重復(fù)性差 ,高效電池成品率低 。 3. 保持第二步的襯底溫度不變，在富 Cu的薄膜表面再根據(jù)需要補充蒸發(fā)適量的 In、 Ga、 Se，最終得到ＣｕＩｎ １－ｘ Ｇａ ｘＳｅ ２ 的薄膜。同時在如何降低成本方面還有很大空間。 ? 所謂第三代太陽能電池就是高效、低成本、可大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的銅銦鎵硒 (CIGS)等化合物薄膜太陽能電池（注：第一代為單晶硅太陽能電池，第二代為多晶硅、非晶硅等低成本太陽能電池） , ? 考慮太陽能為綠色的能源和環(huán)境驅(qū)動因素 ,發(fā)展前景將會十分廣闊。相反， p型材料在較 低 Se蒸氣壓下退火則變?yōu)?n型 CIS中存在上述的本征缺陷， 影響薄膜的電學(xué)性質(zhì) .Ga的摻入影響很小 . CIGS的光學(xué)性質(zhì)及帶隙 ? CIS材料是直接帶隙材料， Cu(In,Ga,Al)Se2,其帶隙在，覆蓋了可見太陽光譜 ? In/Ga比的調(diào)整可使 CIGS材料的帶隙范圍覆蓋 ， CIGS其帶隙值隨 Ga含量 x變化滿足下列公式其中， b值的大小為 ? CIGS的性能不是 Ga越多性能越好的，因為短路電流是隨著 Ga的增加對長波的吸收減小而減小的。銅銦鎵硒 (CIGS)薄膜太陽能電池 CIGS 薄膜太陽能電池 這種以銅銦鎵硒為吸
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