cigs薄膜太陽(yáng)能電池(1)-閱讀頁(yè)
2025-06-03 22:47本頁(yè)面
【正文】 長(zhǎng)波的吸收減小而減小的。 ? x= 。 ? x=，電池性能最好。 △ Ec0的能帶結(jié)構(gòu)對(duì)提高電池的轉(zhuǎn)換效率有利。 ? 所謂第三代太陽(yáng)能電池就是高效、低成本、可大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的銅銦鎵硒 (CIGS)等化合物薄膜太陽(yáng)能電池（注：第一代為單晶硅太陽(yáng)能電池，第二代為多晶硅、非晶硅等低成本太陽(yáng)能電池） , ? 考慮太陽(yáng)能為綠色的能源和環(huán)境驅(qū)動(dòng)因素 ,發(fā)展前景將會(huì)十分廣闊。 ? 主要的制備技術(shù)包括 :真空蒸鍍、電沉積、反應(yīng)濺射、化學(xué)浸泡、快速凝固技術(shù)、化學(xué)氣相沉積、分子束外延、噴射熱解等。 ? 另外 ,電沉積工藝也以其簡(jiǎn)單低廉的制作過(guò)程得到了廣泛研究 ,有相當(dāng)?shù)膽?yīng)用前景 問(wèn)題以及前景 ? CIS光伏材料優(yōu)異的性能吸引世界眾多專家研究了 20年 ,直到 2021年才初步產(chǎn)業(yè)化 ,其主要原因在于 工藝的重復(fù)性差 ,高效電池成品率低 。目前 ,CIS薄膜的基本特性及晶化狀況還沒(méi)有完全弄清楚 ,無(wú)法預(yù)測(cè) CIS材料性能和器件性能的關(guān)系。同時(shí)在如何降低成本方面還有很大空間。 CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的制備 ? CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的底電極 Mo和上電極 nZnO一般采用 磁控濺射的方法 ,工藝路線比較成熟 ? 最關(guān)鍵的吸收層的制備有許多不同的方法，這些沉積制備方法包括 :蒸發(fā)法、濺射后硒法、電化學(xué)沉積法、噴涂熱解法和絲網(wǎng)印刷法 補(bǔ)充 : 磁控濺射 1. 襯底溫度保持在約 350 ℃ 左右，真空蒸發(fā) In， Ga， Se三種元素，首先制備形成 (In， Ga)Se預(yù)置層。 3. 保持第二步的襯底溫度不變，在富 Cu的薄膜表面再根據(jù)需要補(bǔ)充蒸發(fā)適量的 In、 Ga、 Se，最終得到ＣｕＩｎ １－ｘ Ｇａ ｘＳｅ ２
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