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太陽(yáng)能電池制作流程-閱讀頁(yè)

2025-05-14 05:39本頁(yè)面
  

【正文】 900 ℃ ) 2. 磷驅(qū)入 2P2O5+5Si?4P+5SiO2(850950 ℃ ) ?擴(kuò)散深度 ?擴(kuò)散方塊電阻 5080 ohm/sq. 太陽(yáng)電池制造過(guò)程 去除磷硅玻璃 ?制程目的 : 去除含磷的二氧化硅層 . ?蝕刻機(jī)臺(tái) : RENA InOx ?原理 : 1. 6HF+SiO2?H2SiO6+2H2O(25 ℃ ) ?流程為 : HF去除氧化層 ?DIW洗凈 ?熱風(fēng)吹干 . ?蝕刻速率選擇比 : ER(SiO2)/ER(Si)~100 太陽(yáng)電池制造過(guò)程 PECVD ?PECVD制程目的 : 沉積抗反射膜 (ARC) ?沉積機(jī)臺(tái) : OTB DEPx 1500 ?原理 : 1. NH3+SiH4(400500 ℃ ) ?SiNx+H2 ?流程為 : 硅片裝入 ?加熱 ?沉積 SiNx?冷卻 ?破片清掃 ?硅片卸出 ?沉積厚度 : ~80nm. 太陽(yáng)電池制造過(guò)程 印刷燒結(jié) ?網(wǎng)版印刷與燒結(jié)制程目的 : 印刷電極圖案并且通過(guò)高溫?zé)Y(jié)與基底形成良好的金屬接觸
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