cigs薄膜太陽(yáng)能電池(1)-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 Se蒸 氣壓下退火變?yōu)?p型傳導(dǎo) 。（多層膜典型結(jié)構(gòu)：金屬柵 /減反膜 /透明電極 /窗口層 /過(guò)渡層 /光吸收層 /背電極 /玻璃） CIGS薄膜電池組成可表示成 Cu(In1xGax)Se2的形式，具有黃銅礦相結(jié)構(gòu)，是 CuInSe2和CuGaSe2的混晶半導(dǎo)體。其典型結(jié)構(gòu)是：Glass/Mo/CIGS/ZnS/ZnO/ZAO/MgF2。s) 通過(guò)摻入適量的 Ga以替代部分 In，形成 CulnSe2和 CuGaSe2的固熔晶體 Ga的摻入會(huì)改變晶體的晶格常數(shù)，改變了原子之間的作用力 ,最終實(shí)現(xiàn)了材料禁帶寬度的改變，在 ，以達(dá)到最高的轉(zhuǎn)化效率 自室溫至 810℃ 保持穩(wěn)定相 ,使制膜工藝簡(jiǎn)單 , 可操作性強(qiáng) . CIGS的電學(xué)性質(zhì)及主要缺陷 富 Cu薄膜始終是 p型，而富 In薄膜則既可能 為 p型，也可能為 n型。 ? x= 。 △ Ec0的能帶結(jié)構(gòu)對(duì)提高電池的轉(zhuǎn)換效率有利。 ? 主要的制備技術(shù)包括 :真空蒸鍍、電沉積、反應(yīng)濺射、化學(xué)浸泡、快速凝固技術(shù)、化學(xué)氣相沉積、分子束外延、噴射熱解等。目前 ,CIS薄膜的基本特性及晶化狀況還沒(méi)有完全弄清楚 ,無(wú)法預(yù)測(cè) CIS材料性能和器件性能的關(guān)系。 CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的制備 ? CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的底電極 Mo和上電極 nZnO一般采用 磁控濺射的方法 ,工藝路線比較成熟 ? 最關(guān)鍵的吸收層的制備有許多不同的方法，這些沉積制備方法包括 :蒸發(fā)法、濺射后硒法、電化學(xué)沉積法、噴涂熱解法和絲網(wǎng)印刷法 補(bǔ)充 : 磁控濺射 1. 襯底溫度保持在約 350 ℃ 左右，真空蒸發(fā) In， Ga， Se三種元素，首先制備形成 (In， Ga)S
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