cigs薄膜太陽(yáng)能電池(1)(文件)
【正文】 增加， Voc也增加 。 CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu) 金屬柵電極 減反射膜 (MgF2) 窗口層 ZnO 過(guò)渡層 CdS 光吸收層 CIGS 金屬背電極 Mo 玻璃襯底 低阻 AZO 高阻 ZnO? 減反射膜：增加入射率 ? AZO： 低阻，高透，歐姆接觸 ? iZnO：高阻，與 CdS構(gòu)成 n區(qū) ? CdS： 降低帶隙的不連續(xù)性，緩 沖晶格不匹配問(wèn)題 ? CIGS： 吸收區(qū)，弱 p型，其空間電 荷區(qū)為主要工作區(qū) ? Mo: CIS的晶格失配較小且熱膨 脹系數(shù)與 CIS比較接近 CIGS薄膜電池的異質(zhì)結(jié)機(jī)理 ? CIGS電池的實(shí)質(zhì)：窗口 吸收體結(jié)構(gòu)的異質(zhì) pn結(jié)太陽(yáng)能電池 光 CIGS(弱 p) (~) CdS (n) () ZnO (n) () N區(qū) 內(nèi)建電場(chǎng) 光生電流（電壓） CIGS能帶的失調(diào)值對(duì)電池的影響 ? 電子親合能不同 ,產(chǎn)生導(dǎo)帶底失調(diào)值△ Ec和價(jià)帶失調(diào)值△ Ev ? 禁帶寬度可調(diào) : △ Ec0或 0 ? 討論 :對(duì)負(fù)的△ Ec而言，由于窗口層和吸收層界面之間的復(fù)合，將降低開(kāi)路電壓 。 CIS 薄膜的制備 ? CIS薄膜的制備方法多種多樣 ,大致可以歸為三類 : CuIn的合金過(guò)程和 Se化分離； Cu、 In、 Se一起合金化； CuInSe2化合物的直接噴涂 。 CIS(CIGS)薄膜是 多元化合物半導(dǎo)體 ,原子配比以及晶格匹配
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