固體的能帶結構-文庫吧在線文庫
【正文】 insulator） 它們的導電性能不同， 是因為它們的能帶結構不同。 3. 兩個能帶有可能重疊。 ２ .電子的運動有隧道效應。 a 第 三 章 固體的能帶結構 3 解定態(tài)薛定格方程 (略）， 可以得出兩點重要結論： １ .電子的能量是量子化的 。 2. 點陣間距越小，能帶越寬， ?E越大。 ２Ｎ (2 +1) l9 167。 絕緣體 半導體 導體 14 167。 ?Eg 在外電場作用下 , 18 ?解 ? ???hchEg ??nm.s/msJ.Ehcgm a x5 1 410614221031063619834?????????????上例中 ,半導體 Cd S激發(fā)電子 , 光波的波長最大多長？ 19 為什么半導體的電阻 隨溫度升高而降低？ 20 二 . 雜質(zhì)半導體 １ . n型半導體 四價的本征半導體 Si、Ｇｅ等，摻入少量五價的 雜質(zhì) （ impurity） 元素（如 P、 As等）形成電子型半導體 ,稱 n 型半導體。 25 三 . 雜質(zhì)補償作用 實際的半導體中既有施主雜質(zhì)（濃度 nd）， 又有受主雜質(zhì)（濃度 na）， 兩種雜質(zhì)有補償作用： 若 nd?na—— 為 n型（施主） 若 nd?na—— 為 p型（受主） 利用雜質(zhì)的補償作用， 可以制成 PＮ結。 也阻止 N區(qū) 帶負電的電子進 一步向 P區(qū) 擴散。 E?p型 n型 I 阻E?34 但是，由于少數(shù) 載流子的存在， 會形成很弱的反 向電流， 當外電場很強 ,反向電壓超過某一數(shù)值后， 反向電流會急劇增大 反向擊穿。 晶體管比真空電子管體積小，重量輕， 成本低，可靠性高，壽命長，很快成為 第二代電子器件。 由自發(fā)輻射引起 受激輻射。 最簡單的 GaAs同質(zhì)結半導體激光器， 42 典型尺寸： 長 L = 250～ 500 ?m 寬 ｗ = 5～ 10 ?m 厚 d = ～ ?m 它的 激勵能源 是外加電壓 (電泵 )．在正向 偏壓下工作。 ５ 半導體的其他特性和應用 ?熱敏電阻 （自學） ?光敏電阻（ 自學） ?溫差電偶 （自學） P
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