【正文】 tor）， 以 及其他一些晶體管。 由自發(fā)輻射引起 受激輻射。 E?p型 n型 I 阻E?34 但是，由于少數(shù) 載流子的存在， 會形成很弱的反 向電流， 當外電場很強 ,反向電壓超過某一數(shù)值后， 反向電流會急劇增大 反向擊穿。 25 三 . 雜質(zhì)補償作用 實際的半導體中既有施主雜質(zhì)（濃度 nd）， 又有受主雜質(zhì)（濃度 na）， 兩種雜質(zhì)有補償作用： 若 nd?na—— 為 n型（施主） 若 nd?na—— 為 p型（受主） 利用雜質(zhì)的補償作用， 可以制成 PＮ結(jié)。 絕緣體 半導體 導體 14 167。 2. 點陣間距越小，能帶越寬， ?E越大。 ２ .電子的運動有隧道效應(yīng)。 2 導體和絕緣體 （ conductor ． insulator） 它們的導電性能不同， 是因為它們的能帶結(jié)構(gòu)不同。 量子力學表明，這種摻雜后多余的電子的 能級在禁帶中緊靠空帶處 , ?ED～ 102eV， 極易形成電子導電。 它阻止 P區(qū) 帶正電的空穴進 一步向 N區(qū) 擴散； U0 0eU?電子能級 電勢曲線 電子電勢能曲線 PN結(jié) 29 考慮到 PＮ結(jié)的存在，半導體中電子 的能量應(yīng)考慮進這內(nèi)建場帶來的電子 附加勢能。 39 集成電路 大規(guī)模集成電路 超大規(guī)模集成電路 下圖為 INMOS T900 微處理器 : 每一個集成塊（圖中一個長方形部分） 約為手指甲大小， 它有 300多萬個三極管。 核心部分是 p型 GaAs 和 n型 GaAs 構(gòu)成的 PN結(jié) （通過摻雜補償工藝制得）。 30 空帶 空帶 PN結(jié) 0eU?施主能級 受主能級 滿帶 滿帶 31 二 . Ｐ Ｎ結(jié)的單向?qū)щ娦? １ . 正向偏壓 在Ｐ Ｎ結(jié) 的 p型區(qū)接 電源正極， 叫正向偏壓。 21 n 型半導體 在 n型半導體中 電子 …… 多數(shù)載流子 空 帶 滿 帶 施主能級 ?ED ?Eg Si Si Si Si Si Si Si P 空穴 …… 少數(shù)載流子 22 ２ .ｐ型半導體 四價的本征