固體的能帶結構(更新版)
【正文】 成 粒子數(shù)反轉 的狀態(tài)， 形成電子與空穴復合發(fā)光。 ． 有大量載流子躍遷到較高能量的能級上。 38 p n p 電信號 c b Veb Vcb R e ~ 后來，晶體管又從點接觸型發(fā)展到 面接觸型。 阻擋層勢壘增大、變寬， 不利于空穴向Ｎ區(qū)運動，也不利于電子向 P區(qū)運動 ,沒有正向電流。 阻E?28 PN結處存在電勢差 Uo。 例如，化合物 GaAs中摻 Zn，二價的 Zn 替代三價的 Ga可形成受主能級， 成為 p型 GaAs雜質半導體。 滿帶上帶正電的 空穴向下躍遷也 是形成電流 , 這稱為 空穴導電 。 絕緣體 半導體 13 絕緣體與半導體的擊穿 當外電場非常強時，它們的共有化電子還是 能越過禁帶躍遷到上面的空帶中的。 例如， 1ｓ、２ｓ能帶，最多容納 2Ｎ個電子。 一般規(guī)律： 1. 越是外層電子，能帶越寬， ?E越大。 電子受到周期性勢場的作用。 原子的外層電子 (高能級 )， 勢壘穿透概率 較大， 電子可以在整個固體中運動 ,稱為 共有化電子。 6 離子間距 a 2P 2S 1S E 0 能帶重疊示意圖 7 三 . 能帶中電子的排布 固體中的一個電子只能處在某個能帶中的 某一能級上。 固體按導電性能的高低可以分為 導體 半導體 絕緣體 10 導體 導體 導體 半導體 絕緣體 ?Eg ?Eg ?Eg 11 在外電場的作用下，大量共有化電子很 易獲得能量，集體定向流動形成電流。 本征半導體的導電性能在導體與絕緣體 之間。 該能級稱為 施主 （ donor） 能級。 4 Ｐ Ｎ結 一 .Ｐ Ｎ結的形成 在一塊 n 型半導體基片的一側摻入 較高濃度的受主雜質，由于雜質的 補償作用，該區(qū)就成為ｐ型半導體。 電子的能帶 出現(xiàn)彎曲現(xiàn)象。 擊穿電壓 V(伏 ) I １０ ２０ ３０ （微安） 反向 20 30 35 利用 PN結 可以作成具有整流、開關等 作用的晶體二極管 （ diode）。 40 41 ?半導體激光器 半導體激光器是光纖通訊中的重 要光源，在創(chuàng)建信息高速公路的 工程中起著極重要的作用
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