集成電路工藝原理-資料下載頁

【摘要】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個(gè)層次：上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級(jí)別高效凈化凈化的必要性器件：少子壽命?，VT改變，Ion?Ioff?，柵

2025-07-23 00:26

[精選]半導(dǎo)體器件物理chapter4集成電路制造工藝-資料下載頁

【摘要】第四章集成電路制造工藝芯片制造過程?圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。?摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等。?制膜：制作各種材料的薄膜?；静襟E：硅片準(zhǔn)備、外延、氧化、摻雜、淀積、刻蝕、光刻硅片準(zhǔn)備光刻（Lithography）圖形轉(zhuǎn)移

2025-03-01 12:22

[精選]集成電路工藝技術(shù)教材-資料下載頁

【摘要】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體，以改變半導(dǎo)體，尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì)．?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點(diǎn)?注入雜質(zhì)不受材料溶解度，擴(kuò)散系數(shù)，化學(xué)結(jié)合力的限制，原則上對(duì)各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量，從而精確控

2025-01-06 18:45

[精選]cmos集成電路工藝流程-資料下載頁

【摘要】第三章CMOS集成電路工藝流程白雪飛中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系?多晶硅柵CMOS工藝流程?可用器件?工藝擴(kuò)展提綱2多晶硅柵CMOS工藝流程?初始材料–重?fù)诫sP型(100)襯底硅，P+–減小襯底電阻，提高抗CMOS閂鎖效應(yīng)能力?外延生長–在襯底

2025-02-09 20:36

[精選]集成電路工藝流程簡介-資料下載頁

【摘要】集成電路制造工藝集成電路制造工藝北京大學(xué)北京大學(xué)e集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過程：設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過程框架From吉利久教授是功能要求行為設(shè)

2025-01-08 12:25

[精選]集成電路制備工藝課件-資料下載頁

【摘要】集成電路Contentsv集成電路的定義v集成電路的分類v集成電路的工藝微電子技術(shù)課程ppt微電子技術(shù)課程ppt集成電路定義v集成電路（integrated?circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連

2025-01-08 13:38

集成電路工藝原理(芯片制造)課程試題庫-資料下載頁

【摘要】一、填空題（30分=1分*30）10題/章晶圓制備1．用來做芯片的高純硅被稱為（半導(dǎo)體級(jí)硅），英文簡稱（GSG），有時(shí)也被稱為（電子級(jí)硅）。2．單晶硅生長常用（CZ法）和（區(qū)熔法）兩種生長方式，生長后的單晶硅被稱為（硅錠）。3．晶圓的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（鍺）。4．晶圓制

2025-03-26 05:14

外延工藝在集成電路制造產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用-資料下載頁

【摘要】外延工藝在集成電路制造產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用外延(Epitaxy,簡稱Epi)工藝是指在單晶襯底上生長一層跟襯底具有相同晶格排列的單晶材料，外延層可以是同質(zhì)外延層(Si/Si)，也可以是異質(zhì)外延層(SiGe/Si或SiC/Si等)；同樣實(shí)現(xiàn)外延生長也有很多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化學(xué)氣相沉積(UHV/CVD)，常壓及減壓外延(ATM&RPEpi)等等。本文僅介

2025-06-26 19:16

集成電路工藝原理(1)-資料下載頁

【摘要】集成電路工藝原理復(fù)旦大學(xué)微電子研究院於偉峰SemiconductorVLSIProcessPrinciple半導(dǎo)體集成電路工藝原理2第四章擴(kuò)散(Diffusion)§引言§擴(kuò)散機(jī)理§擴(kuò)散方程及其解§影響雜質(zhì)分布的其他因素§

2025-01-18 20:36

cmos集成電路工藝基礎(chǔ)-資料下載頁

【摘要】第一章CMOS集成電路工藝基礎(chǔ)1、半導(dǎo)體材料：N型半導(dǎo)體：N-NN+P型半導(dǎo)體：P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝

2025-05-11 01:31

集成電路工藝原理(1)-資料下載頁

【摘要】集成電路工藝原理第七章金屬互聯(lián)本章概要?引言?金屬鋁?金屬銅?阻擋層金屬?硅化物?金屬淀積系統(tǒng)引言概述金屬化是芯片制造過程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜，通過光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程。金屬線被夾在兩個(gè)絕緣介質(zhì)層中間形成電整體。高性

2025-04-30 18:17

集成電路封裝工藝-資料下載頁

【摘要】畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）專業(yè)班次姓名指導(dǎo)老師成都信息工程學(xué)院二零零九年六月成都信息工程學(xué)院光電學(xué)院畢業(yè)論文設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)2集成電路封裝工藝

2024-11-01 13:42

微電子學(xué)概論--b07-集成電路制造工藝-資料下載頁

【摘要】第四章集成電路制造工藝?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過程：設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過程框架From吉利久教授

2025-03-08 00:40

[精選]數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)第2章制造工藝-資料下載頁

【摘要】第二章制造工藝本章分為四部分:紫外線光掩模版光刻膠可進(jìn)行摻雜,離子注入，擴(kuò)散等工藝n版圖是集成電路從設(shè)計(jì)走向制造的橋梁，它包含了集成電路尺寸、各層拓?fù)涠x等器件相關(guān)的物理信息數(shù)據(jù)。n版圖(Layout)集成電路制造廠家根據(jù)這些數(shù)據(jù)來制造掩膜。掩模版的作用n掩膜上的圖形決定著芯片上器件或連接物理層的尺寸

2025-01-23 10:42

[精選]集成電路工藝第一章硅集成電路襯底加工技術(shù)-資料下載頁

【摘要】集成電路制造技術(shù)微電子工程系何玉定?早在1830年，科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開對(duì)半導(dǎo)體的研究。?1874年，電報(bào)機(jī)、電話和無線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項(xiàng)新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言基本器件的兩個(gè)發(fā)展階段?分立元件階段（1905～1959）–真空電子管、半導(dǎo)體晶體管

2025-01-08 12:22

集成電路制造工藝-文庫吧在線文庫

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