集成電路制造工藝(完整版)
【正文】 ?光刻鈍化版 ?刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形 ? (14)測試、封裝，完成集成電路的制造工藝 ?光刻是集成電路中十分重要的一種加工工藝技術(shù)．它是指通過類似于洗印照片的原理，通過曝光和選擇腐蝕等工序?qū)⒀谀ぐ嫔显O(shè)計好的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的過程． ?光刻所需要的三要素為：光刻膠、掩膜版和光刻機(jī)． ?在現(xiàn)代集成電路工藝中，氧化是必不可少的工藝技術(shù)．在硅表面上生長的氧化硅層不但能緊緊地依附在硅襯底上，而旦具有非常穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和電絕緣性，因此氧化硅層在集成電路中起著極其重要的作用． ?摻雜是指將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成 PN結(jié)、電阻、歐姆接觸等各種結(jié)構(gòu)的目的． ?集成電路工藝中經(jīng)常采用的摻雜技術(shù)主要有擴(kuò)散和離子注入兩種． ?擴(kuò)散運用于結(jié)較深 (＞ )、線條較粗 (＞ 3um)的器件；離子注入則適用于淺結(jié)與細(xì)線條圖形．兩者在功能上有一定的互補(bǔ)性，有時需要聯(lián)合使用． ?離子注入是將具有很高能量的帶電雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，它的摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量、雜質(zhì)離子的質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目 (劑量 )決定 （ CVD） ?化學(xué)汽相淀積是指通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)，在襯底上淀積一層 薄膜材料 的過程。 CVD膜的結(jié)構(gòu)可以是單晶、多晶或非晶態(tài)，淀積單晶硅薄膜的 CVD過程通常被稱為外延． （ CVD） ? CVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復(fù)性好、臺階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡單等一系列優(yōu)點。 02:39:5102:39:5102:391/24/2023 2:39:51 AM ? 1以我獨沈久，愧君相見頻。 上午 2時 39分 51秒 上午 2時 39分 02:39: ? 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 2023年 1月 上午 2時 39分 :39January 24, 2023 ? 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 :39:5102:39:51January 24, 2023 ? 1意志堅強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 1月 上午 2時 39分 :39January 24, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 上午 2時 39分 51秒 上午 2時 39分 02:39: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 02:39:5102:39:5102:391/24/2023 2:39:51 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點點小
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