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【正文】 格要求 ， EMI允許級(jí)別 ? 第二步： 電感值的確定 ? 第三步： core（磁芯）材質(zhì)及規(guī)格確定 ? 第四步：繞組匝數(shù)及線徑的確定 ? 第五步：打樣 ? 第六步：測(cè)試 共模電感的設(shè)計(jì) ? EMI等級(jí) : Fcc Class B ? 已知條件： C2=C7=3300pF ? EMI測(cè)試頻率：傳導(dǎo) 150KHz~30MHz。過高的 ui值使磁芯極易飽和，同時(shí)在生產(chǎn)上，制作比較困難，成本較高。此部分電路主要用于限制 MOS關(guān)斷時(shí)高頻變壓器漏感的能量引起的尖峰電壓和次級(jí)線圈反射電壓的疊加，疊加的電壓產(chǎn)生在 MOS管由飽和轉(zhuǎn)向關(guān)斷的過程中，漏感中的能量通過 D向 C充電， C上的電壓可能沖到反電動(dòng)勢(shì)與漏感電壓的疊加值，即： Vrest+ Δ Vpp。對(duì)應(yīng)漏磁通產(chǎn)生的感量，稱之為漏感。電流是從零開始上升的，瞬間電流為零，就形成很大阻抗。 ? 在不同的頻率下選取 d也是不同的，在 200KHz以下時(shí)，一般為4~5A/mm2，在 200KHz以上時(shí)，一般為 2~3A/mm2。 防止磁芯飽和不僅只有開氣隙一種方法，另外一種是增加磁心的體積；不過通常設(shè)計(jì)時(shí)空間已經(jīng)限制了磁芯的大小，所以實(shí)際設(shè)計(jì)中開氣隙的方法應(yīng)用的比較多； 這兩種方法都可以使磁心的磁滯回線變得“ 扁平 ” ，這樣對(duì)于相同的直流偏壓，就降低了工作磁通的密度。電流由于漏感的存在，下降會(huì)變慢，關(guān)斷損耗會(huì)變大。 ， R選小，吸收能力較強(qiáng)，且震蕩的周期變長(zhǎng)，也就是頻率降低， EMI較好， 但損耗也會(huì)較大，故要折中選取。 BUCK電容容值的計(jì)算 高壓?jiǎn)?dòng)與 RCD箝位電路 ? 紅線圈起的電阻為 I C的高壓?jiǎn)?dòng)電阻，電阻阻值的選擇由 IC特性決定。另外，感量越高，則繞線匝數(shù)越多，就要求磁芯的 ui值越高，如此將造成低頻阻抗增加。這兩個(gè)線圈繞在同一鐵芯上，匝數(shù)和相位都相同 (繞制方向向反 )。它們都屬于安全電容 ,從而要求電容值不能偏大 ,而耐壓必須較高。 安全標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 ,當(dāng)正在工作之中的機(jī)器電源線被拔掉時(shí) ,在兩秒鐘內(nèi) ,電源線插頭兩端帶電的電壓 (或?qū)Φ仉娢?)必須小于原來額定工作電壓的 30%。 ? a 為電路電壓波動(dòng)系數(shù)，一般取值 . ? Vrms 為交流輸入電壓有效值。當(dāng)電路進(jìn)入穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，由于線路中持續(xù)工作電流引起的 NTC發(fā)熱，使得電阻器的電阻值變得很小，對(duì)線路造成的影響可以完全忽略。無源功率因數(shù)校正利用線性電感器和電容器組成濾波器來提高功率因數(shù)、降低諧波分量。 ? 分類： 快斷、慢斷、常規(guī) 保險(xiǎn)管的計(jì)算方法 ? ? Po輸出功率 ? η 效率（設(shè)計(jì)的評(píng)估值） ? Vinmin 最小的輸入電壓 ? 2為經(jīng)驗(yàn)值，在實(shí)際應(yīng)用中，保險(xiǎn)管的取值范圍是理論值的 ~3倍。 優(yōu)點(diǎn) ：成本低 ,外圍元件少，低耗能，適用于寬電 壓范圍輸入 ,可多組輸出 . 缺點(diǎn) ：輸出紋波比較大。沒有采取功率因數(shù)校正技術(shù)的ACDC整流電路，輸入電流波形呈尖脈沖狀。有源功率因數(shù)校正是使用所謂的有源電流控制功率因數(shù)的校正方法，可以迫使輸入電流跟隨供電的正弦電壓變化。 ? 主要 作用 ：過電壓保護(hù)、防雷、抑制浪涌電流、吸收尖峰脈沖、限幅、高壓滅弧、消噪、保護(hù)半導(dǎo)體元器件等。 10％時(shí)的最大脈沖電流值。 安規(guī)電容之 X電容 ? X電容主要用來抑制差模干擾 ? 安全等級(jí) 峰值脈沖電壓 等級(jí)（ IEC664） ? X1 ≤ Ⅲ ? X2 ≤ Ⅱ ? X3 ≤ —— ? X電容沒有具體的計(jì)算公式，前期選擇都是依據(jù)經(jīng)驗(yàn)值，后期在實(shí)際測(cè)試中，根據(jù)測(cè)試結(jié)果做適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。工作在溫帶機(jī)器 ,要求對(duì)地漏電電流不能超過 。
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