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《初級(jí)側(cè)部分上》ppt課件-預(yù)覽頁

2025-05-30 12:02 上一頁面

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【正文】 ; 3. B是材質(zhì)參數(shù); (常用范圍 2022K~6000K) 4. exp是以自然數(shù) e 為底的指數(shù)( e = ); 5. 這里 T1和 Tn指的是 K度即開爾文溫度, K度 =(絕對(duì)溫度 )+攝氏度; 壓敏電阻的作用 ? 壓敏電阻是一種限壓型保護(hù)器件。 ? 壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間為 ns級(jí),比空氣放電管快,比TVS管(瞬間抑制二極管)稍慢一些,一般情況下用于電子電路的過電壓保護(hù)其響應(yīng)速度可以滿足要求。 ? b 為壓敏電阻誤差,一般取值 . ? C 為元件的老化系數(shù),一般取值 . ? √2 為交流狀態(tài)下要考慮峰峰值。 EMI電路 ? X電容,共模電感(也叫共模扼流圈 ), Y電容 ? 根據(jù) IEC 6038414,安規(guī)電容 器分 為 X電容 及 Y電容 : ? 1. X電容 是指 跨與 LN之 間 的 電 容器 , ? 2. Y電 容是指跨 與 LG/NG之 間 的 電 容器 . 安規(guī)電容之 X電容 ? X電容多選用耐紋波電流比較大的聚脂薄膜類電容。 ? 作為安全電容之一的 X電容 ,也要求必須取得安全檢測(cè)機(jī)構(gòu)的認(rèn)證。若為單級(jí) EMI,則選擇 。 ? Y電容主要用于抑制共模干擾 ? Y電容的存在使得開關(guān)電源有一項(xiàng)漏電流的電性指標(biāo)。 Y電容的作用及取值經(jīng)驗(yàn) Y電容底下又分為 Y1, Y2, Y3, Y4, 主要差別在于 : ? 1. Y1耐高壓大于 8 kV,屬于雙重絕緣或加強(qiáng)絕緣 |額定電壓范圍 ≥ 250V ? 2. Y2耐高壓大于 5 kV,屬于 基本絕緣或附加絕緣 |額定電壓范圍 ≥150V ≤250V ? 3. Y3耐高壓 ≥ ≤5KV 屬于 基本絕緣或附加絕緣 |額定電壓范圍 ≥150V ≤250V ? 4. Y4耐高壓大于 kV屬于基本絕緣或附加絕緣 |額定電壓范圍 150V ? GJB151中規(guī)定 Y電容的容量應(yīng)不大于 。這樣,當(dāng)電路中的正常電流流經(jīng)共模電感時(shí),電流在同相位繞制的電感線圈中產(chǎn)生反向的磁場(chǎng)而相互抵消,此時(shí)正常信號(hào)電流主要受線圈電阻的影響 (和少量因漏感造成的阻尼 );當(dāng)有共模電流流經(jīng)線圈時(shí),由于共模電流的同向性,會(huì)在線圈內(nèi)產(chǎn)生同向的磁場(chǎng)而增大線圈的感抗,使線圈表現(xiàn)為高阻抗,產(chǎn)生較強(qiáng)的阻尼效果,以此衰減共模電流, 抑制高速信號(hào)線產(chǎn)生的電磁波向外輻射發(fā)射, 達(dá)到濾波的目的。在此,假設(shè) Fo=50KHz。此外,匝數(shù)的增加使分布電容也隨之增大,使高頻電流全部經(jīng)過匝間電容流通,造成電感發(fā)熱。共模電感常用磁芯的 μi約在2022~10000之間。 ? 藍(lán)線圈起的部分為 RCD箝位電路 (也稱為關(guān)斷緩沖電路 )。 R= ( Vrest+ ΔVpp ) / ( ΔVpp f C) 其功耗為: P= Le Isc2 f/2 由于 D和 C上都有能量消耗,而且放電時(shí)間可能要短,所以該電阻的實(shí)際功耗可按計(jì)算值的一半考慮。 相關(guān)知識(shí) 什么是漏感? 同一個(gè)磁體上兩個(gè)有互感的線圈 N N2, N1線圈上流過的電流 I1產(chǎn)生的磁通¢ 11分為兩部分,一部分是匝鏈 N N2兩個(gè)線圈的互感磁通,另一部分只與 N1(激勵(lì)線圈)線圈匝鏈,不與 N2線圈匝鏈的漏磁通¢ 1S。 漏感的作用: 漏感會(huì)限制開關(guān)管開通時(shí)的電流上升速度,有降低開通損耗的效果。開通瞬間,由于漏感存在,電流的上升速度降低,漏感呈現(xiàn)的是阻抗形式。 D2為輔助繞組供電整流二極管, R14為限流電阻, C5為低頻濾波電容, C11為高頻濾波電容, R3為過功電阻, R8為驅(qū)動(dòng)電阻, R12 MOS開機(jī)保護(hù)電阻, C12為旁路電容, U3B為光耦反饋端。 關(guān)于反激變壓器的氣隙 變壓器的線徑選擇 變壓器的線徑計(jì)算是有規(guī)定的,特別是反激式電源變壓器更應(yīng)該注意? ? 自然冷卻時(shí) j=~4A/mm2,強(qiáng)迫冷風(fēng)時(shí) 3~5A/mm
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