《初級側(cè)部分上》ppt課件(文件)
【正文】 EMI較好， 但損耗也會較大，故要折中選取。 影響漏感大小的因素： 漏感的產(chǎn)生跟線圈間耦合的緊密程度、線圈的繞制工藝、磁路的幾何形狀、磁介質(zhì)的性能等有關(guān)。電流由于漏感的存在，下降會變慢，關(guān)斷損耗會變大。 PWM IC 功能介紹 R11為 IC工作頻率調(diào)整電阻。 防止磁芯飽和不僅只有開氣隙一種方法，另外一種是增加磁心的體積；不過通常設(shè)計時空間已經(jīng)限制了磁芯的大小，所以實際設(shè)計中開氣隙的方法應(yīng)用的比較多； 這兩種方法都可以使磁心的磁滯回線變得“ 扁平 ” ，這樣對于相同的直流偏壓，就降低了工作磁通的密度。 變壓器檔案的制作要求 ? 舉例說明 ? 變壓器檔案 下次培訓(xùn)講 次級側(cè)部分 謝謝！ 。 ? 在不同的頻率下選取 d也是不同的，在 200KHz以下時，一般為4~5A/mm2，在 200KHz以上時，一般為 2~3A/mm2。 500V高壓啟動電路 電流控制模式 VCC具有過壓保護(hù)功能 具備過載保護(hù)功能 500mA驅(qū)動能力 可調(diào)開關(guān)頻率 內(nèi)置諧波補(bǔ)償電路 MOS管（開關(guān)管）的選擇 MOS管的耐壓選擇： Vdss=2*Vdcmax DS極間耐壓要是兩倍的直流輸入最大電壓 MOS管的耐電流選擇： Idrms=Iout*[(Po/Vdcmin)/1Dmax] Idrms:MOS所通過的電流有效值 Iout:輸出電流 Po:輸出功率 Vdcmin:最小輸入直流電壓值 Dmax：最大占空比 MOS的導(dǎo)通損耗計算 Psw=Idrms^2*Rds 有效電流值的平方乘上 MOS內(nèi)阻 變壓器的簡單設(shè)計 首先確定已知參數(shù)： ? 1）開關(guān)頻率： Fsw； ? 2）變壓器的效率： η； ? 3）最大占空比： Dmax； ? 4）輸入電壓范圍： Vinmin,Vinmax ? 5）輸出電壓 Vout ? 6）輸出電流 Iout ? 7） K=(DCM=1,CCM=~)； ? 8）輸出二極管管壓降 Vf ? 9）輔助繞組電壓 Vb ? 10）輔助繞組二極管管壓降 Vfb 設(shè)計步驟一 ? 輸入功率 Pin=(Vout*Iout) η ? 輸入電流平均值 Iin_avg=Pin/(√2*Vinmin*Dmax) ? 初級電感量Lp=(√2*Vinmin*Dmax)^2/2*Pin*Fsw*K ? 紋波電流 ⊿ I= √2*Vinmin*Dmax/Lp*Fsw 設(shè)計步驟二 ? 再確認(rèn)參數(shù) ? 根據(jù)設(shè)計功率和結(jié)構(gòu)空間選擇磁芯 ? 選好磁芯確定磁芯材質(zhì)選出 ui值 ? 確定材質(zhì)找出相對溫度的 Bs(飽和磁通密度 )一般選擇 60176。電流是從零開始上升的，瞬間電流為零，就形成很大阻抗。但沒有降低導(dǎo)通損耗的效果。對應(yīng)漏磁通產(chǎn)生的感量，稱之為漏感。 P（實際） =P（計算值） /2 ? 關(guān)于 D的取值 ? 耐壓值要超過疊加值的 10%。此部分電路主要用于限制 MOS關(guān)斷時高頻變壓器漏感的能量引起的尖峰電壓和次級線圈反射電壓的疊加，疊加的電壓產(chǎn)生在 MOS管由飽和轉(zhuǎn)向關(guān)斷的過程中，漏感中的能量通過 D向 C充電， C上的電壓可能沖到反電動勢與漏感電壓的疊加值，即： Vrest+ Δ Vpp。 共模電感圈數(shù)的計算 ? 在本電路中，我們選用的磁芯型號為 ? TDK ? 磁芯材質(zhì) PC40 ? μi值 2300 ? AL值 500nH/N^2 共模電感線徑的計算 ? J為無強(qiáng)制散熱情況下每平方毫米所通過的電流值，若有強(qiáng)制散熱可選擇 6A。過高的 ui值使磁芯極易飽和，同時在生產(chǎn)上，制作比較困難，成本較高。則 共模磁芯的選擇 ? 以上，得出的是理論要求的電感值，若想獲得更低的截止頻率，則可進(jìn)一步加大電感量，截止頻率一般不低于
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