初級側(cè)部分上ppt課件(參考版)
2025-05-09 12:02本頁面
【正文】 變壓器檔案的制作要求 ? 舉例說明 ? 變壓器檔案 下次培訓(xùn)講 次級側(cè)部分 謝謝！ 。 ? 在不同的頻率下選取 d也是不同的，在 200KHz以下時，一般為4~5A/mm2，在 200KHz以上時，一般為 2~3A/mm2。 防止磁芯飽和不僅只有開氣隙一種方法，另外一種是增加磁心的體積；不過通常設(shè)計時空間已經(jīng)限制了磁芯的大小，所以實際設(shè)計中開氣隙的方法應(yīng)用的比較多； 這兩種方法都可以使磁心的磁滯回線變得“ 扁平 ” ，這樣對于相同的直流偏壓，就降低了工作磁通的密度。 500V高壓啟動電路 電流控制模式 VCC具有過壓保護功能 具備過載保護功能 500mA驅(qū)動能力 可調(diào)開關(guān)頻率 內(nèi)置諧波補償電路 MOS管（開關(guān)管）的選擇 MOS管的耐壓選擇： Vdss=2*Vdcmax DS極間耐壓要是兩倍的直流輸入最大電壓 MOS管的耐電流選擇： Idrms=Iout*[(Po/Vdcmin)/1Dmax] Idrms:MOS所通過的電流有效值 Iout:輸出電流 Po:輸出功率 Vdcmin:最小輸入直流電壓值 Dmax：最大占空比 MOS的導(dǎo)通損耗計算 Psw=Idrms^2*Rds 有效電流值的平方乘上 MOS內(nèi)阻 變壓器的簡單設(shè)計 首先確定已知參數(shù)： ? 1）開關(guān)頻率： Fsw； ? 2）變壓器的效率： η； ? 3）最大占空比： Dmax； ? 4）輸入電壓范圍： Vinmin,Vinmax ? 5）輸出電壓 Vout ? 6）輸出電流 Iout ? 7） K=(DCM=1,CCM=~)； ? 8）輸出二極管管壓降 Vf ? 9）輔助繞組電壓 Vb ? 10）輔助繞組二極管管壓降 Vfb 設(shè)計步驟一 ? 輸入功率 Pin=(Vout*Iout) η ? 輸入電流平均值 Iin_avg=Pin/(√2*Vinmin*Dmax) ? 初級電感量Lp=(√2*Vinmin*Dmax)^2/2*Pin*Fsw*K ? 紋波電流 ⊿ I= √2*Vinmin*Dmax/Lp*Fsw 設(shè)計步驟二 ? 再確認(rèn)參數(shù) ? 根據(jù)設(shè)計功率和結(jié)構(gòu)空間選擇磁芯 ? 選好磁芯確定磁芯材質(zhì)選出 ui值 ? 確定材質(zhì)找出相對溫度的 Bs(飽和磁通密度 )一般選擇 60176。 PWM IC 功能介紹 R11為 IC工作頻率調(diào)整電阻。電流是從零開始上升的，瞬間電流為零，就形成很大阻抗。電流由于漏感的存在，下降會變慢，關(guān)斷損耗會變大。但沒有降低導(dǎo)通損耗的效果。 影響漏感大小的因素： 漏感的產(chǎn)生跟線圈間耦合的緊密程度、線圈的繞制工藝、磁路的幾何形狀、磁介質(zhì)的性能等有關(guān)。對應(yīng)漏磁通產(chǎn)生的感量，稱之為漏感。 ， R選小，吸收能力較強，且震蕩的周期變長，也就是頻率降低， EMI較好， 但損耗也會較大，故要折中選取。 P（實際） =P（計算值） /2 ? 關(guān)于 D的取值 ? 耐壓值要超過疊加值的 10%。 Ipk^2 RCD電路電阻、二極管的計算 ? 電阻 R： 在變壓器下半周期由截至變?yōu)閷?dǎo)通時， C上的能量經(jīng) R來釋放，直到 C上的電壓將到下次 MOS管關(guān)斷之前的反電動勢 Vrest，在放電的過程中，漏感電動勢 ΔVpp是不變的，通過放電常數(shù) R、 C和變壓器關(guān)斷時間的關(guān)系，可以求得R的值，可以按周期 T的 63%計算： R C= （ Vrest+ ΔVpp ） / ΔVpp 注釋： T=1/f f：為變壓器的工作頻率。此部分電路主要用于限制 MOS關(guān)斷時高頻變壓器漏感的能量引起的尖峰電壓和次級線圈反射電壓的疊加，疊加的電壓產(chǎn)生在 MOS管由飽和轉(zhuǎn)向關(guān)斷的過程中，漏感中的能量通過 D向 C充電， C上的電壓可能沖到反電動勢與漏感電壓的
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