光致發(fā)光pl光譜ppt課件(存儲版)
【正文】 在 PL譜。 低溫 PL譜可以用來比較全面的評價 CZT晶體的質(zhì)量 ， 并由此來推斷晶體的探測性能 。 GaAs材料補(bǔ)償度的測定 補(bǔ)償度 NA/ND（ ND， NA分別為施主、受主雜質(zhì)濃度）是表征材料純度的重要特征參數(shù)。 ?對于深陷阱一類丌發(fā)光的中心，發(fā)光方法顯然是無能為力的。 在上述輻射復(fù)合機(jī)構(gòu)中 ， 前兩種屬于本征機(jī)構(gòu) ， 后面幾種則屬于非本征機(jī)構(gòu) 。其中，有的復(fù)合過程只發(fā)射聲子，有的復(fù)合過程只發(fā)射光子或既發(fā)射光子也發(fā)射聲子 eh eh 聲子參不 eA Dh eD+ DA (a) (b) (c) 圖 1 半導(dǎo)體中各種復(fù)合過程示意圖 （ a） 帶間躍遷 （ b） 帶－雜質(zhì)中心輻射復(fù)合躍遷 （ c） 施主－受主對輻射復(fù)合躍遷 在這個過程中 ， 有六種不同的復(fù)合機(jī)構(gòu)會發(fā)射光子 ， 它們是： （ 1） 自由載流子復(fù)合 —— 導(dǎo)帶底電子與價帶頂空穴的復(fù)合； （ 2） 自由激子復(fù)合 —— 晶體中原子的中性激發(fā)態(tài)被稱為激子 ， 激子復(fù)合也就
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