圖解可控硅培訓(xùn)資料(存儲版)
【正文】 越大,(di/dt)c將取決于負(fù)載特性:外加散熱器的使用:(Rth(ja)或Rth(jc)其次要知道功耗設(shè)計:功耗計算方法: 最小且必要的可控硅門極驅(qū)動電流在DATASHEET中,由于參數(shù)的離散性,所以一般最大值將被寫入規(guī)格書中.驅(qū)動電壓參數(shù):VGT單向可控硅的硅狀結(jié)構(gòu)極其等效電路(C和R不可選的太大) 而且,為了準(zhǔn)確設(shè)定RC值,我們最好做一個BURST測試(IEC610044)ACS/ACST Triac同普通可控硅的抗干擾能力比較:改善抗干擾性,而且降低IGT到適中值但不會太小.避免過壓對策二: 使用Crowbar Triac(見下一頁解釋)ON/OFF 控制(替代繼電器)(責(zé)任編輯：admin)工作模式二: 相位控制1048774。圖解可控硅培訓(xùn)資料(全）ACS/Triac/SCR培訓(xùn)目錄◆介紹: 為什么要用Triacs或者ACSTM◆主要參數(shù):如何選出最好的料號※關(guān)斷狀態(tài): 過壓保護(hù)、抗噪聲干擾※開通過程: 控制極驅(qū)動、動態(tài)特性※直通狀態(tài): RMS電流、熱設(shè)計等※關(guān)斷過程: (di/dt)c、緩沖器?！綦x:因控制端和主回路端沒有隔離,所以在使用時可能會用光藕去做隔離。工作模式一:可控硅在過壓使用時避免過壓對策一: Triac+Varistor例如: Triac耐壓600V,如加一Varistor后,它可使可控硅兩端電壓控制在500V以內(nèi),從而達(dá)到保護(hù)可控硅的目的.注意: Varistor要盡可能小,否則就達(dá)不到保護(hù)的效果.RC噪聲抗干擾參數(shù)的設(shè)計:為了改善可控硅在瞬態(tài)時的抗干擾能力,C將選擇約1nF左右,R將選擇47~75Ω。 第二步:VDRM 和/或VRRM失效,或者第一陽極和第二陽極直接短路.用測量的波形舉例說明di/dt驅(qū)動電流參數(shù):IGT熱設(shè)計: 在做熱設(shè)計時,首先了解穩(wěn)定狀態(tài)時的電流設(shè)計:ITRMS?在給定的最大表面溫度條件下的最大的RMS電流值.(特別是取決于散熱器的尺寸)它是一熱限制計算Zth(jc)或者Zth(ja)的模型:在穩(wěn)定狀態(tài)下的散熱器影響: (dv/dt
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