圖解可控硅培訓資料(文件)
【正文】 的電流幅度.其次要知道功耗設(shè)計:功耗計算方法:舉例說明熱設(shè)計:外加散熱器的使用:(Rth(ja)或Rth(jc)ITSM參數(shù):定義?最大的浪涌電流(),超過ITSM,可控硅將會短路或開路失效。(責任編輯：admin)(di/dt)c將取決于負載特性: (di/dt)c相對于(dv/dt)c: 減少(dv/dt)c方法:加一RC網(wǎng)絡(luò) 注意:(di/dt)c值僅僅取決于負載,它意味著必須選擇好的AC Switch去維持此值!例如ACS/ACST系列 產(chǎn)品. 結(jié)溫對(di/dt)c的影響:TJ越大,(di/dt)c將取決于負載特性:無緩沖網(wǎng)絡(luò)的雙向可控硅:不存在(dv/dt)c的限制!只要檢查關(guān)斷過程中的di/dt(可能由負載造成)注意:無緩沖網(wǎng)絡(luò)的雙向可控硅僅有三象限!保持電流IH:當IT低于IH時,可控硅將被關(guān)斷!高結(jié)溫可控硅:高結(jié)溫可控硅產(chǎn)品范圍:減少(dv/dt)c方法:加一RC網(wǎng)絡(luò)注意:(di/dt)c值僅僅取決于負載,它意味著必須選擇好的AC Switch去維持此值!例如ACS/ACST系列產(chǎn)品.關(guān)斷過程中的參數(shù): (di/dt)c amp。浪涌電流能力:下圖舉例說明”浪涌峰值通態(tài)電流的次數(shù)”,它可供脈沖周期大于20MS的場合。如何計算和使用Zth(t)參數(shù)?疊加原理:功率積分:也可以用DATAHSHEET中的圖表和下面等式去近似獲得功耗值:最小門極電流持續(xù)時間的設(shè)計:i(t)=Ipeak*sin(wt) 由于最大IGT流過時所產(chǎn)生的門極電壓.雙向可控硅Q1/Q3驅(qū)動的應用:需在門極加一DIAC,或加帶PI型網(wǎng)絡(luò)的隔離光藕. 等效電路:符號:PIN腳指定順序:KAG注意:單向可控硅總是正極電流驅(qū)動雙向可控硅的硅狀結(jié)構(gòu)請注意:對于雙向可控硅,它既可正向電流驅(qū)動,亦可反向電流驅(qū)動,取決于具體的可控硅型號(參考DATAHSEET) 第一步:IGT超過規(guī)格可控硅在使用過高的di/dt后的損壞現(xiàn)象:對于雙向可控硅(Triac)的電子噪聲抗干擾的措施:加一Pi
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