圖解可控硅培訓(xùn)資料-資料下載頁
2025-04-01 23:31本頁面
【正文】 影響熱阻因素:針對功率SMD器件的銅散熱片a)銅箔厚度b)PCB板厚度c)銅表面處理瞬態(tài)電流設(shè)計注意事項:什么是Zth參數(shù)?由于消耗功率脈沖帶來的溫度升高!如何計算和使用Zth(t)參數(shù)?疊加原理:功率積分:計算Zth(jc)或者Zth(ja)的模型:在穩(wěn)定狀態(tài)下的散熱器影響:外加散熱器的使用:(Rth(ja)或Rth(jc)瞬態(tài)過流設(shè)計:ITSM定義?不可重復(fù)的最大浪涌電流能力浪涌電流能力:下圖舉例說明”浪涌峰值通態(tài)電流的次數(shù)”,它可供脈沖周期大于20MS的場合。ITSM參數(shù):定義?最大的浪涌電流(),超過ITSM,可控硅將會短路或開路失效。I2t參數(shù):定義?保護器件的熔化特性最大不可重復(fù)電流能力的評價:關(guān)斷過程中的參數(shù): (di/dt)c amp。 (dv/dt)c在感性負(fù)載應(yīng)用中,電流和電壓總是不在同一相位,在關(guān)斷時,IT=0,但VT≠0如果設(shè)計時超過DATASHEET中的指定的(di/dt)c或者(dv/dt)c,可控硅可能將保持導(dǎo)通.(此時IG=0)(責(zé)任編輯：admin)(di/dt)c將取決于負(fù)載特性: (di/dt)c相對于(dv/dt)c: 減少(dv/dt)c方法:加一RC網(wǎng)絡(luò) 注意:(di/dt)c值僅僅取決于負(fù)載,它意味著必須選擇好的AC Switch去維持此值!例如ACS/ACST系列 產(chǎn)品. 結(jié)溫對(di/dt)c的影響:TJ越大,(di/dt)c將取決于負(fù)載特性:(di/dt)c相對于(dv/dt)c:減少(dv/dt)c方法:加一RC網(wǎng)絡(luò)注意:(di/dt)c值僅僅取決于負(fù)載,它意味著必須選擇好的AC Switch去維持此值!例如ACS/ACST系列產(chǎn)品.結(jié)溫對(di/dt)c的影響:TJ越大,(di/dt)越小無緩沖網(wǎng)絡(luò)的雙向可控硅:不存在(dv/dt)c的限制!只要檢查關(guān)斷過程中的di/dt(可能由負(fù)載造成)注意:無緩沖網(wǎng)絡(luò)的雙向可控硅僅有三象限!舉例說明無緩沖網(wǎng)絡(luò)的雙向可控硅的優(yōu)點保持電流IH:當(dāng)IT低于IH時,可控硅將被關(guān)斷!高結(jié)溫可控硅:高結(jié)溫可控硅產(chǎn)品范圍:ACS/ACST可控硅選用指南:(責(zé)任編輯：admin)34 / 34
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