圖解可控硅培訓(xùn)資料-資料下載頁(yè)
2025-04-01 23:31本頁(yè)面
【正文】 影響熱阻因素:針對(duì)功率SMD器件的銅散熱片a)銅箔厚度b)PCB板厚度c)銅表面處理瞬態(tài)電流設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):什么是Zth參數(shù)?由于消耗功率脈沖帶來(lái)的溫度升高!如何計(jì)算和使用Zth(t)參數(shù)?疊加原理:功率積分:計(jì)算Zth(jc)或者Zth(ja)的模型:在穩(wěn)定狀態(tài)下的散熱器影響:外加散熱器的使用:(Rth(ja)或Rth(jc)瞬態(tài)過(guò)流設(shè)計(jì):ITSM定義?不可重復(fù)的最大浪涌電流能力浪涌電流能力:下圖舉例說(shuō)明”浪涌峰值通態(tài)電流的次數(shù)”,它可供脈沖周期大于20MS的場(chǎng)合。ITSM參數(shù):定義?最大的浪涌電流(),超過(guò)ITSM,可控硅將會(huì)短路或開(kāi)路失效。I2t參數(shù):定義?保護(hù)器件的熔化特性最大不可重復(fù)電流能力的評(píng)價(jià):關(guān)斷過(guò)程中的參數(shù): (di/dt)c amp。 (dv/dt)c在感性負(fù)載應(yīng)用中,電流和電壓總是不在同一相位,在關(guān)斷時(shí),IT=0,但VT≠0如果設(shè)計(jì)時(shí)超過(guò)DATASHEET中的指定的(di/dt)c或者(dv/dt)c,可控硅可能將保持導(dǎo)通.(此時(shí)IG=0)(責(zé)任編輯：admin)(di/dt)c將取決于負(fù)載特性: (di/dt)c相對(duì)于(dv/dt)c: 減少(dv/dt)c方法:加一RC網(wǎng)絡(luò) 注意:(di/dt)c值僅僅取決于負(fù)載,它意味著必須選擇好的AC Switch去維持此值!例如ACS/ACST系列 產(chǎn)品. 結(jié)溫對(duì)(di/dt)c的影響:TJ越大,(di/dt)c將取決于負(fù)載特性:(di/dt)c相對(duì)于(dv/dt)c:減少(dv/dt)c方法:加一RC網(wǎng)絡(luò)注意:(di/dt)c值僅僅取決于負(fù)載,它意味著必須選擇好的AC Switch去維持此值!例如ACS/ACST系列產(chǎn)品.結(jié)溫對(duì)(di/dt)c的影響:TJ越大,(di/dt)越小無(wú)緩沖網(wǎng)絡(luò)的雙向可控硅:不存在(dv/dt)c的限制!只要檢查關(guān)斷過(guò)程中的di/dt(可能由負(fù)載造成)注意:無(wú)緩沖網(wǎng)絡(luò)的雙向可控硅僅有三象限!舉例說(shuō)明無(wú)緩沖網(wǎng)絡(luò)的雙向可控硅的優(yōu)點(diǎn)保持電流IH:當(dāng)IT低于IH時(shí),可控硅將被關(guān)斷!高結(jié)溫可控硅:高結(jié)溫可控硅產(chǎn)品范圍:ACS/ACST可控硅選用指南:(責(zé)任編輯：admin)34 / 34
規(guī)章制度相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1