圖解可控硅培訓(xùn)資料-wenkub
2023-04-16 23:31:54 本頁面
【正文】 (標準4象限或者內(nèi)置緩沖器以及邏輯電平、高結(jié)溫等)※ACS (利用半導(dǎo)體工藝內(nèi)置像過壓等一些功能)※ACST (第一代集功率功能和ACST功能的交流開關(guān)控制,今后將陸續(xù)推出更高功率的新一代產(chǎn)品)圖解可控硅培訓(xùn)資料(全）ACS/Triac/SCR培訓(xùn)目錄◆介紹: 為什么要用Triacs或者ACSTM◆主要參數(shù):如何選出最好的料號※關(guān)斷狀態(tài): 過壓保護、抗噪聲干擾※開通過程: 控制極驅(qū)動、動態(tài)特性※直通狀態(tài): RMS電流、熱設(shè)計等※關(guān)斷過程: (di/dt)c、緩沖器。交流開關(guān)方案從下圖方案中,我們將發(fā)現(xiàn)Triac方案是最便宜的交流靜態(tài)開關(guān)方案!!!有且僅當正向門極觸發(fā)電流時,電流才可以開始從陽極A流向陰極K,一旦導(dǎo)通后,即使移開門極觸發(fā)電流,在保持陽極電壓大于陰極電壓條件下,SCR將依舊保持導(dǎo)通,有且僅當門極電流和ISCR減少到0時,SCR將被關(guān)斷.ON/OFF 控制(替代繼電器)(責任編輯：admin)工作模式二: 相位控制1048774。用于燈光控制和馬達速度控制等,導(dǎo)通角(α)可以在0℃~180℃ 范圍內(nèi)變化.避免過壓對策二: 使用Crowbar Triac(見下一頁解釋)減少Rgk后,一部分寄生電容電流將被Rgk旁路,從而達到抗干擾目的.對于單向可控硅(SCR)的電子噪聲抗干擾的另一措施:減少Rgk和增加一電容Cgk,將提高dV/dt.(此措施尤其對大于8A的SCR有效)(C和R不可選的太大) 而且,為了準確設(shè)定RC值,我們最好做一個BURST測試(IEC610044)ACS/ACST Triac同普通可控硅的抗干擾能力比較:改善抗干擾性,而且降低IGT到適中值但不會太小.單向可控硅的硅狀結(jié)構(gòu)極其等效電路內(nèi)部結(jié)構(gòu):雙向可控硅Q1/Q4驅(qū)動的應(yīng)用:第一陽極(A1)和VSS相連,通常我們不推薦Q4驅(qū)動,因為它相比于其它象限di/dt能力稍小些以及要求較高的IGT. 最小且必要的可控硅門極驅(qū)動電流在DATASHEET中,由于參數(shù)的離散性,所以一般最大值將被寫入規(guī)格書中.驅(qū)動電壓參數(shù):VGT門鎖電流:IL定義:當移開門極驅(qū)動時,陽極最小且必要保持導(dǎo)通
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