圖解可控硅培訓資料(參考版)
2025-04-04 23:31本頁面
【正文】 保持電流IH:當IT低于IH時,可控硅將被關斷!高結溫可控硅:高結溫可控硅產(chǎn)品范圍:無緩沖網(wǎng)絡的雙向可控硅:不存在(dv/dt)c的限制!只要檢查關斷過程中的di/dt(可能由負載造成)注意:無緩沖網(wǎng)絡的雙向可控硅僅有三象限!減少(dv/dt)c方法:加一RC網(wǎng)絡注意:(di/dt)c值僅僅取決于負載,它意味著必須選擇好的AC Switch去維持此值!例如ACS/ACST系列產(chǎn)品.(責任編輯：admin)(di/dt)c將取決于負載特性: (di/dt)c相對于(dv/dt)c: 減少(dv/dt)c方法:加一RC網(wǎng)絡 注意:(di/dt)c值僅僅取決于負載,它意味著必須選擇好的AC Switch去維持此值!例如ACS/ACST系列 產(chǎn)品. 結溫對(di/dt)c的影響:TJ越大,(di/dt)c將取決于負載特性:關斷過程中的參數(shù): (di/dt)c amp。ITSM參數(shù):定義?最大的浪涌電流(),超過ITSM,可控硅將會短路或開路失效。浪涌電流能力:下圖舉例說明”浪涌峰值通態(tài)電流的次數(shù)”,它可供脈沖周期大于20MS的場合。外加散熱器的使用:(Rth(ja)或Rth(jc)如何計算和使用Zth(t)參數(shù)?疊加原理:功率積分:舉例說明熱設計:也可以用DATAHSHEET中的圖表和下面等式去近似獲得功耗值:其次要知道功耗設計:功耗計算方法:最小門極電流持續(xù)時間的設計:i(t)=Ipeak*sin(wt)門鎖電流:IL定義:當移開門極驅動時,陽極最小且必要保持導通的電流幅度. 由于最大IGT流過時所產(chǎn)生的門極電壓. 最小且必要的可控硅門極驅動電流在DATASHEET中,由于參數(shù)的離散性,所以一般最大值將被寫入規(guī)格書中.驅動電壓參數(shù):VGT雙向可控硅Q1/Q3驅動的應用:需在門極加一DIAC,或加帶PI型網(wǎng)絡的隔離光藕.雙向可控硅Q1/Q4驅動的應用:第一陽極(A1)和VSS相連,通常我們不推薦Q4驅動,因為它相比于其它象限di/dt能力稍小些以及要求較高的IGT. 等效電路:符號
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