緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)(存儲版)
【正文】 E1BE1JJRR ???口口? 當(dāng)電流繼續(xù)增大到 可以被忽略時，則 nErEJJ1BE1口口RR??? 當(dāng)電流很大時， α 又會開始下降，這是由于大注入效應(yīng)和基區(qū)擴展效應(yīng)引起的。 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 （ HBT） 式中， ，當(dāng) 時， ，則 GEGBG EEE ??? GBGE EE ? 0G ??E?????? ?????kTERRRRGB1EB1Ee x p11口口異口口同??1ex p G ??????? ?kTE同異 ?? ? 若選擇不同的材料來制作發(fā)射區(qū)與基區(qū)，使兩區(qū)具有不同的禁帶寬度，則 常見的 HBT 結(jié)構(gòu)是用 GaAs 做基區(qū)， AlxGa1xAs 做發(fā)射區(qū)。 。 由于基區(qū)陷落效應(yīng)，使得結(jié)深不易控制，難以將基區(qū)寬度做得很薄。 BB0Bbn E n E( ) dWq n x xQJJ? ?? ????????? ??????1122 B2Bb DW?2Bn2112W eD?? ? ????? ? ? ?????? ?BnE BBn1 e xp 1() xWJWnxqD??? ? ??????? 利用上面得到的基區(qū)渡越時間 ?b ，可得 緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)輸運系數(shù) 為 ???????? ???????????? 112211 2B2BBbLW?? 注入效率與電流放大系數(shù) 22 BEnE p B 1 n i2 BEp n B 1 ie xp 1e xp 1qVJ q R D nkTqVqk T R nkT????????? ?????????????? ????????口口BB1pB01dWRq N x???口 根據(jù)非均勻材料方塊電阻表達式，緩變基區(qū)的方塊電阻為 于是 JnE 可表示為 B2n i B EnEB0e x p 1dWq D n q VJkTNx??????????????? 已知 （ 343a）
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