第一章集成電路的基本工藝(存儲版)
【正文】 AL N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 集成電路中雙極型晶體管的工藝復合圖 橫向晶體管剖面圖 C B E N P PNP P+ P+ P P 縱向晶體管剖面圖 C B E N P C B E N P N+ p+ NPN PNP MOS集成電路的基本制造工藝 N溝硅柵 E/D MOS集成電路工藝 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 1. 光刻 1阱區(qū)光刻，刻出阱區(qū)注入孔 NSi NSi SiO2 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 2. 阱區(qū)注入及推進，形成阱區(qū) NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 3. 去除 SiO2， 長薄氧，長 Si3N4 NSi P Si3N4 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 4. 光刻 2有源區(qū)光刻 NSi P Si3N4 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 5. 光刻 3N管場區(qū)光刻， N管場區(qū)注入，以提高場開啟，減少閂鎖效應及改善阱的接觸。 光刻膠 NSi P As 8：光刻接觸孔 CMOS集成電路工藝
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