【摘要】半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展簡(jiǎn)史?半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)?半導(dǎo)體材料的分類什么是半導(dǎo)體?按照不同的標(biāo)準(zhǔn),有不同的分類方式。按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-01-14 10:05
【摘要】第八章光刻哈爾濱工程大學(xué)微電子學(xué)半導(dǎo)體器件與工藝光刻工藝是半導(dǎo)體工藝過程中非常重要的一道工序,它是用來在晶圓表面建立圖形的工藝過程。這個(gè)工藝過程的目標(biāo)有兩個(gè)。首先是在晶圓表面建立盡可能接近設(shè)計(jì)規(guī)則中所要求尺寸的圖形;第二個(gè)目標(biāo)是在晶圓表面正確定位圖形。整個(gè)電路圖形必須被正確地定位于晶圓表面,電路圖形上單獨(dú)的每一部分之間的相對(duì)位置也必須是
2025-03-01 04:32
【摘要】半導(dǎo)體封裝過程集成質(zhì)量信息系統(tǒng)研究何曙光*,1,齊二石1,李莉2(,天津300072;2.天津職業(yè)大學(xué)電信工程學(xué)院,天津300403)摘要:在對(duì)半導(dǎo)體封裝過程進(jìn)行深入分析的基礎(chǔ)上,提出了基于產(chǎn)品,原材料,規(guī)格和設(shè)備的靜態(tài)集成模型、基于工單和工序的數(shù)據(jù)集成模型以及基于中央數(shù)據(jù)庫的質(zhì)量工具集成模型,這些質(zhì)量工具包括統(tǒng)計(jì)過程控制(SPC,StatisticalQuality
2025-06-28 09:26
【摘要】雙極型晶體管哈爾濱工程大學(xué)微電子學(xué)半導(dǎo)體器件與工藝雙極型晶體管n晶體管的基本結(jié)構(gòu)和分類雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n均勻基區(qū)晶體管和緩變基區(qū)晶體管均勻基區(qū)晶
【摘要】寬禁帶半導(dǎo)體材料與工藝寬禁帶半導(dǎo)體的概念和發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體(WBS)是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。這類材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化鎵、)AlN(氮化鋁)、ZnSe(硒化鋅)以及金剛石等。第二代半導(dǎo)體GaAs與Si相比除了禁帶寬度增大外,其電子遷移率與
2025-08-05 05:08
【摘要】模擬電子技術(shù)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)知識(shí)目標(biāo):;P、N型半導(dǎo)體的性質(zhì);PN結(jié)的性質(zhì)。PN結(jié)的性質(zhì)PN結(jié)的形成原理第1講教學(xué)目標(biāo)教學(xué)重點(diǎn)教學(xué)難點(diǎn)能力目標(biāo):會(huì)檢測(cè)PN結(jié)的性質(zhì)。模擬
2025-08-15 21:00
【摘要】導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體物體的導(dǎo)電能力,一般用材料電阻率的大小來衡量。電阻率越大,說明這種材料的導(dǎo)電能力越弱。表1-1給出以電阻率來區(qū)分導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體的大致范圍。物體電阻率導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體Ω·CM10e9
2025-01-13 12:26
【摘要】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)張俠半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)什么是半導(dǎo)體半導(dǎo)體的分類PN結(jié)二極管三極管MOS什么是半導(dǎo)體什么是半導(dǎo)體導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料,叫做半導(dǎo)體,例如硅、鍺等。典型的半導(dǎo)體是以共價(jià)鍵結(jié)合為主的,半導(dǎo)體靠電子或空穴導(dǎo)電。它的導(dǎo)電性一般通過摻入雜質(zhì)原子取代原來
2025-02-18 23:10
【摘要】半導(dǎo)體材料(semiconductormaterial)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。一、半導(dǎo)體材料主要種類半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分,再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨(dú)列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為
2025-01-08 03:45
【摘要】熱烈歡迎________________一行蒞臨指導(dǎo)返回目錄主題半導(dǎo)體(LED)照明介紹返回目錄第一部分半導(dǎo)體(LED)照明簡(jiǎn)介返回目錄4人類光源發(fā)展歷史全球半導(dǎo)體照明工程(LED)
2025-05-13 17:47
【摘要】2021/03模擬電路第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體的基本知識(shí)半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管BJT模型2021/03模擬電路半導(dǎo)體的基本知識(shí)在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力,可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge,它們都是4價(jià)元素。sisi硅原
2024-10-18 22:17
【摘要】天津大學(xué)2023年10月28日馮亞東?LED應(yīng)用范圍及特點(diǎn)?LED產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)預(yù)期?LED產(chǎn)業(yè)鏈?LED應(yīng)用示范案例?中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇主要內(nèi)容生活中的LEDLED水溫儀激光蝕刻法LED背光鍵盤LED防撞雨傘LED概念腕表SMSpillow情緒傳感器L
2025-01-08 03:13
【摘要】鍍膜工藝北京亞科晨旭科技有限公司2023年12月基本概念真空等離子體真空真空的含義是指在給定的空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓力的氣體狀態(tài),是一種物理現(xiàn)象。真空度的高低可以用多個(gè)參量來度量,最常用的有“真空度”和“壓強(qiáng)”單位Pa1Pa=1N/㎡=*10-3Torr1mmHg=1Torr=133Pa
2025-03-01 12:21
【摘要】半導(dǎo)體行業(yè)分析報(bào)告一、半導(dǎo)體行業(yè)及子行業(yè)概述1、行業(yè)及子行業(yè)概述?主要定義?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是高新技術(shù)的核心,是構(gòu)成計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子以及通信等各類信息技術(shù)產(chǎn)品的基本元素。從全球范圍來看,它以芯片制造為核心進(jìn)行相關(guān)產(chǎn)業(yè)的展開。在我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要包括三個(gè)子行業(yè):半導(dǎo)體材料、
2025-01-06 09:18
【摘要】第一章緒論1.半導(dǎo)體材料的五大特性:整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、負(fù)電阻溫度效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)和霍爾效應(yīng)所謂光電導(dǎo)效應(yīng),是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。電導(dǎo)與所加電場(chǎng)的方向有關(guān),在它兩端加一個(gè)正向電壓,它是導(dǎo)通的;如果把電壓極性反過來,它就不導(dǎo)通,這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)。2.能帶結(jié)構(gòu)3.外延生長(zhǎng):在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶薄
2025-01-09 18:29