【摘要】2021/03模擬電路第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體的基本知識(shí)半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管BJT模型2021/03模擬電路半導(dǎo)體的基本知識(shí)在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力,可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge,它們都是4價(jià)元素。sisi硅原
2024-10-18 22:17
【摘要】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)晶體三極管場(chǎng)效應(yīng)管單結(jié)晶體管和晶閘管半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦运?、PN結(jié)的電容效應(yīng)一、本征半導(dǎo)體根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體-鐵、鋁、銅等金屬元素
2025-08-04 09:14
【摘要】主講人:申鳳娟21半導(dǎo)體器件2基本放大電路及其分析設(shè)計(jì)方法6模擬電子技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展3放大電路的頻率響應(yīng)與負(fù)反饋技術(shù)4通用集成運(yùn)放及其應(yīng)用5波形發(fā)生電路7直流穩(wěn)壓電源CONTENTS內(nèi)容大綱C3第一章4第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
2025-01-21 18:23
【摘要】第十一章半導(dǎo)體材料制備生長(zhǎng)技術(shù)?體單晶生長(zhǎng)技術(shù)單晶生長(zhǎng)通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導(dǎo)體硅的單晶生長(zhǎng)可以獲得電子級(jí)(%)的單晶硅?外延生長(zhǎng)技術(shù)外延指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱(chēng)“外延層”。晶體生長(zhǎng)問(wèn)
2024-12-08 07:59
【摘要】我的信息最高能帶填滿(mǎn),再高的各能帶是空的5~7gEeV?2gEev?由于熱激發(fā),滿(mǎn)帶電子躍遷到上面的空帶,兩個(gè)能帶都成了不滿(mǎn)帶,具備導(dǎo)電能力。為什么Si、Ge是半導(dǎo)體而金剛石是絕緣體?Ge的4個(gè)價(jià)電子Si的4個(gè)價(jià)電子金剛石的4個(gè)價(jià)電子134,
2025-08-01 06:42
【摘要】第五章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)二極管的單相導(dǎo)電特性特殊二極管三極管的基本結(jié)構(gòu)和電流放大特性場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)介電子技術(shù)是利用半導(dǎo)體器件完成對(duì)電信號(hào)處理的技術(shù)。它包括模擬電子和數(shù)字電子。處理的電信號(hào)為連續(xù)變化的信號(hào)時(shí),我們使用的電路為模擬電路。處理的信號(hào)為不連續(xù)變化、只有在其高低電
2025-05-06 12:43
【摘要】半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展簡(jiǎn)史?半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)?半導(dǎo)體材料的分類(lèi)什么是半導(dǎo)體?按照不同的標(biāo)準(zhǔn),有不同的分類(lèi)方式。按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-01-14 10:05
【摘要】本資料來(lái)源1Chapter4常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件2Chapter4常用半導(dǎo)體器件主要內(nèi)容?半導(dǎo)體的基本知識(shí)與PN結(jié)?半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路?雙極型三極管及其特性參數(shù)?場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路Chapter4常用半導(dǎo)體器件對(duì)于元器件,重點(diǎn)放在特性、參數(shù)、技術(shù)指標(biāo)和對(duì)于元器件,重點(diǎn)放在特性、參數(shù)、技術(shù)指標(biāo)和正確
2025-02-19 14:35
【摘要】2008-2012年中國(guó)半導(dǎo)體照明(LED)產(chǎn)業(yè)研究及發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告目錄第一章LED常識(shí)概述 10第一節(jié)LED定義及分類(lèi) 10一、LED的定義 10 10三、LED優(yōu)勢(shì) 11四、LED劣勢(shì)分析 12五、LED的發(fā)光原理 12六、LED的產(chǎn)品性
2025-05-02 12:21
【摘要】Chapter2BasicPropertiesofBipolarJunctionTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices第二章雙極結(jié)型晶體管基本特性Chapter
2025-04-29 04:52
【摘要】SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTORPHYSICS西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體表面和表面能級(jí)Si-SiO2系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理表面能帶彎曲與反型表面復(fù)合第五章半導(dǎo)體表面Schoo
2025-07-18 13:44
【摘要】SemiconductorPhysicsChapter1上海交通大學(xué)成教院電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)半導(dǎo)體物理學(xué)SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsChapter1電話(huà):36033332(H)13482657996(M)上海交通大學(xué)微納科學(xué)技術(shù)
2025-08-01 14:52
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件1雙極型晶體管及相關(guān)器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理PhysicsofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件2本章內(nèi)容?雙極型晶體管的工作原理?雙極型晶體管的靜態(tài)特性
2025-01-13 12:25
【摘要】模擬電子電路與技術(shù)基礎(chǔ)西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院主講教師:張進(jìn)成教材:模擬電子電路及技術(shù)基礎(chǔ)(第二版),孫肖子主編,西安電子科技大學(xué)出版社,2022年1月授課順序:第二篇(半導(dǎo)體器件及集成電路--原理基礎(chǔ)篇):4-10章第一篇(模擬集成電路系統(tǒng)--應(yīng)用基礎(chǔ)篇):1-3章教師聯(lián)系方式:電子郵件
2025-04-29 05:34
【摘要】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體概念:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。特點(diǎn)是:①導(dǎo)電性能受環(huán)境因素影響;②可通過(guò)某種工藝改變其導(dǎo)電性能。電子器件采用的半導(dǎo)體材料:主要是硅材料和鍺材料。其次還有砷化鎵和磷化鎵材料。——半導(dǎo)體材料在制造電子器件之前首先要經(jīng)過(guò)提純。經(jīng)過(guò)提純的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于其晶體結(jié)構(gòu)。硅材料和鍺材料的晶體
2025-04-29 13:13