【正文】 7． 如 題 圖 57 所示 為雙門(mén)限比較器 。 解： 題 圖 55所示 第一級(jí)為反相加法器，因此 )( 1331221111 RvRvRvRv iiifo ???? （ 2）把 1ov 看作已知量， 寫(xiě)出 ov 的表達(dá)式 （式中包含 1ov ） 。試求 閉環(huán) 電壓放大倍數(shù) fA 。 A、 線性 應(yīng)用 B、 非線性 應(yīng)用 C、 線性 應(yīng)用和 非線性 應(yīng)用 2． 集成運(yùn)放在運(yùn)算電路中，一般工作 C 狀態(tài)。 （ √ ） 4．在運(yùn)算電路中，集成運(yùn)放的反相端均為“虛地”。 7． 電壓比較器電路中， 集成 運(yùn)放工作在 非線性 區(qū)時(shí)，不是處于 開(kāi)環(huán) 狀態(tài) （沒(méi)有引入反饋），就是 引入了 正反饋 。 （ 3） 若 反饋 電阻 fR 從 VT2 發(fā)射極 改接到集電極 ，情況如何 ？ 答：反饋信號(hào)為 交、直流并存，電壓并聯(lián)正 反饋 。 （ 3） 若 反饋 電阻 fR 從 VT1 發(fā) 射極 改接到 基極 ，情況如何 ？ 答：反饋信號(hào)為 交流、電壓串聯(lián)正 反饋 。 A．電壓 B．電流 C．串聯(lián) 6． 交流負(fù)反 饋是指 B 。 （ ⅹ ） 11． 放大器 引入 負(fù)反饋后，雖然放大倍數(shù)下降了，但穩(wěn)定性提高了。 （ ⅹ ） 3． 只要在放大電路中引入 負(fù)反饋， 就 能使其 部分 性能得到改善 。 。 4． 采用輸出短路法可判斷是 電壓 反饋還是 電流 反饋。 Rc與 VT3 發(fā)射結(jié) 并接， 組成過(guò)流保護(hù)電路。 已知 VI=10V ， VZ=，則 VR= VI VZ=（ ） V= 因此 IR= VR/R 代入數(shù)據(jù)，得 IR=所以 IZ= IR IB=9 mA （ 5）晶體管 VT1 的功耗 為多少？ 解： 晶體管 VT1 的功耗等于管壓降與通過(guò)電流之積，即 CCE IVP ?? 代入數(shù)據(jù)，得 CoI IVVP ??? )( =（ 105） V? 200mA =1W 4．在題 圖 31所示電路 中， 已知 R1=R2=R3=1kΩ， RL=100Ω，穩(wěn)壓管 VZ=， R0=3Ω。 題 圖 33 六 、 計(jì)算題 1． 硅穩(wěn)壓管穩(wěn) 壓電路 如 題 圖 34 所示 ， 若 VI=12V， VZ=6V， R=300Ω，RL=1kΩ。 A． 正偏 B、反偏 C． 大于 D． 小于 E． 導(dǎo)通 F． 截止 5．在 單相橋式整流電路中，若一只 整流 管 接反，則 C 。 （ √ ） 4． 單相 半波 整流電路 輸出的直流電壓可以是正值 ， 也可以是負(fù)值。固定式三端穩(wěn)壓器屬 于 串聯(lián) 調(diào)整式， 內(nèi)部結(jié)構(gòu) 復(fù)雜，除了基準(zhǔn)、取樣、比較放大和調(diào)整外，還有啟動(dòng)電路、過(guò)流、 過(guò)壓保護(hù) 。 5．對(duì)于單相橋式整流電路來(lái)說(shuō)，每輸入一個(gè)周期的正弦交流電壓，在負(fù)載上可得到 全波脈動(dòng) 的電壓。試回答下列問(wèn)題 （取小數(shù)點(diǎn)后一位） 。反之，集電結(jié)正偏導(dǎo)通，嚴(yán)重影響測(cè)量結(jié)果。 解：（ 1） ?? kVIBQ 24012=50μA 于是 BQCQ II ?? =40? 50μA=2mA 因此 VkmAVRIVV cCQGC E Q 63212 ??????? （ 2）由EQbe ImVr 26)1(300 ???? （ Ω） ， 得 mAmVrbe 226)401(300 ??? =833（ Ω） 因?yàn)?bebi rRr //? ，但 bR =240kΩ，所以 ir ≈ ber ，即 輸入電阻 ir ir ≈ 833（ Ω） 輸出電阻 or or = Rc=3kΩ 空載電壓放大倍數(shù) vA becv rRA ??? = ???? 833340 k ≈ 144（倍） 3． 如 題 圖 24所示電路 都沒(méi)有正常放大作用 ， 試通過(guò)畫(huà)直流 通路來(lái)分析放大器失去放大作用的原因。 A． 飽和失真 B． 截止失真 C． 交越失真 D． 增大 E． 減小 3．共射 放大器的輸入信號(hào)加在晶體管的 A 之間。 （ √ ） 20．多級(jí)放大器的級(jí)數(shù)越多，電壓放大倍數(shù)越大，通頻帶越寬。 （ ⅹ ） 12． 電路中各電量的交流成分是由 交流 信號(hào)源提供的 。 （ ⅹ ） 4．信號(hào)通過(guò)放大器后，其波形發(fā)生了與原貌不同的現(xiàn)象稱為波形失真 。 22． 多級(jí)放大器 的耦合方式有 阻容耦合 、 變壓器耦合 、 直 接耦合 三種形式；其中 直接耦合 方式的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，在集成電路常被采用。 14． 在引起 Q點(diǎn)不穩(wěn)定的諸多因素中， 溫度 對(duì)晶體管參數(shù)的影響是主要因素。 7． 放大 器中的電壓、電流瞬時(shí)值包含 直流 分量和 交流 分量?jī)刹糠帧? （ 3） 保持 Rb 不變，改變 Rc，若使 晶體管剛好飽和，這時(shí) Rc為多少？ 解： 若 bR 、 ? 不變，則 BI =20μA， mAIC ? ； 若使 晶體管剛好飽和 ， 則 ?????? kmA VI VVR C C E SCCc )( （ 4） 保持 Rc 不變，改變 Rb，若使 晶體管剛好飽和，這時(shí) Rb為多少？ 解： 若 cR 、 ? 不變， 要想 使 晶體管剛好飽和，則 ????? k VR VVI c C E SCCC )(= 剛好飽和 時(shí) BI 和 CI 滿足線性關(guān)系，即?CB II ?， 則 mAII CB ?? ?≈ ， 于是有 AVI VVR B BEBBb ? )( ????≈ （ 5） 保持 Rb、 Rc不變，僅改變 晶體管樣品，若 使 晶體管剛好飽和，這時(shí) β值 為多少？ 解： 基極回路： bR 不變 ，由前述計(jì)算得 BI =20μA 輸出回路 ： cR 不變， 由前述計(jì)算得 mAIC ? 因此 ， 選擇其它晶體管，要使 BI =20μA放大到 mAIC ? ，題 圖 19 9 有 BC II /?? =116倍。 這樣，電阻 R 上的電流 IR=（ E3E2） /R=（ 93） V/300Ω =20 mA （ b ） 二極管 VD VD2 都有導(dǎo)通的趨勢(shì)。在圓圈中畫(huà)出管子，并分別說(shuō)明管子是硅管還是鍺管。 A、（ B、 C、 E） B、（ C、 B、 E） C、（ E、 C、 B） D、（ NPN） E、（ PNP） 7． 當(dāng)晶體管 工作于放大 狀態(tài) 時(shí)，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)應(yīng)為 B 。 （ √ ） 15．晶體管發(fā)射結(jié)正偏時(shí)，它一定處于導(dǎo)通狀態(tài)。 （ √ ） 7． 從 PN結(jié)兩個(gè)雜質(zhì) 半導(dǎo)體 引出兩個(gè)電極，并配以合適封裝，就成為二極管。 23．使 晶閘管陽(yáng)極電流減小到一定數(shù)值 IH時(shí)，會(huì)導(dǎo)致晶閘管不能維持正向?qū)?，這種關(guān)斷稱為 正向阻斷 ， IH 稱為 維持電流 。 15絕大多數(shù)情 況下，不能 將 晶體管簡(jiǎn)單等同為 雙二極管，這是因?yàn)?晶體管集電區(qū) 面積較大 ； 基區(qū) 較薄 ， 摻雜濃度低 ； 發(fā)射區(qū) 摻雜濃度較高 。 從 P 區(qū)引出 的電極 叫 陽(yáng) 極 ， 從 N區(qū)引出 的電極 叫 陰 極。 2．本征半 導(dǎo)體是 不含雜質(zhì) 且 無(wú)晶格缺陷 的 半導(dǎo)體。 6．在征半導(dǎo)體中，摻入五價(jià)元素 磷 ，就成為 N 型 半導(dǎo)體，又 稱 電子 型 半導(dǎo)體，它的多子是 自由電子 ，少子 是 空穴 。按材料分，有 硅 管和 鍺 管兩類；按 PN結(jié)結(jié)構(gòu)來(lái)分，有 NPN 型和 PNP 型兩種。 20． 晶閘管內(nèi)部包含 3 個(gè) PN結(jié) ， 可 等效為一個(gè) NPN 型 晶體管 和一個(gè) PNP 型 晶體管的連接。 （ ⅹ ） 4．在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素 硼 ，就成為 N型 半導(dǎo)體。 （ ⅹ ） 12．穩(wěn)壓二極管按材料分有硅管和鍺管。 A．增大 B．不變 C．減小 4．穩(wěn)壓二極管的是用 B 材料制成的。 a） b） c） d） 題 圖 11 放大 /硅管 飽和 /硅管 截止 /硅或鍺管 放大 /鍺管 7． 已知 兩只晶體管 的電流放大系數(shù) β分別是 100和 50，現(xiàn)測(cè)得放大 電 路中，這兩只管子兩個(gè)電極的電流如題 圖 12 所示。 3． 電路如 題 圖 16所示， 假 設(shè)二極管 為 理想 器件， 求 輸 出 電壓ov 和電阻 R 上的電流。 a） b） 題 圖 18 8 7． 電路如 題 圖 19所示，假設(shè) VBB=VCC=6V， Rb=265KΩ，Rc=， β=60，默認(rèn) 晶體管剛好飽和 時(shí) VCES=， 晶體管導(dǎo)通時(shí) VBE=。 5． 放大 器的直流通路是指 直流信號(hào)經(jīng)過(guò)的路徑 。 10 11． 小功率 晶體管 的 rbe≈ EQImV /26)1(300 ??? （ Ω） 。 19． 若把某分壓偏置 放大 器的晶體管（ β1=100），改為晶體管（ β1=150）， 放大 器靜態(tài)工作點(diǎn)基本不改變，電路 以 減小 （增大 /減?。?基極電流的方式自動(dòng)維持 來(lái)實(shí)現(xiàn)的 。 1．以晶體管的基 — 射極為輸入端，以集 — 射極為輸出端 而構(gòu)成的晶體管放大器 稱為共發(fā)射極放大器。 （ ⅹ ） 9．分壓偏置共射放大器中，集電極電阻 Rc 阻值越大， 靜態(tài)工作點(diǎn) 越 穩(wěn)定。 （ √ ） 17． 共集放大器的電壓放大倍數(shù)小于 1，所以它沒(méi)有什么應(yīng)用價(jià)值。 A．減小 B．不變 C．增大 （ 3） 當(dāng) Vi=1mV 時(shí)，將 RP 調(diào)到輸出電壓最大且不失真，若此時(shí)增大輸入電壓，則輸出電壓波形將 C 。前者為 VCE，后者為零。因?yàn)?，若無(wú)電阻 Rb，當(dāng) RP 調(diào)到很小時(shí)晶體管基極電流很大， 過(guò)大電流會(huì)燒毀晶體管。 7． 電路如 題 圖 27所示，設(shè) 晶體管 β=200， VG=10V，Rb=200kΩ， Re=， 忽略 VBEQ。 2．利用二極管的 單向?qū)щ? 特性，可將交流電壓轉(zhuǎn)換 電壓的 電路 稱整流電路。 10． 并聯(lián)穩(wěn)壓電路因負(fù)載與 調(diào)整元件 并聯(lián) 而得名，這種電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，負(fù)載電流較小；串聯(lián)穩(wěn)壓電路因負(fù)載與 調(diào)整元件 串聯(lián) 而得名，這種電路的負(fù)載電流較大。 1． 整流電路可將正弦電壓 變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓。 （ √ ） 三 、 選擇題 1．直流穩(wěn)壓電源中，變壓器的作用是 C 。 A．基準(zhǔn)電壓 B．采樣電壓 C． 采樣電壓和 基準(zhǔn)電壓的差值 四 、 問(wèn)答題 1． 直流穩(wěn)壓電路主要由哪幾部分組成？各組成部分分別起什么作用？ 2． 橋式整流 為何能 把 交流電變成直流電？這種直流電能否直接作為晶體管放大器的電源？ 4．為什么未經(jīng)穩(wěn)壓的電源在實(shí)際中應(yīng)用得較少？ 5． 橋式整流電路中有 4 只整流二極管，所以每只二極管中電流的平均 值等于負(fù)載的 1∕4。 已知 VI=10V， VT1 的電流放大系數(shù)β=200， 晶體管 導(dǎo)通時(shí) VBE=， 穩(wěn)壓管 VZ=， R=430Ω，RL=25Ω。 解：當(dāng) maxOV =15V 時(shí)， Io =150mA。 （ 2）通過(guò)電阻 R1的電流為多少？ 解： 穩(wěn)壓管 VS 的 ZV =5V，則電阻 R1的電流 1RI 1RI =1RVV Zi? = 1515? mA=10mA （ 3）通過(guò)電阻 R2的電流為多少？ 解： 已知 ZV =5V， 而 2BEV =， 則 VT2 發(fā)射 極電壓2EV =， 因此 R2的電流 2RI 2RI = 2EV /R2=≈ （ 4）若輸出電流 Io=2A， 則 IB1 和 IB2為多少？ 解：由題圖 37 可知，輸出電流約等于 VT1 集電極電流，即Io=IC； 若 Io=2A， 且 β1=100，