【摘要】1第一章電路的基本概念和基本定律在題,各元件電壓為U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是電源,哪些元件是負(fù)載?解:元件上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI;電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI。P0時(shí)元件吸收功率是負(fù)載,P0時(shí),元件釋放功率,是電源。本題中元件1、2、
2024-11-15 10:22
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題及參考答案一、填空題:1.半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電。2.半導(dǎo)體中由漂移形成的電流是反向電流,它由少數(shù)載流子形成,其大小決定于溫度,而與外電場(chǎng)無(wú)關(guān)。3.PN結(jié)的P型側(cè)接高電位,N型側(cè)接低電位稱為正向偏置(正偏),反之稱為反向偏置(反偏)。4.PN
2024-11-15 10:24
【摘要】4基本放大電路自我檢測(cè)題一.選擇和填空1.在共射、共基、共集三種基本放大電路組態(tài)中,希望電壓放大倍數(shù)絕對(duì)值大,可選用A或C;希望帶負(fù)載能力強(qiáng),應(yīng)選用B;希望從信號(hào)源索取電流小,應(yīng)選用B;希望既能放大電壓,又能放大電流,應(yīng)選用A;希望高頻響應(yīng)性能好,應(yīng)選用C。(A.共射組態(tài),B.共集組態(tài),C.共基組態(tài))2.射極跟隨器在連接組態(tài)方面屬共集電極接法
2025-07-09 23:32
【摘要】106~07學(xué)年第一學(xué)期中級(jí)部《電子技術(shù)基礎(chǔ)》試題出卷人:王敬孝一、填空題(每空1分共165分)§1—1,自然界的物質(zhì)可以分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三類。硅和
2024-11-22 23:45
【摘要】《模擬電子技術(shù)》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯(cuò)題三、分析與選擇題四、計(jì)算題五、設(shè)計(jì)題模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)一、填空題1)根據(jù)導(dǎo)電能力來(lái)衡量,自然界的物質(zhì)可以分為(絕緣體)、(導(dǎo)體)和(半導(dǎo)體)三類。2)P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2024-08-24 08:50
【摘要】《電路》八、解設(shè)D1、D2導(dǎo)通時(shí)的電壓降為UD1、UD2。圖(a)UAB=UZ1+UZ2=6+8=14V;圖(b)UAB=UZ1=6V;圖(c)UAB=UZ1+UD2=6+=V;圖(d)UAB=UD1=V。九、解:穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流IZM=PZM/UZ=25mA電阻R的電流為
2025-07-08 22:48
【摘要】第2章習(xí)題答案1.概念題:(1)常溫下,N型半導(dǎo)體在導(dǎo)電時(shí)有空穴載流子參與嗎?(有)P型半導(dǎo)體在導(dǎo)電時(shí)有電子載流子參與嗎?(有)(2)在不加外電壓時(shí),PN結(jié)內(nèi)部有沒有電子的運(yùn)動(dòng)?(有)將P極和N極相連并串接電流表會(huì)有電流指示嗎?(無(wú))(3)PN結(jié)加正向電壓時(shí)空間電荷區(qū)將變寬嗎(不是)P+N結(jié)加反向電壓哪邊將變得更寬(N邊)(4)作漂移運(yùn)動(dòng)的
【摘要】1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃度。5、本征半導(dǎo)體溫度升高以后自
【摘要】第一章電路的基本概念和基本定律,各元件電壓為U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是電源,哪些元件是負(fù)載?解:元件上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI;電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI。P0時(shí)元件吸收功率是負(fù)載,P0時(shí),元件釋放功率,是電源。本題中元件1、2、4上電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向,元件3上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向,
2025-07-03 13:44
【摘要】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃
2025-06-22 02:14
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-24 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-07-09 23:33
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題第三章雙極型晶體管及其放大電路第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其基本放大電路第五章集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用第六章負(fù)反饋放大電路第七章功率放大電路第九章波形發(fā)生和變換電路第八章有源濾波器第一章電子系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)第二章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路第十章直流穩(wěn)壓
2025-05-16 06:11
【摘要】模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)教材:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第四版)華中理工大學(xué)康華光主編制作:安徽理工大學(xué)電氣工程系黃友銳第二章習(xí)題解答晶體管器件A:D導(dǎo)通,VAO=-6VB:D截止,VAO=-12VC:D1導(dǎo)通,D2截止,VAO=0VD:D1截止,D2導(dǎo)通,VAO=-6V習(xí)題習(xí)題解題的原則:先
2025-01-12 09:16
【摘要】模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)教材:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第四版)華中理工大學(xué)康華光主編制作:安徽理工大學(xué)電氣工程系黃友銳第二章習(xí)題解答晶體管器件A:D導(dǎo)通,VAO=-6VB:D截止,VAO=-12VC:D1導(dǎo)通,D2截止,VAO=0VD:D1截止,D2導(dǎo)通,VAO=-6V
2024-09-20 21:57