【摘要】第一章一、選擇題(請選擇一個最合適的答案填入括號內(nèi))1.P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是(),N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是()。A.自由電子B.空穴C.電荷2.當(dāng)PN結(jié)正偏時,空間電荷區(qū)中載流子的擴散運動和漂流運動相比()。A.前者強于后者B.后者強于前者3.
2025-04-09 04:55
【摘要】模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一、判斷題(在正確的論斷前的括號內(nèi)填入“√”,否則填入“×”。)第二章(×)1.運算電路中一般引入正反饋。(√)2.凡是運算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運算關(guān)系。第三章(×)1.因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以
2024-11-16 08:12
【摘要】1第一章電路的基本概念和基本定律在題,各元件電壓為U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是電源,哪些元件是負(fù)載?解:元件上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向時,P=UI;電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向時,P=UI。P0時元件吸收功率是負(fù)載,P0時,元件釋放功率,是電源。本題中元件1、2、
2024-11-15 10:22
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題及參考答案一、填空題:1.半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電。2.半導(dǎo)體中由漂移形成的電流是反向電流,它由少數(shù)載流子形成,其大小決定于溫度,而與外電場無關(guān)。3.PN結(jié)的P型側(cè)接高電位,N型側(cè)接低電位稱為正向偏置(正偏),反之稱為反向偏置(反偏)。4.PN
2024-11-15 10:24
【摘要】4基本放大電路自我檢測題一.選擇和填空1.在共射、共基、共集三種基本放大電路組態(tài)中,希望電壓放大倍數(shù)絕對值大,可選用A或C;希望帶負(fù)載能力強,應(yīng)選用B;希望從信號源索取電流小,應(yīng)選用B;希望既能放大電壓,又能放大電流,應(yīng)選用A;希望高頻響應(yīng)性能好,應(yīng)選用C。(A.共射組態(tài),B.共集組態(tài),C.共基組態(tài))2.射極跟隨器在連接組態(tài)方面屬共集電極接法
2025-07-09 23:32
【摘要】106~07學(xué)年第一學(xué)期中級部《電子技術(shù)基礎(chǔ)》試題出卷人:王敬孝一、填空題(每空1分共165分)§1—1,自然界的物質(zhì)可以分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三類。硅和
2024-11-22 23:45
【摘要】《模擬電子技術(shù)》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯題三、分析與選擇題四、計算題五、設(shè)計題模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)一、填空題1)根據(jù)導(dǎo)電能力來衡量,自然界的物質(zhì)可以分為(絕緣體)、(導(dǎo)體)和(半導(dǎo)體)三類。2)P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2024-08-24 08:50
【摘要】第一章電路的基本概念和基本定律,各元件電壓為U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是電源,哪些元件是負(fù)載?解:元件上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向時,P=UI;電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向時,P=UI。P0時元件吸收功率是負(fù)載,P0時,元件釋放功率,是電源。本題中元件1、2、4上電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向,元件3上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向,
2025-07-03 13:44
【摘要】第2章習(xí)題答案1.概念題:(1)常溫下,N型半導(dǎo)體在導(dǎo)電時有空穴載流子參與嗎?(有)P型半導(dǎo)體在導(dǎo)電時有電子載流子參與嗎?(有)(2)在不加外電壓時,PN結(jié)內(nèi)部有沒有電子的運動?(有)將P極和N極相連并串接電流表會有電流指示嗎?(無)(3)PN結(jié)加正向電壓時空間電荷區(qū)將變寬嗎(不是)P+N結(jié)加反向電壓哪邊將變得更寬(N邊)(4)作漂移運動的
【摘要】1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃度。5、本征半導(dǎo)體溫度升高以后自
【摘要】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃
2025-06-22 02:14
【摘要】教材模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)清華大學(xué)模擬電子技術(shù)課程作業(yè)第1章半導(dǎo)體器件1將PN結(jié)加適當(dāng)?shù)恼螂妷?,則空間電荷區(qū)將( b )。(a)變寬 (b)變窄 (c)不變2半導(dǎo)體二極管的主要特點是具有( b )。(a)電流放大作用 (b)單向?qū)щ娦?(c)電壓放大作用3二極管導(dǎo)通的條件是加在二極管兩端的電壓( a )。(a)正向電
2025-07-10 22:09
【摘要】:金融機構(gòu)體系是眾多銀行與非銀行金融機構(gòu)并存的格局,其中銀行機構(gòu)居支配地位。:動態(tài)的外匯是指把一國貨幣兌換成另一國貨幣,以清償國際間債務(wù)的金融活動。:各國外匯管制法令所稱的外匯就是廣義的外匯。:狹義的外匯即通常所說的外匯,指以外幣所表示的用于國際結(jié)算的支付手段。二、判斷(F)(F)。因此,拒付的匯票和空頭支票也屬于外匯范疇(F)
2025-07-04 06:53
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-24 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-07-09 23:33