【正文】 或 電流 ）的一部分 或全部 ，通過(guò)一定的 電路形式 送回到 輸入回路 ， 并與輸入量進(jìn)行疊加的過(guò)程 。 當(dāng)輸出電流過(guò)大時(shí)，VT3 發(fā)射結(jié)電壓超過(guò)門坎電壓， VT3 開始導(dǎo)通，分流 VT1 基極電流。 解：當(dāng) maxOV =15V 時(shí)， Io =150mA。 設(shè)輸入電壓 VI=18V， 晶體管 VTVT3 導(dǎo)通時(shí)發(fā)射 結(jié)壓降為 。 已知 VI=10V， VT1 的電流放大系數(shù)β=200， 晶體管 導(dǎo)通時(shí) VBE=， 穩(wěn)壓管 VZ=， R=430Ω，RL=25Ω。 （ 1） 求 電 流 IR、 Io和 IZ； 解： 由于 VI=12V ， VZ=6V，則 VR= VI VZ =12V 6V=6V 因此 ， IR=VR/R=6V/300Ω=20mA 又 IO=VZ/RL=6V/1kΩ=6mA 所以 IZ= IR Io=（ 20 6） mA=14 mA （ 2）若 RL=200Ω， 要求 IZ不小于 10mA，求 R 電 阻最大為多少？ 解：若 RL=200Ω，則 Io=VZ/RL=6V/200Ω=30mA 又 IZ10mA，則 IR = IZ + Io≥ 40 mA 所以 R = VR/IR=（ VI VZ） / IR≤ 6V/40mA=150Ω 即 R 最大為 150Ω 2． 電路 如 題 圖 35所示。 A．基準(zhǔn)電壓 B．采樣電壓 C． 采樣電壓和 基準(zhǔn)電壓的差值 四 、 問(wèn)答題 1． 直流穩(wěn)壓電路主要由哪幾部分組成？各組成部分分別起什么作用？ 2． 橋式整流 為何能 把 交流電變成直流電？這種直流電能否直接作為晶體管放大器的電源？ 4．為什么未經(jīng)穩(wěn)壓的電源在實(shí)際中應(yīng)用得較少？ 5． 橋式整流電路中有 4 只整流二極管，所以每只二極管中電流的平均 值等于負(fù)載的 1∕4。 A．輸出電壓為原來(lái)的 2倍 B．變?yōu)榘氩?整流 C．整流管將因電流過(guò)大而燒毀 6． 直 流 穩(wěn)壓電源中，濾波的電路作用 是 C 。 （ √ ） 三 、 選擇題 1．直流穩(wěn)壓電源中，變壓器的作用是 C 。 （ √ ） 5．在相同輸入條件下， 橋式整流電路 的輸出直流電壓 平均值 是半波 整流電路 輸出的 2倍。 1． 整流電路可將正弦電壓 變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓。 13． 固定式三端穩(wěn)壓器 輸出正電壓，以 78 字符標(biāo)識(shí)， 輸出負(fù)電壓，以 79 字符標(biāo)識(shí)。 10． 并聯(lián)穩(wěn)壓電路因負(fù)載與 調(diào)整元件 并聯(lián) 而得名，這種電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，負(fù)載電流較小；串聯(lián)穩(wěn)壓電路因負(fù)載與 調(diào)整元件 串聯(lián) 而得名，這種電路的負(fù)載電流較大。 6．對(duì)于變壓 器中間抽頭全波整流電路來(lái)說(shuō)，每輸入一個(gè)周期的正弦交流電壓，在負(fù)載上可得到 全波脈動(dòng) 的電壓。 2．利用二極管的 單向?qū)щ? 特性，可將交流電壓轉(zhuǎn)換 電壓的 電路 稱整流電路。 解： （ 1） 求 基極和發(fā)射極電位 VBQ、VEQ； 212bbbGBQ RR RVV ??? VkkV 4)520( 520 ??? ??? 若忽略 VBEQ，則 EQV = BQV =4V （ 2） 求流過(guò) Re的電流 ； mAkVRVII eEQEQCQ 224 ????? （ 3） 求 基極電流 IBQ； AmAII CQBQ ?? 102 0 0/2/ ??? （ 4） 求 集 射極 電 壓 VCEQ； VkmAVRRIVV ecCQGC E Q 12)22(220)( ?????????? （ 5）若 β=100， VBQ、 VEQ 和 VCQ 會(huì)改變嗎？這時(shí) IBQ 約為多少？ 答： 若 β=100， VBQ、 VEQ和 VCQ不會(huì)改變。 7． 電路如 題 圖 27所示，設(shè) 晶體管 β=200， VG=10V，Rb=200kΩ， Re=， 忽略 VBEQ。 c．先后更換幾只 晶體管 ，在調(diào)試電位器時(shí)發(fā)現(xiàn)，有的 晶體管 的集電極電壓變化很明顯，也有的不明顯 ，試分析原因。因?yàn)?，若無(wú)電阻 Rb，當(dāng) RP 調(diào)到很小時(shí)晶體管基極電流很大， 過(guò)大電流會(huì)燒毀晶體管。 14 題 圖 24 4． 如 題 圖 25所示電路 都 失去 放大作用 ， 試通過(guò)畫 出 交 流 通 路來(lái)分析放大器失去放大作用的原因。前者為 VCE，后者為零。 A、 基極 和 發(fā)射極 B、 基極 和 集電極 C、 發(fā)射極和集電極 4． 放大器的交流通路是指 C 。 A．減小 B．不變 C．增大 （ 3） 當(dāng) Vi=1mV 時(shí)，將 RP 調(diào)到輸出電壓最大且不失真，若此時(shí)增大輸入電壓，則輸出電壓波形將 C 。 （ ⅹ ） 三、 選擇題 1．在題 圖 21 所示放大器中，已知 VG=12V， Rc=3kΩ，靜態(tài)管壓降 VCEQ=6V； 若 在輸出端 帶上負(fù)載電阻、 阻值為 3kΩ。 （ √ ） 17． 共集放大器的電壓放大倍數(shù)小于 1，所以它沒有什么應(yīng)用價(jià)值。 （ ⅹ ） 13． 放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作 。 （ ⅹ ） 9．分壓偏置共射放大器中，集電極電阻 Rc 阻值越大， 靜態(tài)工作點(diǎn) 越 穩(wěn)定。 （ √ ） 5．放大器的輸出電流和電壓都是由晶體管提供的。 1．以晶體管的基 — 射極為輸入端，以集 — 射極為輸出端 而構(gòu)成的晶體管放大器 稱為共發(fā)射極放大器。 23． 多級(jí)放大器 的輸入電阻等于 第一級(jí)放大器 的輸入電阻 ，輸出電阻等于 最后 一級(jí)放大器 的輸出電阻。 19． 若把某分壓偏置 放大 器的晶體管（ β1=100），改為晶體管（ β1=150）， 放大 器靜態(tài)工作點(diǎn)基本不改變，電路 以 減小 （增大 /減?。?基極電流的方式自動(dòng)維持 來(lái)實(shí)現(xiàn)的 。 15． 放大 器靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置 偏 高 ， 就可能產(chǎn)生飽和失真，此時(shí)集電極電流的 正 半周出現(xiàn) 削 波現(xiàn)象 ；減小飽和失 真的方法是使 Rb 增大 ， 靜態(tài)工作點(diǎn) 下 移。 10 11． 小功率 晶體管 的 rbe≈ EQImV /26)1(300 ??? （ Ω） 。 8． 放大 器 動(dòng)態(tài)時(shí)各電極電壓、電流大小隨時(shí)間變化，但 方向 卻始終保持與靜態(tài)時(shí)一致 。 5． 放大 器的直流通路是指 直流信號(hào)經(jīng)過(guò)的路徑 。 習(xí)題二 一、 填空題 1． 放大器按信號(hào)頻率高低可分為 低 頻 放大器、 中 頻 放大器、 高頻 放大器和直流放大器；按用途不同可分為 電壓 放大器、 電流 放大器和 功率 放大器；按信號(hào)強(qiáng)弱又可分為 小信號(hào) 放大器和 大信號(hào) 放大器 。 a） b） 題 圖 18 8 7． 電路如 題 圖 19所示，假設(shè) VBB=VCC=6V， Rb=265KΩ，Rc=， β=60，默認(rèn) 晶體管剛好飽和 時(shí) VCES=， 晶體管導(dǎo)通時(shí) VBE=。但是，電源 E1 比電源E2 電壓高，所以 VD1首先導(dǎo)通，從而把輸出電壓鉗位于 6V，于是VD2截止。 3． 電路如 題 圖 16所示， 假 設(shè)二極管 為 理想 器件， 求 輸 出 電壓ov 和電阻 R 上的電流。 題 圖 13 9． 分別 判斷題 圖 14所示電路 ， 晶體管是否有可能工作于放大狀態(tài)。 a） b） c） d） 題 圖 11 放大 /硅管 飽和 /硅管 截止 /硅或鍺管 放大 /鍺管 7． 已知 兩只晶體管 的電流放大系數(shù) β分別是 100和 50，現(xiàn)測(cè)得放大 電 路中，這兩只管子兩個(gè)電極的電流如題 圖 12 所示。 A．前者反偏、后者也反偏 B． 前者正偏、后者反偏 C． 前者正偏、后者也正偏 8． 當(dāng)晶體管 工作于 飽和狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)應(yīng)為 C 。 A．增大 B．不變 C．減小 4．穩(wěn)壓二極管的是用 B 材料制成的。 （ ⅹ ） 16．晶閘管正向?qū)ê?，在門極加反偏電可使其阻斷。 （ ⅹ ） 12．穩(wěn)壓二極管按材料分有硅管和鍺管。 （ √ ） 8． 二極管在正向?qū)〞r(shí)，管壓降為 。 （ ⅹ ） 4．在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素 硼 ，就成為 N型 半導(dǎo)體。 3 二、判斷題 在括號(hào)內(nèi)用“ √ ”或“ ⅹ”表明下列說(shuō)法是否正確。 20． 晶閘管內(nèi)部包含 3 個(gè) PN結(jié) ， 可 等效為一個(gè) NPN 型 晶體管 和一個(gè) PNP 型 晶體管的連接。 16． 晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，其發(fā)射結(jié) 反 偏或 零 偏，集電 結(jié) 反 偏。按材料分，有 硅 管和 鍺 管兩類；按 PN結(jié)結(jié)構(gòu)來(lái)分，有 NPN 型和 PNP 型兩種。 9． 二極管 兩端的電壓和流過(guò) 二極管 的電流之間關(guān)系稱 二極管 的伏安特性，通過(guò)儀器可以測(cè)出 二極管 的伏安特性曲線 。 6．在征半導(dǎo)體中，摻入五價(jià)元素 磷 ，就成為 N 型 半導(dǎo)體，又 稱 電子 型 半導(dǎo)體，它的多子是 自由電子 ，少子 是 空穴 。 3．雜質(zhì)半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體是中摻入 特定的雜質(zhì) 而形成的。 2．本征半 導(dǎo)體是 不含雜質(zhì) 且 無(wú)晶格缺陷 的 半導(dǎo)體。 5． 在征半導(dǎo)體中，摻入三價(jià)元素 硼 ，就成為 P 型 半導(dǎo)體，又稱 空穴 型 半導(dǎo)體，它的多子是 空穴 ，少子 是 自由電子 。 從 P 區(qū)引出 的電極 叫 陽(yáng) 極 ， 從 N區(qū)引出 的電極 叫 陰 極。 12．晶體管有 兩 個(gè) PN結(jié)。 15絕大多數(shù)情 況下，不能 將 晶體管簡(jiǎn)單等同為 雙二極管，這是因?yàn)?晶體管集電區(qū) 面積較大 ； 基區(qū) 較薄 ， 摻雜濃度低 ； 發(fā)射區(qū) 摻雜濃度較高 。 19．晶體管的主要參數(shù)有 集電極最大電流 、 集 射極擊穿電壓 、 集電極允許功耗 、 共射特征頻率 。 23．使 晶閘管陽(yáng)極電流減小到一定數(shù)值 IH時(shí)，會(huì)導(dǎo)致晶閘管不能維持正向?qū)ǎ@種關(guān)斷稱為 正向阻斷 ， IH 稱為 維持電流 。 （ ⅹ ） 3．在半導(dǎo)體中摻入其它物質(zhì)就稱雜質(zhì)半導(dǎo)體。 （ √ ） 7． 從 PN結(jié)兩個(gè)雜質(zhì) 半導(dǎo)體 引出兩個(gè)電極，并配以合適封裝，就成為二極管。 （ √ ） 11．穩(wěn)壓二極管一旦擊穿，它就一定損壞了。 （ √ ） 15．晶體管發(fā)射結(jié)正偏時(shí)，它一定處于導(dǎo)通狀態(tài)。 A．五價(jià) B．四價(jià) C．三價(jià) 3．當(dāng)溫度升高時(shí)， 二極管 的反向 漏 電流將 A 。 A、（ B、 C、 E） B、（ C、 B、 E） C、（ E、 C、 B） D、（ NPN） E、（ PNP） 7． 當(dāng)晶體管 工作于放大 狀態(tài) 時(shí)，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)應(yīng)為 B 。 A． 83 B． 100 C． 91 4 四 、 問(wèn)答題 1． 什么是本征半導(dǎo)體？什么是雜質(zhì)半導(dǎo)體？各有什么特征？ 2．半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性有哪些？ 3．硅 二極管和鍺二極管有 哪些區(qū)別 ？