【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》典型習(xí)題解答第一章半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識,已知ui=5sinωt(V),二極管導(dǎo)通電壓UD=。試畫出ui與uO的波形,并標(biāo)出幅值。????????
2024-08-19 11:21
【摘要】17模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題冊第一章:基本放大電路習(xí)題1-1填空:1.本征半導(dǎo)體是,其載流子是和。載流子的濃度。2.在雜質(zhì)半
2024-08-13 23:33
【摘要】 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》典型習(xí)題解答 第一章半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識 ,已知ui=5sinωt(V),二極管導(dǎo)通電壓UD=。試畫出ui與uO的波形,并標(biāo)出幅值?! ?60。 160。 160?! ?60。
2025-05-31 00:00
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》典型習(xí)題解答半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識1,已知ui=5sinωt(V),二極管導(dǎo)通電壓UD=。試畫出ui與uO的波形,并標(biāo)出幅值。????????&
2025-05-31 18:04
【摘要】半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識,已知ui=5sinωt(V),二極管導(dǎo)通電壓UD=。試畫出ui與uO的波形,并標(biāo)出幅值。????????????
2025-03-25 04:55
【摘要】第一章一、選擇題(請選擇一個最合適的答案填入括號內(nèi))1.P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是(),N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是()。A.自由電子B.空穴C.電荷2.當(dāng)PN結(jié)正偏時,空間電荷區(qū)中載流子的擴(kuò)散運(yùn)動和漂流運(yùn)動相比()。A.前者強(qiáng)于后者B.后者強(qiáng)于前者3.
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲容量為4K×8位的RAM存儲器,其地
2025-06-19 22:45
【摘要】《電路與電子技術(shù)基礎(chǔ)》參考解答習(xí)題一1-1一個繼電器的線圈,電阻為48Ω,,問線圈兩端應(yīng)施加多大的電壓?答:根據(jù)歐姆定律可得:U=IR=*48=1-2一個1000W的電爐,接在220V電源使用時,流過的電流有多大?答:由電路的功率計算公式可知:P=UI,所以1-3求題圖1-1(a)、(b)電路得Uab。6V
2024-08-14 09:44
【摘要】WORD格式整理第1章電路的基本知識電路的概念(1)略(2)電路通常由電源、負(fù)載和中間環(huán)節(jié)(導(dǎo)線和開關(guān))等部分組成。A.電源的作用:將其他形式的能轉(zhuǎn)換成電能。B.負(fù)載的作用:將電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。C.中間環(huán)節(jié)的作用:傳遞、分配和控制電能。電路
2024-08-03 12:14
【摘要】成都大學(xué)教案學(xué)院(部):工業(yè)制造學(xué)院系(教研室):測控系授課教師:吳斌職稱:副教授課程名稱電子技術(shù)基礎(chǔ)(模擬部分)
2024-10-26 22:42
【摘要】(二)模擬電子技術(shù)部分1半導(dǎo)體器件(講課4學(xué)時,共2次課)課題名稱(章節(jié)題目)第1次課:二極管和穩(wěn)壓管教學(xué)目的和要求1、了解二極管和穩(wěn)壓管的結(jié)構(gòu)、工作原理;2、掌握特性曲線、主要參數(shù)和應(yīng)用;3、理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴=虒W(xué)重點和難點重點:掌握主要特性、主要參數(shù)的含義,掌握各元件的應(yīng)用。難點:PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。教學(xué)方式
2024-07-23 00:28
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40V時
2025-05-31 18:18
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-05 10:44
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在
2024-11-04 06:14
【摘要】模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一、判斷題(在正確的論斷前的括號內(nèi)填入“√”,否則填入“×”。)第二章(×)1.運(yùn)算電路中一般引入正反饋。(√)2.凡是運(yùn)算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運(yùn)算關(guān)系。第三章(×)1.因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以
2024-10-27 08:12